據 TechNews 報道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲技術“UltraRAM”，結合了 DRAM 和 NAND 的優勢，在商業化方面取得了顯著進展。英國半導體初創公司 Quinas Technology，UltraRAM 的開發者，與 IQE 合作，將其制造推進到工業規模。

UltraRAM 被認為是一種融合了 DRAM 和 NAND 優勢的新型存儲器。據 Tom’s Hardware 報道，它提供類似 DRAM 的高速性能，比 NAND 耐用 4,000 倍，超低能耗，以及長達 1,000 年的數據保持能力。據報道，商業化下一步將看到 Quinas 和 IQE 與多家晶圓代工廠和行業合作伙伴探索試點生產。

外延技術在 UltraRAM 中的重要作用

據 Tom’s Hardware 報道，該設計利用了一種新開發的高級外延工藝，使用砷化鎵和砷化鋁——據稱是世界首創——這將鋪平 UltraRAM 大規模生產的道路。

報告進一步表明，UltraRAM 是基于外延技術作為其關鍵第一步構建的，在晶體襯底上生長化合物半導體層，然后是標準方法，如光刻和蝕刻。

UltraRAM 商業化的挑戰

Quinas 的 UltraRAM 被視為一項變革性技術，有潛力取代 DRAM 和 NAND。然而，正如 Blocks & Files 所指出的，它首先必須集成到現有的內存供應鏈中。

報告指出，Micron、Nanya、SK hynix 和 Samsung 等 DRAM 制造商，以及 Kioxia、Micron、SK hynix/Solidigm、Samsung 和 SanDisk 等 NAND 生產商，向設備制造商供應內存和 SSD。為了使 UltraRAM 得到采用，Quinas 需要進入這個供應鏈，以便終端設備供應商可以使用它的內存而不是 DRAM 和 NAND——報告強調，這一轉變需要在硬件、操作系統和系統軟件層面進行改變。

Blocks & Files 進一步指出，如果 Quinas 能夠展示出具有可行產率的工業規模制造，并交付比 DRAM 和 NAND 更高系統級性能且能耗更低的 UltraRAM，那么 UltraRAM 就有可能真正獲得發展。然而，它強調，最關鍵的因素是證明一條清晰的、能夠實現大規模盈利生產的路徑。