晶圓連接 文章 最新資訊
實現(xiàn)高密度正面和背面晶圓連接的途徑
- 晶圓到晶圓混合鍵合和背面技術的進步將CMOS 2.0從概念變?yōu)楝F(xiàn)實，為計算系統(tǒng)擴展提供了更多選擇。在VLSI 2025 上，imec 研究人員展示了將晶圓間混合鍵合路線圖擴展到250 nm 互連間距的可行性。他們還通過制造120 nm 間距的極小的貫穿介電通孔，在晶圓背面顯示出高度致密的連接。在晶圓兩側建立如此高密度連接的能力為開發(fā)基于CMOS 2.0 的計算系統(tǒng)架構提供了一個里程碑，該架構依賴于片上系統(tǒng)內(nèi)功能層的堆疊。基于CMOS 2.0 的系統(tǒng)還將利用包括供電網(wǎng)絡（BSPDN）在內(nèi)的后端互連，其優(yōu)勢可
- 關鍵字： 202510 晶圓連接 VLSI 2025 imec
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晶圓連接介紹
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