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海力士 文章 最新資訊

斥資174億美元 富士康或聯(lián)手海力士競購東芝閃存業(yè)務(wù)

  •   日本東芝正準(zhǔn)備對外轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。據(jù)外媒最新消息,東芝已經(jīng)啟動了正式的收購招標(biāo)程序,可能對外轉(zhuǎn)讓全部資產(chǎn),另外富士康集團(tuán)有可能和韓國海力士聯(lián)手展開收購。   據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報道,東芝已經(jīng)對外啟動了競購招標(biāo)程序,各家收購方可以提出報價。據(jù)稱,如果報價滿意,東芝有可能對外轉(zhuǎn)讓百分之百的資產(chǎn),即不再保留任何股權(quán)。   六月敲定買家   東芝已經(jīng)將閃存業(yè)務(wù)剝離為獨(dú)立公司,定名為“東芝存儲公司”。按照最初計劃,東芝只準(zhǔn)備引入外部股東,讓其獲得兩成股權(quán)。但是隨著東芝對核電資產(chǎn)
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海力士謀劃72層堆疊閃存:單顆輕松1TB

  •   如今各種設(shè)備對于NAND閃存的容量要求越來越高,迫使廠商們不得不持續(xù)改進(jìn)技術(shù),尤其是強(qiáng)化3D堆疊設(shè)計。SK海力士就計劃在今年量產(chǎn)72層堆疊閃存。   2015年,SK海力士量產(chǎn)了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2),單晶粒容量128Gb(16GB)。   2016年,SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3,閃存類型改成TLC,重點(diǎn)單晶粒容量256Gb(32GB),而封裝芯片的容量最高可以達(dá)到4096Gb(512GB)。   2017年,我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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廠商爭相投資 3D NAND Flash前景不妙?

  •   廠商爭相投資,3D NAND Flash前景不妙?據(jù)傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn),SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開出,屆時3D NAND可能會從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過剩的狀況。   BusinessKorea 6日報道,NAND需求爆發(fā),據(jù)悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月,改在明年三、四月開始生產(chǎn)第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工,加上原本的華城(Hwaseong)廠,屆時三星3D NAND產(chǎn)能將從
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長江存儲拆臺三星與海力士的存儲帝國

  •   因宣布入股臺灣多家半導(dǎo)體公司,而鬧得滿城風(fēng)雨的中國清華紫光集團(tuán)董事長趙偉國,銷聲匿跡一段時間,現(xiàn)在又重現(xiàn)江湖。   這回,他將掌管整合后的中國記憶體最新國家隊──資本額一八九億人民幣(約八七七億臺幣)、于七月二十六日宣布成立的長江存儲。   經(jīng)營房地產(chǎn)致富的趙偉國,過去接受記者專訪時,一再強(qiáng)調(diào)他一系列遍布美國、臺灣的半導(dǎo)體業(yè)投資,純粹出于商業(yè)考量,并非中國政府授意。   然而,“長江存儲董事長”這個新身分,代表他已是中國國家半導(dǎo)體政策的主導(dǎo)者之一。   根據(jù)報導(dǎo),湖北省
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三星海力士DRAM市場占有率繼續(xù)增長 營收不增反降

  •   市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。   盡管如此,受DRAM平均報價下滑沖擊,三星當(dāng)季行動DRAM營收不增反減,較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元,這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。   SK海力士狀況類似,市占率雖然進(jìn)步0.8個百分點(diǎn),但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%,成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率,從去年第四
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大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖

  •   工研院 IEK認(rèn)為,為替代進(jìn)口,中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行,未來若中國大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域,預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。   聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托,開發(fā)動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù),引起各界關(guān)注。   工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長楊瑞臨認(rèn)為,為替代進(jìn)口,中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。   楊瑞臨指出,中國大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展,除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外,還有武漢新芯,中芯也傳將重操舊業(yè),
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三星海力士入圍半導(dǎo)體制造商前三甲

