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市場。網絡 文章 最新資訊

香港在全球半導體行業取得突破,設立下一代氮化鎵晶圓生產線

  • 香港正在設立其首條氮化鎵(GaN)晶圓生產線,這是一種新一代半導體材料,旨在在美中技術競爭加劇的背景下,幫助香港在全球芯片行業占據一席之地。今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學園(HKSTP)合作,建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗生產線,目標是到2027年實現年產1萬片的生產能力,MassPhoton創始人兼首席執行官廖義森在周二的媒體簡報會上表示。該公司專注于制造紫外線-C消毒產品,將在香港新晶圓生產線投資2億港元(2560萬美元),并在科學園內建立GaN技術的研發中心,HK
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新加坡淡馬錫將在美國AI、半導體和數據中心投資300億美元

  • 新加坡國有投資公司淡馬錫控股將大幅增加其在美國的投資,承諾在未來五年內投資300億美元。該公司的戰略將優先考慮與AI相關的公司、半導體制造商和基礎設施企業,包括數據中心及其支持技術。隨著地緣政治緊張局勢升級,淡馬錫對在中國投資越來越謹慎,這一戰略轉變正在發生。今年,美國已超過中國成為淡馬錫資本的最大接受者,占其投資組合的22%。淡馬錫北美負責人簡·阿瑟頓(Jane Atherton)強調了公司對推動技術進步和經濟增長的領域的關注。她表示,美國在AI發展方面處于領先地位,他們在這一領域看到了巨大的潛力。此外
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莫迪150億美元的芯片賭注能否將印度變成半導體強國?

  • 印度總理納倫德拉·莫迪正在“全力以赴”,努力將印度轉變為全球芯片競賽中的競爭者,但專家警告說,印度在建立自給自足的半導體生態系統之前還有很長的路要走。莫迪政府在2月份批準了價值150億美元的國內半導體制造廠投資,包括印度本地財團塔塔集團(Tata Group)提出的建設該國首個主要芯片制造廠的提案。該工廠將設在莫迪的家鄉古吉拉特邦,預計到2026年底每月生產5萬片晶圓。這項投資還包括與日本、臺灣和泰國公司合作開發的組裝單元和包裝廠。塔塔集團表示,其目標是到2030年推動印度半導體產業達到1100億美元,占
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美國的半導體賭博:對逐漸消逝的主導地位的絕望抓取

  • 美國在技術領域的影響力逐漸減弱,為了維持對中國的技術優勢,不得不采取越來越絕望的措施。拜登政府最近推動的嚴格的半導體出口管制不僅揭示了以往政策的失敗,也有可能疏遠重要盟友,進而瓦解西方技術霸權的結構。華盛頓最近試圖通過更嚴格的出口管制來加強對全球半導體貿易的控制,這表明其過去的戰略已告失敗。政府現在正在利用外國直接產品規則(FDPR)作為嚴厲威脅,試圖通過脅迫讓不情愿的盟友屈服。這一極端措施允許美國對使用了哪怕是最少量美國技術的外國制造產品實施管制,旨在迫使像日本的東京電子有限公司和荷蘭的ASML控股公司
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YMTC芯片制造商的首席執行官表示,中國將在3到5年內迎來“爆炸性”半導體增長

  • 一位中國半導體行業高管預測,在封裝應用和技術方面的優勢支持下,中國將在未來三到五年內迎來“爆炸性增長”,為國家克服美國技術限制開辟道路。據中國國家電視臺報道,中國半導體行業協會(CSIA)會長、中國最大的存儲芯片制造商長江存儲技術有限公司(YMTC)負責人陳南翔表示,國家正在探索一種新的市場導向型行業模式,放棄依賴大學和研究機構的舊模式。陳南翔在接受中國中央電視臺英語頻道CGTN采訪時表示:“[今天的重點]是產業、產品、服務和商業模式的創新,這些最終必須帶來價值。” 他在接受CGTN采訪時說,“中國的芯片
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Onsemi推出新一代碳化硅半導體

  • 美國半導體制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技術平臺,用于電動汽車和其他應用。與前幾代相比,該平臺可減少30%的導通損耗和高達50%的關斷損耗。據Onsemi稱,所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業界最低的特定導通電阻,并具有短路能力,這對牽引逆變器市場至關重要。在電動汽車中,逆變器將電池的直流電轉換為電動機所需的交流電。轉換損耗和冷卻需求越低,車輛在相同電池容量下的續航里程就越大。具體示例:封裝在Onsemi的功率模塊中,“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術提供了
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歐盟和韓國合作推進半導體技術

  • 歐盟與韓國簽署協議,合作開發半導體技術。這一合作將作為歐盟和韓國數字伙伴關系的成果,共同資助四個半導體項目。根據歐盟和韓國數字伙伴關系的安排,這些項目將共同籌集1200萬歐元資金。其中一半來自歐盟的“Horizon Europe”計劃下的芯片聯合企業,另一半來自韓國國家研究基金會(NRF)。所選項目包括:ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項目將持續三年,旨在推進異構集成技術(將多個組件集成到一個半導體中)以及優化仿生神經技術(模仿人腦功能)。加強歐盟與韓國的合作將結合歐洲和韓國研究與創
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美國計劃對中國半導體產業實施“嚴厲”制裁:報告

