SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開發，并最終準備好大規模生產——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據其新聞稿，該公司現在已準備好按照客戶的時間表交付頂級 HBM4。

在其新聞稿中，SK hynix 強調，其現已成為大規模生產準備的 HBM4 提供了業內領先的數據處理速度和能效。通過采用 2,048 個 I/O 端，帶寬已翻倍——是上一代的兩倍，而能效提高了 40%以上。

該公司還預計 HBM4 將使 AI 服務性能提高高達 69%，有助于克服數據瓶頸，并顯著降低數據中心電力成本，據其新聞稿稱。此外，SK hynix 指出，HBM4 超過了 JEDEC3 標準的 8Gbps 運行速度，達到超過 10Gbps。

據 Newsis 報道，SK hynix 通過將成熟的先進批量回流模塑底部填充（MR-MUF）封裝技術與 10nm 級 1b（第五代）DRAM 相結合，降低了大規模生產的風險。Newsis 指出，該公司還與臺積電合作生產基板芯片。

SK hynix 的 HBM4 即將獲得 NVIDIA Rubin 的批準

朝鮮日報報道，SK hynix 的 HBM4 據稱已進入用于英偉達下一代 AI 加速器的質量測試的最終階段。隨著開發的完成和內部程序的結束，消息人士稱剩余的驗證應該會順利進行。報道補充說，如果 SK hynix 成功通過英偉達的最終 HBM4 測試，該內存將被采用在英偉達即將推出的 AI 芯片“Rubin”中，該芯片計劃明年推出。

韓國 Herald 援引行業消息人士稱，隨著英偉達在 2026 年下半年將 AI 加速器從目前的 Blackwell 系列過渡到 Rubin，其旗艦內存預計也將從 HBM3E 轉向 HBM4。

同時，Newsis 注意到行業關注點已轉向三星電子，該公司仍處于追隨者的位置。早前的朝鮮 Biz 報道表明，該公司據報道落后于競爭對手兩個月，正在努力追趕。