拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 文章 最新資訊
第三代半導體洗牌GaN躍居主角
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
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拓墣產(chǎn)業(yè)研究院介紹
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