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海力士 文章 最新資訊
SK海力士發(fā)布基于HBF的AI芯片架構(gòu)，能效比提升最高達(dá)2.69倍
- SK海力士近日公布了一種以高帶寬閃存（High Bandwidth Flash, HBF）為核心的全新半導(dǎo)體架構(gòu)概念。HBF是一種將多層NAND閃存芯片堆疊而成的存儲(chǔ)技術(shù)。據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞》（Hankyung）報(bào)道，該公司近期在電氣與電子工程師協(xié)會(huì)（IEEE）上發(fā)表論文，首次詳細(xì)闡述了這一名為“H3”的架構(gòu)理念。所謂“H3”，即混合架構(gòu)（Hybrid HBM+HBF Architecture），將高帶寬內(nèi)存（HBM）整合于同一設(shè)計(jì)中。報(bào)道稱，在當(dāng)前主流AI芯片（包括英偉達(dá)計(jì)劃于今年下半年發(fā)布的Rubin平
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存儲(chǔ)芯片廠商2026營(yíng)收預(yù)計(jì)達(dá)5510億美元 為芯片代工商兩倍
- 人工智能競(jìng)賽的最大贏家是誰(shuí)？人工智能超級(jí)周期正在重塑半導(dǎo)體和電子產(chǎn)業(yè)，人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的大規(guī)模建設(shè)讓整個(gè)供應(yīng)鏈承壓。集邦咨詢的預(yù)估數(shù)據(jù)顯示，盡管英偉達(dá)等人工智能加速器研發(fā)企業(yè)正借人工智能熱潮賺得盆滿缽滿，但存儲(chǔ)芯片廠商才是最大的獲利者。究其原因，除大宗商品市場(chǎng)的運(yùn)行規(guī)律外，存儲(chǔ)芯片廠商與芯片代工廠的商業(yè)模式、擴(kuò)張策略存在本質(zhì)差異，是造就這一結(jié)果的關(guān)鍵。需求激增，供應(yīng)告急集邦咨詢預(yù)測(cè)，2026 年全球芯片代工市場(chǎng)營(yíng)收預(yù)計(jì)為 2187 億美元，而 3D NAND 閃存和 DRAM 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的營(yíng)收總額
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三星、SK海力士預(yù)計(jì)2026年上半年NAND閃存毛利率將達(dá)40–50%，創(chuàng)歷史新高
- 隨著存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，三星電子與SK海力士有望實(shí)現(xiàn)NAND閃存業(yè)務(wù)毛利率的歷史新高。據(jù)ZDNet報(bào)道，兩家公司預(yù)計(jì)將在今年上半年繼續(xù)激進(jìn)上調(diào)NAND產(chǎn)品價(jià)格，業(yè)內(nèi)預(yù)估其毛利率將攀升至40%–50% 區(qū)間。ZDNet指出，這將是NAND產(chǎn)品近十年來(lái)首次達(dá)到如此高的盈利水平——上一次類似盛況還要追溯到2017年的存儲(chǔ)“超級(jí)周期”。報(bào)道補(bǔ)充稱，早在2025年第四季度，NAND毛利率已升至約20%。報(bào)道援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，市場(chǎng)普遍預(yù)期NAND價(jià)格將在第一季度和第二季度分階段持續(xù)上漲。由于存儲(chǔ)廠商對(duì)N
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重組Solidigm，SK 海力士計(jì)劃建美國(guó)AI投資平臺(tái)
- SK 海力士正在美國(guó)設(shè)立 AI Co. 以擴(kuò)大其在美業(yè)務(wù)。
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三星、SK海力士和美光據(jù)報(bào)加強(qiáng)訂單審核以遏制囤貨行為，內(nèi)存供應(yīng)緊張持續(xù)
- 內(nèi)存供應(yīng)緊張局面仍在持續(xù)。據(jù)《日經(jīng)亞洲》援引消息人士稱，三大存儲(chǔ)芯片制造商——美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）和三星電子（Samsung Electronics）已加強(qiáng)對(duì)客戶訂單的審查，以防止蓄意囤積庫(kù)存。報(bào)道稱，這三家公司已收緊要求，要求客戶提供終端客戶信息及訂單數(shù)量，以確保需求真實(shí)，避免過(guò)度預(yù)訂或大規(guī)模囤貨進(jìn)一步擾亂市場(chǎng)。在當(dāng)前持續(xù)短缺的背景下，報(bào)告指出，入門級(jí)和中端消費(fèi)電子產(chǎn)品——如電視機(jī)、機(jī)頂盒、家用路由器、低價(jià)平板電腦、智能手機(jī)和PC——預(yù)計(jì)將受到最嚴(yán)重沖擊，而汽車行業(yè)也可能
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消息稱SK海力士已拿下英偉達(dá)三分之二HBM4訂單
- 1 月 28 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，在今年圍繞下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）HBM4 供應(yīng)的競(jìng)爭(zhēng)讓半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)升溫之際，業(yè)內(nèi)消息稱，SK 海力士已拿下最大客戶英偉達(dá)超過(guò)三分之二的訂單量。消息稱英偉達(dá)今年用于下一代 AI 平臺(tái)“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，約三分之二已分配給 SK 海力士，拿下了接近整體 70% 的供貨份額。這一數(shù)據(jù)相比此前市場(chǎng)預(yù)計(jì) SK 海力士將供應(yīng)英偉達(dá) 50% 以上 HBM4 的水平，明顯有所提升。去年年底，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Counterpoint 預(yù)測(cè)，今年全球 HBM
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因涉嫌向中國(guó)泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋
- 據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國(guó)泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬(wàn)億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級(jí)法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個(gè)月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報(bào)道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級(jí)研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請(qǐng)保釋，法院受理。
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SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶協(xié)商價(jià)格調(diào)整，跟隨美光和三星
- 存儲(chǔ)巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場(chǎng)條件調(diào)整價(jià)格。在三大巨頭中，美光是第一個(gè)宣布提價(jià)的，據(jù) EE Times China9 月 12 日?qǐng)?bào)道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價(jià)格將上漲 20%-30%，提價(jià)不僅涉及消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)，還包括汽車電子，后者的價(jià)格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來(lái)源還表
