- 幾十年來，半導體的進展以納米級不斷減少為單位來衡量。但隨著晶體管擴展放緩，瓶頸已從器件轉向互連，先進封裝成為新的前沿。帶TSV的硅中介體實現了密集的2.5D集成，縮短了信號路徑，并支持遠超基板和線鍵所能提供的帶寬。這一發展的下一波趨勢反直覺：更大的TSVs——寬達50μm、深300μm——刻蝕在更厚的中介體中，帶來更好的電氣性能、穩健的功率輸出、更好的熱處理能力和更高的制造良率。從線鍵到中介體半導體互連技術的發展始于引線鍵合，這一技術曾是 20 世紀的標準互連方案。隨后倒裝芯片封裝技術應運而生，進一步縮小
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半導體 中介體 擴展硅通孔
擴展硅通孔介紹
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