  •   北京時間13日 韓聯(lián)社報道,據(jù)美國知名半導(dǎo)體市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights13日消息,三星[微博]電子和SK海力士入圍整合元件制造商三甲,而全球十大芯片設(shè)計公司(Fabless)中沒有一家韓國企業(yè)。  在2015年整合元件制造商銷售排名中,三星電子(416億美元)和SK海力士(169億美元)分列第二和第三,而英特爾(34.27, -0.50, -1.44%)以503億美元穩(wěn)居榜首。在芯片設(shè)計企業(yè)方面,高通(47.46, -1.11, -2.28%)-CSR排名第一,安華高-博通(57.34, -0
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紫光入股韓國海力士半導(dǎo)體遭拒

  •   北京時間11月27日下午消息,韓國芯片制造商SK海力士發(fā)言人今天表示,該公司拒絕了紫光集團(tuán)的合作要約,但并未提供詳細(xì)信息。 最近有媒體報道稱,紫光集團(tuán)計劃收購海力士最多20%的股權(quán)。但該發(fā)言人拒絕對此置評。 紫光集團(tuán)發(fā)言人稱,該公司尚未留意相關(guān)事項。        SK海力士股價周三和周四累計大漲8.4%,但周五午盤下跌0.6%。   紫光集團(tuán)今年早些時候斥資230億美元洽購美光集團(tuán),同樣遭到拒絕。但知情人士表示,該公司尚未放棄這項交易。
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DRAM現(xiàn)貨價跌破2美元 歷史新低

  •   動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價持續(xù)破底,DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價已跌破2美元大關(guān),達(dá)1.96美元,創(chuàng)歷史新低價。   DRAM市場庫存問題依然嚴(yán)重,DRAM現(xiàn)貨價如預(yù)期持續(xù)滑落,據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技調(diào)查,DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價滑落至1.96美元,創(chuàng)下歷史新低價。   第4季來DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價下跌約0.16美元,跌幅約7.54%。   南亞科預(yù)期,DRAM價格可望逐步趨于穩(wěn)定,第4季產(chǎn)品價格將較第3季微幅下滑。   只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守,表示目前市場已
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三星、海力士尬產(chǎn)能,韓國存儲器雙雄掀軍備競賽

  •   昨日南韓半導(dǎo)體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴(kuò)產(chǎn)計畫,隔天三星即宣布新廠下個月就將成軍啟用,這也宣告記憶體市場正式進(jìn)入新一輪的軍備競賽。   三星新廠位于首爾南部的水原市,可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出,水原廠部分產(chǎn)線過去幾個月已進(jìn)行過試產(chǎn),年底將全面啟用。   另外,三星目前在平澤市還有一半導(dǎo)體廠正在興建,三星計畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元),是韓國史上對單一半導(dǎo)體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面,海力士昨日盛大宣布,未來十年內(nèi)將投
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙

  •   全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布,規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元),在南韓興建兩座新廠,預(yù)計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號,市場憂心,SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn),長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。   外電指出,投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資,因為大規(guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩,或引爆價格戰(zhàn),這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。   受市場憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響,南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點(diǎn)下
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三星大敵當(dāng)前,海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解

  •   南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識,海力士周三宣布,與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達(dá)成和解,與此同時,雙方還將擴(kuò)大專利合作,正式成為伙伴關(guān)系。   SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后,將機(jī)密泄漏給海力士,但在雙方達(dá)成和解后,SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇,還進(jìn)一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議。聲明稿指出,海力士將支付SanDisk 權(quán)利金,并供應(yīng)DRAM予SanDisk,時間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士拼獲利,3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨

  •   南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列,其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,預(yù)計9月開始對客戶出貨。   快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸,因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo),海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后,48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預(yù)期,受PC用DRAM需求低迷影響,當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜,低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士高頻寬存儲器封裝圖文揭密

  •   過去幾個月來,TechInsights的拆解團(tuán)隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM),最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。   海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新,而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制,甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片,一片一片地堆疊起來,并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。        圖1:HBM模組橫截面示意圖   (來
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海力士高頻寬存儲器封裝揭密

  •   過去幾個月來,TechInsights的拆解團(tuán)隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM),最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。   海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新,而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制,甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片,一片一片地堆疊起來,并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。   圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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海力士介紹

海力士半導(dǎo)體公司(Hynix,諺文:???? ???,KSE:000660 )是一家韓國的電子公司,全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM,后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務(wù),同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價格操控與處份 200 [ 查看詳細(xì) ]

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