4月11日消息，據臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數據，4月上旬DRAM內存價格繼續下滑，而且已經降到了多數制造商的生產成本以下。
據IDG新聞社報道，運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7%，每芯片價格已經降至2.50美元。
大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來
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TrueStore PA7800的運行速度可達2.5Gb/s，同時在寫入模式下比上一代芯片可節省30％的電流。PA7800的數據率更強，數據容量更高，且兼容新一代TMR讀取頭，并降低了功耗，從而實現了更高的處理能力。
PA7800具備業內領先性能的關鍵在于該芯片的寫入器上升時間。它能測量前置放大器將電流轉換到讀取HHD盤或存儲媒介數據的寫入器讀取頭的速度。PA7800寫入器的上升時間比杰爾的前一代前置放大器產品提高了將近30％。
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摘要： 本文介紹了一種基于FPGA的采樣速度60Mbit/s的雙通道簡易數字示波器設計，能夠實現量程和采樣頻率的自動調整、數據緩存、顯示以及與計算機之間的數據傳輸。關鍵詞：數據采集；數字示波器；FPGA
引言
傳統的示波器雖然功能齊全，但是體積大、重量重、成本高、等一系列問題使應用受到了限制。有鑒于此，便攜式數字存儲采集器就應運而生，它采用了LCD顯示、高速A/D采集與轉換、ASIC芯片等新技術，具有很強的實用性和巨大的市場潛力，也代表了當代電子測量儀器的一種發展趨勢，即向功能多、體積小、重量輕、
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存儲器在半導體行業就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。
易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包
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非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation日前發布其亞太區的半導體業務擴展戰略以及持續發展的最新部署，同時推出首款4Mb非易失性FRAM 存儲器FM22L16，成為推動該公司在區內繼續增長的主要元素。
FRAM 技術的核心是將微小的鐵電晶體集成進電容內，使到FRAM產品能夠象快速的非易失性RAM那樣工作。通過施加電場，鐵電晶體的電極化在兩個穩定狀態之間變換。內部電路將這種電極化的方向感知為高或低的邏輯狀態。每
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29年前,美國愛達荷州,三個年輕人在一間牙醫診所的倉庫里,無意中開始了一個名叫DRAM的芯片設計生意。發展到今天,便是年銷售額高達52.6億美金的半導體企業——美光公司。 3月21日,美光正式啟動了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術開發區的封裝測試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項目啟動典禮間隙,接受了本報記者專訪。這位年輕的CEO是個典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機,喜歡在空中做俯沖動作。
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德州儀器公司和Ramtron InternaTIonal Corporation 宣布：在 FRAM 技術發展中的創新里程碑，針對 FRAM 存儲器達成了商用制造協議。該協議許可 Ramtron 的 FRAM 存儲器產品在 TI 先進的 130 納米 (nm) FRAM 制造工藝中生產包括 Ramtron
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Ramtron International Corporation宣布推出半導體業界首個4兆位 (Mb) FRAM存儲器，這是目前最高容量的FRAM產品，其容量是原有最大FRAM存儲器容量的四倍。FM22L16是采用44腳薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數和低功耗等特點。FM22L16與異步靜態 RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業控
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內存生產商奇夢達和美光先于三星電子，推出了DDR3 DRAM內存的樣品。該公司的營銷副總裁簡尼-馬凱（Jenn Markey）稱，長期以來市場一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會顯著增加的DDR3的出現，只是奇怪美光和奇夢達能在DRAM市場傳統領先者三星之前推出。 DDR3的數據傳輸速率可達到1600Mb/s（1600兆位/秒），電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特，這可降低能耗和延長移動設備的電池壽命。美光內存部門高級營銷主管比
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惠瑞捷半導體科技宣布將可編程接口矩陣應用于Verigy V5000e 工程工作站，以幫助存儲器制造商在應用V5000e進行工程，測試開發和調試時獲得并行測試能力。憑借該矩陣，V5000e 可以并行測試12顆芯片（DUT），減少產線上的操作人員的時間，同時大幅度提高了總產能。此矩陣還將V5000e的引腳數量從128提高到768個測試器資源引腳，從而能夠測量具有更高引腳數量的多種類型存儲器芯片，包括NOR、NAND、DRAM、SRAM以及 MCP。 由于產品壽命
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2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠，它將主要負責生產DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內的半導體產品的封裝測試。 為此，美光公司舉行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業代表。這家工廠預計將于2008年底全部建成，總投資將達到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠，其第一家封裝測試工廠于1998年在新
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1 概述
行駛記錄儀的主要數據包括事故疑點和行駛狀態數據。其中，事故疑點數據是記錄儀以不大于0．2s的時間間隔持續記錄并存儲停車前20 s實時時間所對應的車輛行駛速度及車輛制動狀態信號，記錄次數至少為1O次：行駛狀態數據是無論車輛在行駛狀態還是停止狀態，記錄儀提供的與實時時間對應的車輛行駛速度信息。記錄儀應能以不大于1 min的時間間隔持續記錄并存儲車輛在最近360 h內的行駛狀態數據，該行駛狀態數據主要是車輛在行駛過程中與實時時間相對應的每分鐘間隔內的平均行駛速度值[1]。
該記錄儀需要采用大容量
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瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產業有限公司宣布，共同開發出一種新技術，可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM（靜態隨機存取存儲器）穩定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經測試證實，采用該技術的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩定工作，而且在工藝發生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元
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Ramtron和其亞洲區總代理北天星將于4月份聯手在國內5個城市（北京4/4，上海4/10，深圳4/12，西安4/24，成都4/26）舉辦非易失性鐵電存儲器（FRAM）和MCU全國巡回研討會．此次研討會將深入討論非易失性鐵電存儲器（FRAM）和MCU的產品和技術，并詳細介紹和探討其在中國各領域，包括軍工, 航天，數據采集, 計量, 汽車電子,汽車能源, 安全系統, 工業控制, 通訊, 金融電子, 醫療機械等行業的應用。
非易失性鐵電存儲器（FRAM）是一種擁有與RAM一致的性能,但又有與ROM
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國外媒體報道，根據市場調研公司iSuppli公布的數據顯示，2006年全球硬盤總出貨量達到4.342億塊，較2005年的3.758億塊增長了15.5％。希捷、西部數據、日立仍然占據前三。 2006年全球硬盤市場并不是一帆風順，希捷并購邁拓曾引發市場激烈的價格戰；諸多MP3廠商放棄微硬盤轉投閃存市場，導致了一英寸硬盤市場需求低迷；另外整個業界對混合硬盤的興趣越發濃厚，也大大影響了傳統硬盤市場。可是硬盤制造商們也付出了艱苦的努力，成功克服價格戰、原材料供應緊張以及競爭劇變等不利因素影響，在如此挑戰下仍
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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