據印度報業托拉斯報道，為大力推動電動汽車（EV）電池制造發展，特斯拉集團與SRAM & MRAM集團日前達成一項價值10億美元的里程碑式合作協議。此次合作不僅計劃在印度建設5座先進的電動汽車電池超級工廠，還將在包括美國、馬來西亞、阿曼、巴西、阿聯酋（UAE）和柬埔寨等另外15個國家部署生產網絡。SRAM & MRAM集團董事長Sailesh L Hiranandani強調了此次合作的重大意義，他表示，雙方將打造全球規模最大的電動汽車電池制造與儲能供應鏈之一。這一舉措體現了各方對可持續能源解
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特斯拉 SRAM & MRAM 電動汽車電池 超級工廠
SRAM 廣泛用于高性能處理器芯片的緩存。如果芯片無需訪問外部存儲器，其速度甚至可以更快。
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SRAM
在可編程邏輯器件領域，基于SRAM的FPGA經常被誤解。這些FPGA具有極高的靈活性和可重新配置特性，是從消費電子到航空航天等各類應用的理想選擇。此外，基于SRAM的FPGA還能帶來高性能和低延遲，非常適合實時數據處理和高速通信等要求苛刻的任務。一個常見的誤解是，基于SRAM的FPGA會因啟動時間較長而不堪負荷。通常的說法是，由于其配置數據存儲在片外，特別是在加密和需要驗證的情況下，將這些信息加載到FPGA的過程就成了瓶頸。然而，對于許多基于SRAM的現代FPGA來說，這種觀點并不成立，萊迪思Avant?
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SRAM FPGA 安全啟動機制 萊迪思 Lattice
上周在 IEEE 國際固態電路會議 （ISSCC） 上，先進芯片制造領域最大的兩個競爭對手 Intel 和 TSMC 詳細介紹了使用其最新技術 Intel 18a 和 TSMC N2 構建的關鍵內存電路 SRAM 的功能.多年來，芯片制造商不斷縮小電路規模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因為 SRAM 由大型存儲單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
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納米晶體管 SRAM 英特爾 Synopsys TSMC 內存密度
英特爾在國際固態電路會議 (ISSCC) 上公布了半導體制造領域的一些有趣進展，展示了備受期待的英特爾 18A
工藝技術的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進。PowerVia 系統與 RibbonFET (GAA)
晶體管相結合，是英特爾節點的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實進展，實現了從英特爾 3 的
0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進，縮小到 0.021 μm2。這些進步分別代表了
0.77 和
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英特爾 18A SRAM 臺積電
01 問題的描述某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數據在退出 standby模式后得以保持。根據手冊的描述，配置了相應的比特位，但是發現數據仍然保持不了。02 問題的復現根據客戶的描述，以及 STM32G071 的最新版參考手冊 RM0444 發現，在 standby 模式下，可以通過設置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力，相應的 API 接口函數為HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
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STM32G071 standby SRAM
SRAM正在通過與芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk軟件，開始制造真正可用的3D打印原型曲柄。基于這種人工智能設計流程，我們可能會看到完全重新構想的SRAM曲柄投放市場。不容置疑的是，SRAM在這種新的設計方法中投入了大量精力，并且他們已經在真實的道路上，用這款電腦設計的山地車曲柄進行了的多次迭代測試……使用Autodesk，SRAM能夠從空白開始，讓人工智能根據曲柄組中的作用力和各種自動化制造過程，為原型曲柄組篩選出最佳的設計形式。到目前為止，似乎SRAM已經
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SRAM 3D打印
像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負擔得起7nm技術，但初創公司和其他規模較小的公司卻因為復雜的設計規則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術提供了一條替代途徑，通過減小電壓而不是晶體管尺寸來降低功耗。格芯還開發了專門針對AI加速而優化的新型SRAM和乘法累加(MAC)電路。其結果是，典型AI運算的功耗最多可減少75%。Groq和Tenstorrent等客戶已經利用初代12LP技術獲得了業界領先的結果，首批采用12LP+工藝制造的產品將于
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AI CNN SRAM CPU 芯片
引言自從幾十年前首次推出FPGA以來，每種新架構都繼續在采用按位（bit-wise）的布線結構。雖然這種方法一直是成功的，但是隨著高速通信標準的興起，總是要求不斷增加片上總線位寬，以支持這些新的數據速率。這種限制的一個后果是，設計人員經常花費大量的開發時間來嘗試實現時序收斂，犧牲性能來為他們的設計布局布線。傳統的FPGA布線基于整個FPGA中水平和垂直方向上運行的多個獨立分段互連線（segment），在水平和垂直布線的交叉點處帶有開關盒（switch box）以實現通路的連接。通過這些獨立段和開
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ATT FCU SRAM FMAX
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布擴大其備受歡迎的IP的授權范圍，幫助設計師能夠在瞬息萬變的行業中滿足廣泛的客戶需求。自即日起，客戶將可訪問諸如尖端的7nm（納米）SRAM和TCAM，以及領先的標準以太網時間敏感網絡（TSN）等IP。此外，瑞薩電子正致力于打造包括PIM（內存處理）的系統IP，該技術首次在2019年6月的會議論文中提出，作為AI（人工智能）加速器引起廣泛關注。利用這些IP，客戶可迅速啟動其先進的半導體器件開發項目，例如為領先的5G網絡開發下一代AI芯
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IP SRAM
作者：王鑫，王烈洋，占連樣，陳像，張水蘋，湯凡，黃小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發的一種高速、大容量的靜態隨機器(SRAM)用其對大
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SRAM 測試
網絡路由器帶有用于性能監控、流量管理、網絡追蹤和網絡安全的統計計數器。計數器用來記錄數據包到達和離開的次數以及特定事件的次數，比如當網絡出現
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SRAM 網絡
MRAM新創公司STT開發出一種存儲器專有技術，據稱可在增加數據保持的同時降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發出MRAM專用技術，據稱能以同步提高數據保持(retention)與降低電流
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MRAM SRAM
RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。
按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態隨機存
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SRAM DRAM
隨著超大規模集成電路工藝的發展，人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統)。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關內容吧。 近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中，首次揭露臺積電研發多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進行風險性試產。預計試產主要采用2
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存儲器 SRAM
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [
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