格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務器系統處理器定制的量產14納米高性能(HP)技術。這項雙方共同開發的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力，從而在大數據和認知計算的時代為IBM的云、商業和企業解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產品。 14HP是業內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術。該技術采用了17層金屬層結構，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態隨機存儲器(DRAM)以及其它創新功能，達到比前代
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格芯 FinFET
近日，格芯(Globalfoundries)要求歐盟競爭委員會調查臺積電的反壟斷行為，這個舉動有些奇怪。
這是因為歐盟委員會的禁令只對歐盟地區有效力，而歐盟地區的營收僅占臺積電總營收的7%。
如果歐盟競爭委員會的要求太苛刻，臺積電可能會停止在歐洲的業務，而這對臺積電并不重要。
如果歐盟競爭委員會要求臺積電提供證據，臺積電可能拒絕提供。
如果歐盟競爭委員對臺積電罰款，臺積電也可以拒絕支付罰款。
如果臺積電既拒絕提供證據，又拒絕支付罰款，歐盟委員會能對臺積電做出的唯一制裁
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格芯 臺積電
臺積電在全球的市場占有率排名第一，領先其他對手。根據ICInsights的調查報告，臺積電去年合并營收接近300億美元(294.88億美元)，市場占有率高達59%;排名第二的是格芯(原格羅方德GlobalFoundries)，去年合并營收為55.45億美元，市場占有率僅11%。緊隨其后的是臺灣聯電，去年營收45.82億美元，市場占有率為9%。
臺積電每年都投入上百億美元的資本支出，旨在努力保持領先地位。而在明年上半年，臺積電將率先量產7納米制程。
格芯已經宣布7
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臺積電 格芯
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業界領先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數據的能力，同時能使數據在125°C環境下保留10年以上。
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格芯 FD-SOI
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。 這項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產品競爭。這項技術
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格芯 FinFET
格芯今日宣布推出2.5D封裝解決方案，展示了其針對高性能14納米FinFET FX-14?ASIC集成電路設計系統的功能。 該2.5D ASIC解決方案包括用于突破光刻技術限制的硅基板集成技術和與Rambus公司合作開發的每秒兩太比特(2Tbps)多通道HBM2 PHY。基于14納米FinFET的成功方案，該解決方案將整合到下一代基于格芯7納米 FinFET工藝的FX-7? ASIC設計系統上。 “隨著近年來在互聯和封裝技術的巨大進步，晶片加工和封
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格芯 2.5D
今日，格芯(GLOBALFOUNDRIES，原名格羅方德)與芯原微電子(VeriSilicon)共同宣布，將攜手為下一代低功耗廣域網(LPWA)推出業界首款單芯片物聯網解決方案。雙方計劃采用格芯的22FDX? FD-SOI 技術開發可支持完整蜂巢式調制解調器模塊的單芯片專利，包括集成基帶、電源管理、射頻以及結合窄帶物聯網(NB-IoT)與LTE-M 功能的前端模塊。相較于現有產品，該全新方案可望大幅改善功耗、面積及成本。 隨著智慧城市、家居與工業應用中互聯設備的數量日益
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“這是創新最好的時代，技術巨變顛覆生活方式，人工智能的發展將為晶圓廠帶來發展的黃金機遇。”格芯(GlobalFoundries，原名：格羅方德)CEO桑杰·賈(SanjayJha)在接受第一財經記者專訪時表示。
根據ICInsights的數據，2016年格芯以11%的市場占有率居于全球第二大晶圓代工廠的位置，全年營收55.45億美元。臺積電仍以近300億美元的營收占據龍頭老大地位。
伴隨著數字時代的到來，“信息”成為人類社會發展
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格芯 晶圓
伴隨著數字時代的全面到來，第一代“數字原住民”正式步入職場，他們正以前所未有的技能、需求和價值體系改變著世界，將“信息”的意義提升至推動人類社會發展的新高度。而作為計算機物質基礎的半導體芯片，則無疑是這場運動中的領先者。 “這是一個最好的創新時代，人工智能的發展將為晶圓廠帶來發展的黃金時代”，格芯CEO桑杰·賈(Sanjay Jha)在6月30日的MWC 2017上海“產業創新，勢在人為”的主題演講中如是說。 技術巨變顛覆生活方式，人類進入技術創新的
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格芯 晶圓
格芯今日宣布推出其基于7納米FinFET工藝技術的FX-7TM專用集成電路(ASIC)。FX-7是一個集成式設計平臺，將先進的制造工藝技術與差異化的知識產權和2.5D/3D封裝技術相結合，為數據中心、機器學習、汽車、有線通信和5G無線應用提供業內最完整的解決方案。 基于FX-14的持續成功，憑借業內領先的56G SerDes技術和專用集成電路專長，FX-7提供包括高速SerDes(60G, 112G)在內的全方位定制接口知識產權和差異化存儲解決方案，涵蓋低功耗SRAM、高性能嵌入
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格芯 FX-7
格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現量產。 2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現遠優于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產品相比，預
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5月23日，格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布，在成都市政府的引導和支持下，雙方將協同合作以推動中國半導體產業的創新發展。雙方將合作建立一個世界級的FD-SOI生態系統，其中涵蓋多個成都研發中心及高校合作的研究項目。該項累計投資超過1億美元的計劃期望能吸引到更多頂尖的半導體公司落戶成都，并使成都成為下一代芯片設計的卓越中心，以滿足移動通信、物聯網、汽車及其它高增長市場對高性能芯片的需求。 格芯和成都于近期共同出資建設一家300mm晶圓廠，旨在滿足全球市場對 22FDX?&nbs
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Global Foundries和成都的合作一開始就面臨巨大挑戰，現在發生關鍵變化后，前景如何?芯謀研究認為二者還有更多的事情需要做：首先雙方都需要說服背后的“老板”支持，GF需要說服股東，成都需要進入國家戰略;雙方對彼此定位和實施步驟亦需更加明確。GF眼中的FD-SOI或許是Fully Depend on SOI,但成都眼中的FD-SOI或許是Further-Decision SOI。格芯洗面更要革心;成都需要業界都支持，才能成。
合作的前三個月總是最艱難，婚姻如此，產
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全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產線，GF占51%，并引入中國半導體業非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術。
“格芯”之所以引起業界關注有兩點：
1)與廈門的”聯芯”一樣是合資企業，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式;
2)導入SOI技術，目前計劃是2018年開始成熟制程量產，以及2019年是22納米的FD-SOI技術量產。
為什么SOI技術對于中國是個亮點?
在摩爾
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SOI 格芯
2月10日，“格芯成都十二英寸晶圓制造廠開工典禮”在成都郫縣舉行[1-2]。據格芯(Globalfoundries，原名格羅方德)新加坡運營部高級副總裁兼總經理KC?Ang介紹：芯片廠房將分為一期和二期工程。建成后是8.5萬晶圓/月產能。一期是0.18和0.13微米，產能2萬晶圓/月，從新加坡工廠轉入。預計2019年下半年22nm工藝轉到成都，從德國工廠轉入，2019年生產。 目前，格芯的全球制造格局是：新加坡40nm，德國28nm，美國是14nm，現在美國在研發7nm。Ang強調，0.1
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