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SK 海力士完成全球首款 HBM4，量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，待英偉達(dá)批準(zhǔn)
- SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開發(fā)，并最終準(zhǔn)備好大規(guī)模生產(chǎn)——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據(jù)其新聞稿，該公司現(xiàn)在已準(zhǔn)備好按照客戶的時(shí)間表交付頂級(jí) HBM4。在其新聞稿中，SK hynix 強(qiáng)調(diào)，其現(xiàn)已成為大規(guī)模生產(chǎn)準(zhǔn)備的 HBM4 提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理速度和能效。通過(guò)采用 2,048 個(gè) I/O 端，帶寬已翻倍——是上一代的兩倍，而能效提高了 40%以上。該公司還預(yù)計(jì) HBM4 將使 AI 服務(wù)性能提高高達(dá) 69%，有助于克服數(shù)據(jù)瓶頸，并顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本，據(jù)
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美國(guó)政府考慮為三星和 SK 海力士向其中國(guó)晶圓廠供應(yīng)設(shè)備發(fā)放年度許可證
- 據(jù)《彭博社》報(bào)道，國(guó)政府似乎正在考慮用年度許可證取代為三星和 SK 海力士的無(wú)限期晶圓廠設(shè)備出口許可的決定。這一決定將增加顯著的監(jiān)管復(fù)雜性，但至少可以維持晶圓廠運(yùn)營(yíng)的連續(xù)性，這意味著不會(huì)擾亂全球 DRAM 和 NAND 存儲(chǔ)器的高波動(dòng)供應(yīng)。以前，三星和 SK 海力士在經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的最終用戶（VEU）狀態(tài)下運(yùn)營(yíng)，這使他們能夠根據(jù)事先遵守美國(guó)安全和監(jiān)控措施，獲得進(jìn)口受限晶圓廠設(shè)備（WFE）到其中國(guó)晶圓廠的全面批準(zhǔn)，這大大簡(jiǎn)化了他們的運(yùn)營(yíng)。這些許可將于今年年底到期。作為 VEU 的替代方案，美國(guó)商務(wù)部最近向韓國(guó)官員
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ASML 和 SK hynix 在韓國(guó)的工廠組裝了業(yè)界首個(gè)“商用”High NA EUV 系統(tǒng)
- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實(shí)現(xiàn) 8 納米分辨率——而當(dāng)前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過(guò)昂貴的多重圖形匹配來(lái)達(dá)到這一效果，但 High-NA EUV 簡(jiǎn)化了光刻步驟，盡管這帶來(lái)了新的技術(shù)挑戰(zhàn)。鑒于 High-NA EUV 機(jī)器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進(jìn)下一
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中國(guó)抨擊美國(guó)撤銷英特爾、三星和海力士的 VEU 授權(quán)
- 周六，中國(guó)商務(wù)部回應(yīng)了美國(guó)撤銷英特爾、三星和海力士在中國(guó)制造業(yè)務(wù)的“驗(yàn)證最終用戶”（VEU）授權(quán)的決定。周五，美國(guó)商務(wù)部宣布將英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司、三星中國(guó)半導(dǎo)體有限公司和SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司從VEU名單中刪除。VEU 授權(quán)允許受美國(guó)限制的出口商將某些高科技民用物品運(yùn)送到預(yù)先批準(zhǔn)的實(shí)體，而無(wú)需為每批貨物單獨(dú)出口許可證。中國(guó)商務(wù)部將美國(guó)此舉描述為“出于美國(guó)的政治動(dòng)機(jī)和自身利益”，并“將出口管制變成政治工具和武器”，以遏制中國(guó)在半導(dǎo)體技術(shù)方面的發(fā)展。該部還表示，美國(guó)。是“故意擾亂和破壞全球
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美國(guó)撤銷對(duì)三星、SK 海力士的中國(guó)芯片制造工具許可證：解碼市場(chǎng)影響
- 三星和 SK 海力士雖然暫時(shí)免于美國(guó)政府入股的風(fēng)險(xiǎn)，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國(guó)芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國(guó)遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報(bào)告表明撤銷將在 120 天后開始。報(bào)道補(bǔ)充說(shuō)，值得注意的是，美國(guó)政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國(guó)現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營(yíng)，但不會(huì)批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級(jí)。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時(shí)候通過(guò)出售其大連工廠
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據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)在 2025 年上半年驅(qū)動(dòng)了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作
- 作為英偉達(dá) HBM3 和 HBM3e 的關(guān)鍵供應(yīng)商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報(bào)告中展示了其強(qiáng)大的行業(yè)地位，突出了與美國(guó)芯片巨頭的緊密合作關(guān)系。據(jù) Yonhap News 報(bào)道，該公司僅從英偉達(dá)處在本年度上半年就據(jù)報(bào)道賺取了約 110 萬(wàn)億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報(bào)道稱，來(lái)自單個(gè)“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達(dá)到了 108.9 萬(wàn)億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬(wàn)億
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海力士 介紹
海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國(guó)的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價(jià)格操控與處份
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