IR近日與兩家總部分別位于不同地區的半導體供應商達成協議，授權他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術。

　　DirectFET MOSFET封裝技術基于突破性的雙面冷卻技術，在2002年推出后迅速成為了先進計算、消費及通信應用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長速度最快的產品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，IR 預期隨著有關授權協議的達成，這項封裝技術將成為多元化應用的行業標準。

　　IR 公司的首席執行官 Alex Lidow 先生表示：“我們不斷開發節省能源的技術。IR 的 DirectFET 封裝技術有助于降低能量損失并減少設計的占板面積，還能夠推動計算技術的發展。”他補充道：“通過這些授權協議，我們將可以擴大 IR DirectFET 創新封裝技術在節能方面的影響力。”