  • 美國政府正在考慮對中國獲取先進芯片制造工具的限制措施,這些措施甚至被一些美國盟友稱為“嚴厲”。主要提案包括應用外國直接產品(FDP)規則,施壓盟友限制在中國的設備服務和維修,以及擴大需要許可證的未核實清單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產業的進步。一個關鍵提案是應用FDP規則,這將允許美國對包含任何美國技術的外國生產的物品施加控制。根據彭博社的報道,這將特別影響像東京電子和阿斯麥(ASML)這樣的公司,限制它們向中國提供先進的晶圓制造設備(WFE)。這一措施被美國盟友視為“嚴厲”,但反映了美國政府限制中
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DARPA投資8400萬美元用于3D軍用芯片組

  • 五角大樓的高級研究項目局(DARPA)撥款8.4億美元,用于開發美國軍方的下一代半導體微系統。這筆資金的受益者是德州電子研究所(TIE),該機構成立于2021年,位于德克薩斯大學奧斯汀分校,并作為一個由德州州政府和地方政府、芯片公司和學術機構組成的聯盟運營。TIE的研究重點是異構集成技術,通常稱為芯片組——將單獨的硅片封裝在一起形成完整的芯片。AMD等公司的處理器就廣泛使用這種方法:現代的AMD Ryzen或Epyc處理器包括多個硅片,每個硅片包含CPU核心和IO電路。由于TIE在這一領域的半導體研發經驗
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美國:非法芯片流向俄羅斯減少,但中國和香港仍是轉運中心

  • 通過香港向俄羅斯運輸的高優先級物品(CHPL)減少了28%(2024年1月至5月)——美國商務部提供給路透社的數據 2023年通過香港/中國運輸的Nvidia產品達1760萬美元——C4ADS數據 香港是全球規避制裁的“領先”中心——新CFHK報告 高端芯片通過香港從Nvidia和Vectrawave運出 香港政府表示不會執行單邊美國制裁
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美國將向臺灣環球晶圓公司提供高達4億美元資金以提升美國半導體晶圓生產

  • 華盛頓,7月17日——美國商務部周三表示,計劃向臺灣環球晶圓(6488.TWO)提供高達4億美元的政府補助金,以顯著增加硅晶圓的生產。 商務部表示,德克薩斯州和密蘇里州的項目資金將建立美國首個用于先進半導體的300毫米晶圓生產,并擴大絕緣體上硅(SOI)晶圓的生產。 這些晶圓是先進半導體的重要組成部分,是拜登政府推動芯片供應鏈努力的一部分。 計劃中的補貼將支持環球晶圓在兩州計劃的40億美元投資,以建設新的晶圓制造設施,并創造1700個建筑工作崗位和880個制造工作崗位。 商務部長吉娜·雷蒙多表示:
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為何非洲可能成為芯片業務的下一個半導體生態系統

  • 美國貿易與發展署與肯尼亞的合作關系標志著將非洲融入全球半導體供應鏈的重大舉措,這表明該大陸在這一高科技產業中的崛起。 肯尼亞、尼日利亞、盧旺達和加納等非洲國家提供了豐富的半導體生產所需的關鍵礦物,以及年輕、精通技術的人口,準備推動創新和技術進步。 投資非洲的半導體產業不僅可以降低供應鏈風險和成本,還可以促進可持續的經濟發展、創造就業機會和技術進步,惠及非洲經濟及其西方合作伙伴。 美國貿易與發展署與肯尼亞合作提升東非國家半導體制造業的最近公告,是將非洲大陸納入全球半導體供應鏈的重要一步。這一發展標志著
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美國計劃對中國半導體產業實施“嚴厲”制裁

  • 據報道,美國政府正在考慮對中國獲取先進芯片制造工具實施更嚴厲的限制措施,甚至有一些美國盟友稱這些措施為“嚴厲”。主要提議包括應用外國直接產品(FDP)規則,施壓盟友限制在中國的設備服務和維修,以及擴大需要許可證的未驗證名單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產業的進步。其中一個關鍵提議是應用FDP規則,這將允許美國對包含任何美國技術的外國生產項目進行控制。根據彭博社的報道,這將特別影響東京電子和阿斯麥等公司,限制它們向中國提供先進的晶圓制造設備(WFE)。盡管這一措施被美國盟友視為“嚴厲”,但它反映了政府限
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印度政府今年不太可能啟動第二輪半導體補貼計劃

  • 盡管已開始向美光公司2.75億美元的芯片工廠發放補貼資金,但電子與信息技術部(MeitY)希望在其他項目的撥款開始之前,暫緩申請下一輪芯片計劃的資金。印度政府表示,迄今批準的四個項目將從7600億盧比(約100億美元)的半導體計劃中耗資約5900億盧比。 在過去一年中,7600億盧比(100億美元)半導體補貼計劃中約78%的資金已承諾給四個項目。根據消息來源,印度政府今年不太可能宣布后續的補貼方案。電子與信息技術部(MeitY)將在首次計劃的資金撥付大部分完成后,再申請第二輪計劃的資金。信息技術部長阿什
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美國計劃提供高達16億美元的資金用于包裝計算機芯片

  • 2024年7月9日,周二,拜登政府表示,將撥款高達16億美元用于開發包裝計算機芯片的新技術,這是美國在創造人工智能等應用所需組件方面領先于中國的主要推動力。這筆擬議的資金是根據2022年立法通過的“芯片法案”授權的一部分,將幫助公司在封裝技術領域創新,例如創建更快的數據傳輸方法和管理芯片產生的熱量,美國商務部副部長兼國家標準與技術研究院院長Laurie Locascio表示。她在舊金山的一次年度行業會議上宣布了這一消息,標志著公司開始申請研發項目資助的起點,預計每個項目的獎勵金額高達1.5億美元。“我們在
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