5月29日消息，美國研究機構iSuppli表示，到2008年3月以前，全球DRAM銷售將減緩，出貨增長將壓低價格。
iSuppli今天在韓國首爾的科技會議上發表聲明指出，全球DRAM到明年3月以前將持續減緩。
iSuppli指出，2010年全球DRAM銷售將由去年的339億美元增至457億美元。
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Dallas Semiconductor推出新型存儲器件DS28DG02，具有空前的混合信號和非易失存儲功能集成度。
DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通常可節省20%的PCB空間和30%的成本。由于采用更少的元件，使得終端設備的制造廠商可以減少材料清單數，從而降低了生產成本，并提高了設備的可靠性。通過簡化硬件的復雜度，并采用單個器件實現軟件通信，使產品設計人員的設計周期得到了縮短。該新型存儲器件具有空前大的陣列容量，能夠用于多種應用，包括通信、醫療、消費品和工業終端設備。
與傳
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富士通在2007年5月16日開幕的“第10屆嵌入系統開發技術展（ESEC）”上，參考展出了配備強電介質內置內存（FeRAM，鐵電內存）的通用8bit微控制器。評測用芯片“MB95RV100”近日即可供應，計劃2008年前后量產供貨。CPU內核采用“F2MC-8FX”，工作頻率為10MHz。首先面向密鑰數據的保存用途投放市場。 配備FeRAM的微控制器最初只應用于數據保存區域（原有微控制的RAM部分）。程序保存區域預定以掩膜ROM的形式提供。產品系列計劃對于數據保存用途推出FeRAM分
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在5月18-25日，DRAM內存價格終于出現了反彈，業界分析家對該現象是標志著大范圍的調整開始還是僅僅是一個短期現象持有不同意見。 據DRAMeXchange的數據顯示，從5月18日開始，包括eTT在內各種頻率型號的512MB DDR2內存現貨價格據呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內存升幅最大，達到16%。 一些業內人士擔心DRAM現貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調整。來自DRAM內存廠商的消息稱現還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內存模組廠的消息稱，由于DRAM廠商
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在5月18-25日，DRAM內存價格終于出現了反彈，業界分析家對該現象是標志著大范圍的調整開始還是僅僅是一個短期現象持有不同意見。
據DRAMeXchange的數據顯示，從5月18日開始，包括eTT在內各種頻率型號的512MB DDR2內存現貨價格據呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內存升幅最大，達到16%。
一些業內人士擔心DRAM現貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調整。來自DRAM內存廠商的消息稱現還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內存模組廠的消息稱，由于DRA
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Flash based FPGA, ASIC, SRAM-based FPGA, which one do you choose ? 近年來，FPGA器件的應用領域在不斷擴大。由于這種極其靈活的器件提供的通用平臺能夠針對特定的應用進行快速編程，并且可以在設計迭代中進行重復編程，因此它們迅速成為電子系統設計領域的中流砥柱。 ---但是，FPGA在量產類產品中仍未得到廣泛應用。當工程師們準
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內存顆粒在最近一兩天終于價格開始反彈，DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元，而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。 內存業者表示，DRAM制造廠不再殺低出貨，再加上部份模組廠開始趁低收貨，是帶動近日DRAM現貨價跌深反彈的主因。只是目前終端市場需求依然疲軟，因此DRAM價格是否就此落底，仍待進一步觀察。 創見上海代表處的總經理顏明吉表示，此前內存之所以狂跌，戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。 去年年末Vi
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近來對于所有DRAM廠來說都面臨慘不忍睹的情況，原因在于DRAM售價重挫，幾乎已到了寧可關廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計劃，部分DRAM廠已正式啟動產能調配計劃，希望通過這樣動作來減少虧損，也因為DRAM廠已開始減產，DRAM廠認為第三季度應該可以見到減產后對于整體DRAM供需平穩成效。 過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現暴跌，雖說目前價格略微回穩，不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴重虧損壓力，DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術時所需的變動成本，
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“憑良心來講，現在內存的品質整體來說真的很差。”某品牌內存的一位高管向PConline產業資訊這樣透露。
根據相關人士透露，內存晶元的測試，是晶元廠要另外要付費給專門的測試廠商。按照業界的概況，DDR2的顆粒一般好一點的原廠要測試800秒，普通的廠商是測試400秒。一般來說，原廠的品牌顆粒不太敢完全不測試，多少會測一下。但是現在測試時間變成了200秒或者100秒，甚至有些廠商只測50秒。
一般來說，如果經過800秒完全測試，內存顆粒的不良率可以低于500PPM(注1)，非常的低。當測試時間從800秒
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NEC電子近日開發出了用于內置硬盤(HDD)的機頂盒（STB）的系統芯片—“EMMA2SE（μPD61140）”，并將于即日起開始發售樣品。此外，NEC電子還將于今年6月起，推出在EMMA2SE的基礎上內置了防非法使用功能的“EMMA2SE/P（μPD61142）”的樣品。
這兩款新產品均為將接收、存儲、播放數字廣播所必需的功能集成到了1顆芯片上的圖像處理用系統芯片。新產品的主要特征包括：CPU的處理性能提高到了284MIPS，約為NEC電子以往產品的1.4倍；可外接容量達1G的外部存儲器；內置USB功
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8位微控制器的世界領導廠商意法半導體進一步完善了公司專門為簡單的低成本應用設計的ST7UltraLite系列8引腳微控制器產品陣容，新的ST7FLITEU0系列產品在現有產品的豐富外設基礎上擴大了存儲容量和有用的系統功能。采用8引腳的SO、DIP和0.9mm厚的DFN封裝，工作溫度高達125℃，新系列產品是HVAC(暖風、通風和空調)、家電、照明控制和電動工具市場的最佳選擇。 由于內置的2KB閃存程序存儲器的容量是以前產品的二倍，同時還內置一個128字節的數據EEPROM，新產品雖然
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據業界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內存廠商提高了DRAM的產量，因此DRAM內存價格近期出現大幅下跌。
據悉，這三家廠商紛紛調整調整產能，將之前生產其它類型產品的生產線全部轉而生產DRAM內存。據預測，07年第二季度受上述三家廠商產能調節影響，全球DRAM內存產量將增長20-30%。
美光科技由于預測07年受手機市場帶動，CIS（C
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NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
相“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對于NOR技術的優越之處，因
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5月16日，據香港媒體報道，海力士半導體高層主管今日表示，公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期，但是有望在7月或者8月開始得到好轉。
海力士策略規劃資深副總裁O.C. Kwon對媒體表示，目前，移動存儲設備的價格尚沒有止跌，但是希望下半年通過供需的改善，需求應該會快速成長。
2006年，由于電腦存儲芯片需求超過預期，導致制造商將更多的產能投入其中，最后導致供過于求。除了供需失衡影響外，微軟的Vista系統的相關新需求也令這些廠商們失望。
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隨著各大半導體巨頭陸續公布2006年(日歷年)第四季度和全年財報，過去一年中半導體產業的一些脈絡也逐漸清晰起來。半導體市場規模在2006年創出新高之后，2007年有望繼續保持接近兩位數的增長，半導體產業的周期性明顯減弱。得益于存儲器市場的快速增長，海力士、奇夢達、Elpida、三星等公司的收入都有所增長，然而，DRAM市場與NAND、NOR閃存市場的冰火兩重天導致并非所有的存儲器廠家都笑逐顏開。雖然2006年半導體封裝測試業的收入大幅增長，但是芯片廠商尤其是模擬芯片廠商的利潤率還是在半導體行業中居于領先地
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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