MRAM全球創(chuàng)新論壇是行業(yè)內(nèi)磁阻隨機(jī)存取存儲器（MRAM）技術(shù)的頂級平臺，匯聚了來自業(yè)界和學(xué)術(shù)界的頂尖磁學(xué)專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進(jìn)展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會議將于2025年12月11日IEEE國際電子器件會議（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6點(diǎn)在舊金山聯(lián)合廣場希爾頓酒店帝國宴會廳A/B舉行。

2025年MRAM技術(shù)項(xiàng)目包括12場由全球頂尖MRAM專家邀請的演講，以及一個晚間小組討論。這些項(xiàng)目將聚焦于技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)、工具開發(fā)及其他探索性話題。

MRAM技術(shù)是一種非易失性存儲器，以其高速、耐久性、可擴(kuò)展性、低功耗和輻射抗性著稱。MRAM設(shè)備中的數(shù)據(jù)通過磁性存儲元件而非電荷存儲，這與傳統(tǒng)存儲技術(shù)不同。MRAM技術(shù)越來越多地應(yīng)用于嵌入式存儲器，如汽車微控制器、邊緣人工智能設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、傳感器、航空航天以及可穿戴設(shè)備。

MRAM論壇聯(lián)合主席（自2021年起）兼SPINTEC高級研究工程師Kevin Garello表示：“STT-MRAM市場目前正在快速增長，尤其是嵌入式STT-MRAM在下一代汽車微控制器單元中的應(yīng)用。”“我預(yù)計(jì)邊緣人工智能應(yīng)用將成為STT-MRAM的下一個重要市場。”

“我很高興看到多年來MRAM論壇系列已成為MRAM工業(yè)生態(tài)系統(tǒng)中的一個里程碑式活動，”前MRAM論壇聯(lián)合主席（2017–2023）及SPINTEC研究總監(jiān)伯納德·迪尼表示。“我們正見證該技術(shù)在微電子行業(yè)的穩(wěn)步增長，最初對這項(xiàng)新技術(shù)的擔(dān)憂也在穩(wěn)步消退。”