- 柵極電荷 （Qg） 表示打開功率半導體器件（例如 MOSFET 和 IGBT）所需的總電荷。開關速度直接受這一重要參數的影響。柵極電荷越低，設備從開到關的速度就越快。本文研究了柵極電荷的物理起源，分解了其關鍵組件，并展示了這些組件如何直接控制電力電子應用中的開關速度。問：什么是柵極電荷，它從何而來？答：為了理解柵極電荷影響開關速度的原因，讓我們檢查一下 MOSFET 的內部結構。如圖1所示，柵極端子通過一層薄薄的絕緣層與通道電氣隔離，形成電容器。這會產生內部電容（Cgs 和 Cgd），在開關期間必須充電和
- 關鍵字：
柵極電荷 開關速度 202511
- 驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術背景，然后詳細講解如何正確理解和應用驅動器的相關功能。MOSFET功率半導體是電壓型驅動，驅動的本質是對柵極端口的電容充電，驅動峰值電流是受功率器件驅動電阻和驅動器內阻影響的，而驅動功率則由柵極電荷、驅動電壓和開關頻率決定。因為柵極電荷也決定這功率器件的開關行為，所以理解柵極電荷對于驅動設計很重要。柵極電荷IGBT
- 關鍵字：
英飛凌 驅動電路設計 柵極電荷
柵極電荷介紹
您好，目前還沒有人創建詞條柵極電荷!
歡迎您創建該詞條，闡述對柵極電荷的理解，并與今后在此搜索柵極電荷的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
