電容文章最新資訊

電容參數(shù)相同的12DB/OCT低通濾波器功能與原理分析

電路的功能“由OP放大器構(gòu)成的12DB/OCT低通濾波器”介紹的低通濾波器為保證獲得0.707的Q值而造成各電容器的容量不一致，按計(jì)算的容量選取電容非常困難。本電路C1、C2的電容量相同，截止頻率一旦確定，即可
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無源器件電阻和電容在電路板中的內(nèi)置技術(shù)簡述

無源器件內(nèi)置是一個(gè)相對較新的概念。為什么要內(nèi)置它們呢?原因是電路板表面空間的緊張。在典型的裝配中，占總價(jià)格不到3%的元件可能會占據(jù)電路板上40%的空間!而且情況正變得更為糟糕。我們設(shè)計(jì)的電路板要支持更多的功能
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通信設(shè)備內(nèi)置的電源解決方案

1:電壓的供電電源，有的電源電壓輸出還要可以數(shù)字程控；2：各種輸出的供電電源均朝更低的電壓，更大的電流，更...
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基于PlCl6LF874單片機(jī)的電容測試電路方案設(shè)計(jì)

本文用到美國 Micmchip公司PICl6LF874單片機(jī)，該單片機(jī)采用RISC精簡指令集、哈佛總線結(jié)構(gòu)、流水線指令方式，具有抗干擾能力強(qiáng)、功耗低、高性能、價(jià)格低等特性。　　1 PICl6LF874單片機(jī)　　PICl6系列單片機(jī)采用精簡指
關(guān)鍵字：電路方案設(shè)計(jì) 測試電容 PlCl6LF874 單片機(jī) 基于

電容傳感器容柵旋轉(zhuǎn)編碼器原理及應(yīng)用

一、前言以旋轉(zhuǎn)容柵編碼器為例，簡述容柵傳感器的測量原理及其結(jié)構(gòu)，分析容柵自身以及容柵芯片的特點(diǎn)，通過機(jī)械機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)和容柵編碼器后續(xù)電路設(shè)計(jì)，提高其工作可靠性，并應(yīng)用于實(shí)際工程中。電容傳感器具有測量分
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電容式濕度傳感器基礎(chǔ)知識

電容式濕度傳感器是利用濕敏元件的電容值隨濕度變化的原理進(jìn)行濕度測量的傳感器。此類濕敏元件實(shí)際上是一種吸濕性電解質(zhì)材料的介電常數(shù)隨濕度而變化的薄片狀電容器，感濕材料為聚酰銨樹脂，酰根纖維素和金屬氧化物如
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英飛凌的低成本電容式觸控解決方案

XC800單片機(jī)家族的最新成員XC82x和XC83x，為控制多個(gè)觸摸按鍵、觸摸滑條或觸摸滾輪提供了高性能電容式觸摸傳感解決方案。借助專用模塊和存放于ROM的軟件庫，這些器件可支持三種利用超小型用戶軟件測量觸摸板容量和驅(qū)動(dòng)LED點(diǎn)陣的方法。
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電路板通孔的電容分析

每個(gè)通孔都有對地寄生電容。因?yàn)橥椎膶?shí)體結(jié)構(gòu)小，其特性非常像集總線路元件。我們可以在一個(gè)數(shù)量以內(nèi)估算一個(gè)通孔的寄生電容的值：其中，D2=地平面上間隙孔的直徑，IN
D1=環(huán)繞通孔的焊盤的直徑，IN
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電容的簡化模型及其阻抗曲線

為了分析方便，在實(shí)際的分析應(yīng)該中經(jīng)常使用由串聯(lián)等效電阻ESR、串聯(lián)等效電感ESL、電容組成的
RLC模型。因?yàn)閷﹄娙莸母哳l特性影響最大的則是ESR和ESL，我們通常采用下圖中簡化的實(shí)際模型進(jìn)行分析：上式就是電容的容抗
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電源完整性設(shè)計(jì)―怎樣合理選擇電容組合

前面我們提到過，瞬態(tài)電流的變化相當(dāng)于階躍信號，具有很寬的頻譜。因而，要對這一電流需求補(bǔ)償，就必須在很寬的頻率范圍內(nèi)提供足夠低的電源阻抗。但是，不同電容的有效頻率范圍不同，這和電容的諧振頻率有關(guān)(嚴(yán)格來說
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低成本電容式觸摸感應(yīng)設(shè)計(jì)

觸摸感應(yīng)按鍵因其易于使用、美觀且不涉及機(jī)械運(yùn)動(dòng)而在日常的人機(jī)界面應(yīng)用中得以普及，尤其是電容式觸摸感應(yīng)技術(shù)可以通過標(biāo)準(zhǔn)PCB設(shè)計(jì)中的銅焊盤來實(shí)現(xiàn)，因而相比其他技術(shù)更受歡迎。　　本文將對電容式觸摸感應(yīng)技術(shù)及其
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電源完整性之電容的去耦半徑

電容去耦的一個(gè)重要問題是電容的去耦半徑。大多數(shù)資料中都會提到電容擺放要盡量靠近芯片，多數(shù)資料都是從減小回路電感的角度來談這個(gè)擺放距離問題。確實(shí)，減小電感是一個(gè)重要原因，但是還有一個(gè)重要的原因大多數(shù)資料
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基于電容一頻率轉(zhuǎn)化原理的電容接口電路設(shè)計(jì)

1 引言　　本文介紹的單片集成電容式壓力傳感器，傳感器電容結(jié)構(gòu)由多晶硅/柵氧/n阱硅構(gòu)成，并通過體硅腐蝕和陽極鍵合等后處理工藝完成了電容結(jié)構(gòu)的釋放和腔的真空密封。接口電路基于電容一頻率轉(zhuǎn)化電路，該電路結(jié)構(gòu)
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電源完整性設(shè)計(jì)電容退耦的兩種解釋

采用電容退耦是解決電源噪聲問題的主要方法。這種方法對提高瞬態(tài)電流的響應(yīng)速度，降低電源分配系統(tǒng)的阻抗都非常有效。　　對于電容退耦，很多資料中都有涉及，但是闡述的角度不同。有些是從局部電荷存儲(即儲能)的角
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基于電容一頻率轉(zhuǎn)化原理的電容接口電路

1 引言　　本文介紹的單片集成電容式壓力傳感器，傳感器電容結(jié)構(gòu)由多晶硅/柵氧/n阱硅構(gòu)成，并通過體硅腐蝕和 ...
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電容介紹

電容是表征電容器容納電荷的本領(lǐng)的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量，叫做電容器的電容。電容的符號是C。在國際單位制里，電容的單位是法拉，簡稱法，符號是F。一個(gè)電容器，如果帶1庫的電量時(shí)兩級間的電勢差是1伏，這個(gè)電容器的電容就是1法。電容的公式是：C=Q/U 但電容的大小不是由Q或U決定的，即：C=εS/4πkd 。ε是一個(gè)常數(shù)，與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)。k [ 查看詳細(xì) ]