存儲技術(shù)創(chuàng)新 文章 最新資訊
2025年MRAM全球創(chuàng)新論壇將展示MRAM技術(shù)創(chuàng)新、進展及行業(yè)專家的研究成果
- MRAM全球創(chuàng)新論壇是行業(yè)內(nèi)磁阻隨機存取存儲器（MRAM）技術(shù)的頂級平臺，匯聚了來自業(yè)界和學(xué)術(shù)界的頂尖磁學(xué)專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會議將于2025年12月11日IEEE國際電子器件會議（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6點在舊金山聯(lián)合廣場希爾頓酒店帝國宴會廳A/B舉行。2025年MRAM技術(shù)項目包括12場由全球頂尖MRAM專家邀請的演講，以及一個晚間小組討論。這些項目將聚焦于技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)、工具開發(fā)及其他探索性話題。MRAM技術(shù)是一種非
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存儲技術(shù)創(chuàng)新介紹
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