- 在美國的限制下，中國推進半導體設備自給自足，紫外真空是相較于ASML光刻技術的關鍵瓶頸。ASML的極紫外光刻（EUV）技術被廣泛認為是現代工業的皇冠明珠。中國試圖通過投入資源實現類似“曼哈頓計劃”的努力，但真正的障礙不僅僅在于設備復制，更在于全球供應鏈以及ASML三十多年來構建的高量制造（HVM）數據反饋循環。為什么中國的逆向工程在面對EUV時失敗？答案可能在于曝光波長的演變。在半導體制造中，光刻機作為光刻工藝的核心設備。它通過圖案化的光掩膜和光刻膠將預設計的電路圖案光學轉移到晶圓表面，其精度和通量直接決
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ASML 極紫外驗證 半導體設備
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