SEMI于6月1日公布全球半導體投資的報告，之前曾預測2010年增長60%，而如今已修正為增長117%，從2009年的163億美元，到2010年的355億美元(把分立器件的投資計在內)，如扣除分立器件為335億美元，增長115.7%。
誰在積極擴充產能
去年全球半導體業處于減投資時期，今年產業受需求增長及價格上升的雙重夾攻的影響，許多公司宣布積極的擴張策略，所以在2010年投資中有部分仍是為技術升級，但也有許多為了擴充產能。
如果依類別看，全球代工與2009年相比，其2010年安裝產
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分立器件 存儲器
Maxim推出帶有1024字節無痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數據。器件內部的篡改監測器能夠有效抵御時鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實現靈活的定制特性。片內無痕跡存儲器允許終端用戶在發生特定篡改事件時有選擇地清除存儲器數據。這種具有專利保護的存儲器架構*能夠確保在發生篡改事件時立即擦除數據，從而提高了基于SRAM存儲器的系統安全等級。DS3644能夠滿足政府設施、軍事系統等高安全等級應用的要求，適用于需要監測多種篡改操作的系統。
DS3644能
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Maxim 存儲器 SRAM DS3644
按iSuppli報道，今年Q1半導體銷售額與09年Q4相比增長2%，是連續第四個季度環比的增長，也是2004年以來最強的季度銷售額。
按iSuppli市場部副總裁Dale Ford認為，得出這樣的結果是iSuppli公司通過統計150家以上公司中，僅只有6家公司在Q1中的銷售額比同期的09年Q1低。
由此表示產業經過09年初的危機之后，己經進人全方位的復蘇。
由瑞薩與NEC組成的新瑞薩列于該公司的全球Q1前10位供應商排名中的第5位。而由IC Insight列出的全球前20位供應商排
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瑞薩電子 存儲器
按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導致與之相關連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。
同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。
三星在本月初時，它將擴大今年半導體的投資達96億美元， 也即表示
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Hynix 存儲器 DRAM NAND
存儲器模塊產業2009年享受低價庫存變黃金的榮景，但2010年營運則面對嚴峻挑戰，惟產業大者越大的趨勢不變，根據市調機構 iSuppli最新統計，金士頓2009年全球市占率已達40.3%，幾乎是第2到8名的總和，威剛則以7.4%位居全球第2，而2009年DRAM模塊產業規模約175億美元，整體出貨量約6.32億支，預計2010年會提升至242億美元之多。
2009年DRAM價格觸底反彈，存儲器模塊廠營運率先受惠，幾乎是上半年各廠手上還抱著庫存欲哭無淚，但隨著奇夢達(Qimonda)退出市場、個人
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存儲器 DRAM
韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預料競爭將加劇。
除提高投資外，該份名為「財務穩健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達到20
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Hynix 存儲器
在芯片市場，很多廠商在追逐著摩爾定律，例如CPU、存儲器、FPGA等產品靠工藝的進步來降低單位成本，靠大批量通用產品來獲利。除此之外，另一種可取的方法是做高附加價值產品。不久前，Cypress公司市場傳訊部高級總監Joseph L. McCarthy向本刊介紹了該公司這幾年的戰略轉型：該公司正從做通用產品轉為可編程器件和自營產品上來(圖1)，2009年可編程和自營產品比例已達到81%。這兩部分可使產品的單價上升，產生更高的利潤。
PSoC/觸控可編程戰略
為了實施可編程戰略，2003年
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Cypress 摩爾定律 CPU 存儲器 FPGA 201005
韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預料競爭將加劇。
除提高投資外，該份名為「財務穩健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達到20
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海力士 存儲器
對于全球半導體業， 如果比較2009 Q1與2010 Q1的結果感覺如兩重天。2009年Q1時感覺一場災難來臨， 心中無底，反復詢問“何時走出谷底”?而到2010年Q1時，產業似乎來了個大逆轉， 好得有點出奇，樂壞了全球市場分析公司， 它們有用武之地， 但是企業家們卻在冷靜的思考，是“真的來臨了嗎”?
兩重天
據SIA公布的2010年Q1全球半導體銷售額為692億美元， 與2009年Q1的437億美元相比增長達58%。另外據IC Insigh
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芯片 存儲器
三星電子(Samsung Electronics)半導體事業部社長權五鉉表示，2010年存儲器將供不應求，且將在第2季內決定半導體領域的追加投資規模。
權五鉉出席4日在首爾三成洞GRAND InterContinental飯店召開的韓國半導體產業協會2010年定期總會時說明，若期望在2010年內看到追加投資成果，第4季前所有裝備必須就定位，以交貨時間為考量推算，第2季就須先確定投資計畫。
權五鉉未發表具體追加投資金額，業界猜測約為4兆韓元(約35.88億美元)。
權五鉉對于延后確認半
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三星電子 存儲器
在渡過困難的09年后,全球半導體業迎來新一輪的高潮。市場相繼出現存儲器, 模擬電路等缺貨現象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導扭虧為盈, 預計2010年全球DRAM增長40%,可達319億美元。
以臺積電為首的代工業也是看好, 預計今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進制程取消淡季的固定優惠，實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
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存儲器 DRAM 模擬電路
單片機作為一種微型計算機，其內部具有一定的存儲單元(8031除外)，但由于其內部存儲單元及端口有限，很多情況下難以滿足實際需求。為此介紹一種新的擴展方法，將數據線與地址線合并使用，通過軟件控制的方法實現數據線與地址線功能的分時轉換，數據線不僅用于傳送數據信號，還可作為地址線、控制線，用于傳送地址信號和控制信號，從而實現單片機與存儲器件的有效連接。以單片機片外256 KB數據存儲空間的擴展為例，通過該擴展方法，僅用10個I／O端口便可實現，與傳統的擴展方法相比，可節約8個I／O端口。
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存儲器 擴展 數據 P0 單片機 基于 數字信號
在深入了解Flash存儲器的基礎上，采用單片機自動檢測存儲器無效塊。主要通過讀取每一塊的第1、第2頁內容，判斷該塊的好壞，并給出具體的實現過程，以及部分關鍵的電路原理圖和C語言程序代碼。該設計最終實現單片機自動檢測Flash壞塊的功能，并通過讀取ID號檢測Flash的性能，同時該設計能夠存儲和讀取1 GB數據。
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韓國半導體大廠海力士(Hynix)公布2010會計年度第1季 (2010年1~3月)財報，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達成獲利8,220億韓元，比前季成長25%。營收則達2.82兆韓元，比2009年同期成長115%，亦比前季略增220億韓元。
海力士營收穩定成長，主要受到存儲器市場景氣興盛、DRAM出貨量增加及存儲器平均價格拉臺刺激。
海力士表示，DRAM本季平均價格成長3%、出貨量成長6%。NAND Flash平均價格雖下滑8%，然出貨量持平。
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存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現停電意外，海力士宣稱僅發生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統支應，并未造成任何損失，存儲器業者則傳出這次海力士實際停電時間是下午1~3點，長達2小時之久，盡管停電事件對于實際產出影響有限，然因目前DRAM市場供給嚴重吃緊，若韓系大廠再減少一些產能，恐怕將對PC廠出貨造成沖擊。
海力士位于韓國京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件，公司在第1時間出面
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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