- 1 前言 本文試圖綜述自二十世紀九十年代以來迅速發展的新型微電子封裝技術，包括焊球陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、圓片級封裝(WLP)、三維封裝(3D)和系統封裝(SIP)等項技術。介紹它們的發展狀況和技術特點
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微電子 封裝技術
- 瑞薩電子2010年10月19日宣布，該公司面向微控制器產品開發出了尺寸可削減至裸片大小的封裝技術“FO-WLP(Fan-Out Wafer-Level Package)”。采用FO-WLP的微控制器預定2011年底開始樣品供貨。據瑞薩介紹，利用該技術，可將裸片尺寸為1.6mm×1.6mm的 8bit微控制器的封裝體積由原來的3mm×3mm×0.7mm削減80%至2mm×2mm×0.3mm。
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瑞薩 微控制器 封裝技術
- CPU芯片的封裝技術：
DIP封裝
DIP封裝（Dual In-line Package），也叫雙列直插式封裝技術，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100。
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CPU 芯片 封裝技術
- 為了避免過于理論化，我們從一個實驗入手看看功耗與溫度之間是如何相互關聯的。在14引腳的雙列直插式封裝外殼里裝入一個1歐電阻，電阻的兩端連接到引腳7和14，另外還要將一個溫度傳感器連接到引腳1和2，以便我們能了
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熱傳導 封裝技術
- 近日，日月光研發中心的首席運行官何明東在接受媒體采訪時表示，隨著許多新的封裝技術導入以滿足市場需要，日月光（ASE）相信全球IC封裝測試業的新時代已經到來，各種IC封裝型式的呈現將更加促使產業間加強合作。
隨著摩爾定律緩慢地于2014年向16納米工藝過渡，與之前5至10年相比較，由于終端電子產品市場的需求，IC封裝的型式急劇增加，在過去的5年中己有4至5倍數量的增加，相信未來的5年將繼續增長達10倍。隨著IC封裝業的新時代到來肯定會給工業帶來巨大的商機。
2000年ASE認為倒裝技術（fl
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IC 封測 倒裝芯片 封裝技術 ASE
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區的半導體供應商達成協議，授權他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術。 DirectFET MOSFET封裝技術基于突破性的雙面冷卻技術，在2002年推出后迅速成為了先進計算、消費及通信應用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長速度最快的產品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
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DirectFET IR 電源技術 封裝技術 模擬技術 封裝
封裝技術介紹
所謂“封裝技術”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術。以CPU為例，我們實際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內核的大小和面貌，而是CPU內核等元件經過封裝后的產品。
封裝對于芯片來說是必須的，也是至關重要的。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。由于封裝技術的好壞還直接影響到芯片自身性能的發揮 [
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