- 日本東芝正準備對外轉讓閃存業務資產。據外媒最新消息，東芝已經啟動了正式的收購招標程序，可能對外轉讓全部資產，另外富士康集團有可能和韓國海力士聯手展開收購。
據日經新聞等媒體報道，東芝已經對外啟動了競購招標程序，各家收購方可以提出報價。據稱，如果報價滿意，東芝有可能對外轉讓百分之百的資產，即不再保留任何股權。
六月敲定買家
東芝已經將閃存業務剝離為獨立公司，定名為“東芝存儲公司”。按照最初計劃，東芝只準備引入外部股東，讓其獲得兩成股權。但是隨著東芝對核電資產
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富士康 海力士
- 如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續改進技術，尤其是強化3D堆疊設計。SK海力士就計劃在今年量產72層堆疊閃存。
2015年，SK海力士量產了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。
2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。
2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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海力士 閃存
- 廠商爭相投資，3D NAND Flash前景不妙?據傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應求、呈現供給過剩的狀況。
BusinessKorea 6日報道，NAND需求爆發，據悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月，改在明年三、四月開始生產第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠，屆時三星3D NAND產能將從
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東芝 海力士
- 因宣布入股臺灣多家半導體公司，而鬧得滿城風雨的中國清華紫光集團董事長趙偉國，銷聲匿跡一段時間，現在又重現江湖。
這回，他將掌管整合后的中國記憶體最新國家隊──資本額一八九億人民幣(約八七七億臺幣)、于七月二十六日宣布成立的長江存儲。
經營房地產致富的趙偉國，過去接受記者專訪時，一再強調他一系列遍布美國、臺灣的半導體業投資，純粹出于商業考量，并非中國政府授意。
然而，“長江存儲董事長”這個新身分，代表他已是中國國家半導體政策的主導者之一。
根據報導，湖北省
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三星 海力士
- 市調機構TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange統計數據顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩居全球龍頭，也創下歷史新高。
盡管如此，受DRAM平均報價下滑沖擊，三星當季行動DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。
SK海力士狀況類似，市占率雖然進步0.8個百分點，但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總三星與海力士市占率，從去年第四
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海力士 DRAM
- 工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領域，預期海力士恐將是最大潛在受害者。
聯電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開發動態隨機存取記憶體(DRAM)相關制程技術，引起各界關注。
工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統研究組副組長楊瑞臨認為，為替代進口，中國大陸發展DRAM似乎已勢在必行。
楊瑞臨指出，中國大陸目前至少有 5家廠商規劃投入DRAM發展，除這次委托聯電開發技術的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業，
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DRAM 海力士
- 北京時間13日 韓聯社報道，據美國知名半導體市場調研機構IC Insights13日消息，三星[微博]電子和SK海力士入圍整合元件制造商三甲，而全球十大芯片設計公司(Fabless)中沒有一家韓國企業。 在2015年整合元件制造商銷售排名中，三星電子(416億美元)和SK海力士(169億美元)分列第二和第三，而英特爾(34.27, -0.50, -1.44%)以503億美元穩居榜首。在芯片設計企業方面，高通(47.46, -1.11, -2.28%)-CSR排名第一，安華高-博通(57.34, -0
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三星 海力士
- 北京時間11月27日下午消息，韓國芯片制造商SK海力士發言人今天表示，該公司拒絕了紫光集團的合作要約，但并未提供詳細信息。 最近有媒體報道稱，紫光集團計劃收購海力士最多20%的股權。但該發言人拒絕對此置評。 紫光集團發言人稱，該公司尚未留意相關事項。
SK海力士股價周三和周四累計大漲8.4%，但周五午盤下跌0.6%。
紫光集團今年早些時候斥資230億美元洽購美光集團，同樣遭到拒絕。但知情人士表示，該公司尚未放棄這項交易。
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紫光 海力士
- 動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價持續破底，DDR3 4Gb顆粒現貨均價已跌破2美元大關，達1.96美元，創歷史新低價。
DRAM市場庫存問題依然嚴重，DRAM現貨價如預期持續滑落，據市調機構集邦科技調查，DDR3 4Gb顆粒現貨均價滑落至1.96美元，創下歷史新低價。
第4季來DDR3 4Gb顆粒現貨均價下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。
南亞科預期，DRAM價格可望逐步趨于穩定，第4季產品價格將較第3季微幅下滑。
只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守，表示目前市場已
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DRAM 海力士
- 昨日南韓半導體廠SK 海力士才發布史上最大擴產計畫，隔天三星即宣布新廠下個月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場正式進入新一輪的軍備競賽。
三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產線過去幾個月已進行過試產，年底將全面啟用。
另外，三星目前在平澤市還有一半導體廠正在興建，三星計畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對單一半導體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來十年內將投
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三星 海力士
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴產，長期將再度使得產業陷入供過于求。
外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因為大規模的支出可能導致供給過剩，或引爆價格戰，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業者都將不利。
受市場憂心SK海力士大舉擴產影響，南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
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海力士 DRAM
- 南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業SanDisk不打不相識，海力士周三宣布，與美國同業SanDisk的官司已在庭外達成和解，與此同時，雙方還將擴大專利合作，正式成為伙伴關系。
SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機密泄漏給海力士，但在雙方達成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進一步就專利授權取得新協議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權利金，并供應DRAM予SanDisk，時間將持續至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士 SanDisk
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產階段，預計9月開始對客戶出貨。
快閃記憶體量產在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據日經新聞報導，海力士將優先推出固態硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產品明年才會投產。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營業利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士 NAND
- 過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現晶片至晶片間連接。
圖1：HBM模組橫截面示意圖
(來
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海力士 存儲器
- 過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現晶片至晶片間連接。
圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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海力士 存儲器
海力士 介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產業有限公司的名字創立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業務，同年他們開發出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價格操控與處份
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