- 由于記憶體原廠端供貨吃緊，一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價格，集邦科技旗下DRAMeXchange預估第三季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約4～8%。
DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示，經過近兩年的續跌，6月合約價已呈現持平，普遍用12.5美元價格議定完成。DRAMeXchange最新報價顯示，DDR3 4GB合約均價從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高達62%。
吳雅婷表示，第三季的DRAM合約均價起漲，起因于標準
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集邦科技 DRAM
- 行動記憶體需求暴增，在晶片制造商窮于應付的同時， PC用DRAM卻也因此受惠，現貨價格持續攀升。
據日經新聞報導，行情指標4-Gigabit DDR3 DRAM過去一個月上漲6%，目前來到1.74美元，某些產品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見度明明不佳，但PC用DRAM價格之所以還能往上攀升，是因為美光等記憶體大廠將部分產能移作生產行動產品，以致供給減少。
PC制造商夏季機種目前已陸續上市，盡管此時季節性需求已開始減緩，但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續至九月，
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PC DRAM
- 一個董事席位不至于讓知識產權輕松被轉移。不過一個錯誤的決定卻可能讓臺灣集成電路產業重蹈面板的覆轍。
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DRAM 集成電路
- DRAM產業因長期需求不振，合約價格已歷經連續19個月的跌幅趨勢。今年五月底DDR4合約均價為1.31美元，而DDR3僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)研究協理吳雅婷表示，第三季個人電腦(PC)將進入出貨高峰、中國品牌智能手機出貨持續走揚，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動能，將消耗可觀的DRAM產能。此外，各家DRAM供貨商對于制程轉進的態度趨于
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TrendForce DRAM
- 蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠的產能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創見、威剛、宇瞻等，預估下半年營運會比上半年好。
創見預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠資本支出較保守，產能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。
威剛董事長陳立白日
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NAND DRAM
- 臺存儲器模組廠威剛董事長陳立白指出，觀察國際龍頭大廠動向，全球DRAM軍備競賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節制資本支出的情況下停止，預計DRAM價格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景氣將好轉，為期兩年半的DRAM空頭市場將走完。
陳立白認為，三星在DRAM的資本支出上踩煞車，影響接近45%的供貨，接下來就要看SK海力士的態度，如果海力士也認同避免軍備競賽的移動，開始節制資本支出，對產業來說就是美事一樁。
據臺存儲器模組業者表示，SK海力士新董事長
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威剛 DRAM
- 市調機構TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange統計數據顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩居全球龍頭，也創下歷史新高。
盡管如此，受DRAM平均報價下滑沖擊，三星當季行動DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。
SK海力士狀況類似，市占率雖然進步0.8個百分點，但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總三星與海力士市占率，從去年第四
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海力士 DRAM
- 市調機構TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange統計數據顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩居全球龍頭，也創下歷史新高。(Businesskorea.co.kr)
盡管如此，受DRAM平均報價下滑沖擊，三星當季行動DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。
SK海力士狀況類似，市占率雖然進步0.8個百分點，但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03
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三星 DRAM
- 半導體設備業龍頭廠商應用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營收預估值擊敗分析師預估，帶動20日股價跳漲13.81%、收22.66美元，漲幅不但居費城半導體指數成分股30支成分股之冠，收盤更創2015年3月30日以來收盤新高。
美國記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元，創4月28日以來收盤新高。TheStreet.com 20日報導，應材在財報電話會議上指出，投資活動逐漸從DRAM轉到NAND型快閃記憶體
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美光 DRAM
- TrendForce旗下存儲事業處DRAMeXchange最新報告顯示，受到市況持續供過于求、平均銷售單價下降影響，2016年第一季全球DRAM總產值為85.6億美元，環比衰退16.6%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第一季為傳統淡季，除中國市場的智能手機略有庫存回補的需求以外，筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修，導致DRAM市場供過于求的現象更為明顯。
三星營收持續摘冠，美光集團開始面臨成本保衛戰
三星依然穩坐DRAM產業龍頭，第一季營收雖下跌16.6%，
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三星 DRAM
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發18納米制程為其投資重點，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復雜等課題，三星將運用四重曝光顯影技術(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導電膜形成技術，以維持其在DRAM技術的領先地位。
三星于DRAM 18納米制程將運用自動對位QPT(Self A
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三星 DRAM
- 晶圓代工廠聯電昨天宣布，與中國大陸福建官方投資的晉華集成電路，簽署技術合作協議，由聯電開發DRAM相關制程技術。
聯電強調，所開發技術將應用于利基型DRAM生產，但該公司沒有要進入DRAM產業或投資晉華。外界解讀，聯電現階段雖然僅投入利基型記憶體技術開發，未來視兩岸政策與市場情況，說不定將進入相關代工領域。
聯電表示，這次的合作協議結合臺灣的半導體制造能力，及中國大陸的市場與資金，在臺灣進行技術研發。雙方合作開發的技術，主要應用在利基型DRAM生產，不僅能提供國內IC設計公司使用，也能結合
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聯電 DRAM
- 工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領域，預期海力士恐將是最大潛在受害者。
聯電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開發動態隨機存取記憶體(DRAM)相關制程技術，引起各界關注。
工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統研究組副組長楊瑞臨認為，為替代進口，中國大陸發展DRAM似乎已勢在必行。
楊瑞臨指出，中國大陸目前至少有 5家廠商規劃投入DRAM發展，除這次委托聯電開發技術的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業，
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DRAM 海力士
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發18奈米制程為其投資重點，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復雜等課題，三星將運用四重曝光顯影技術 (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導電膜形成技術，以維持其在DRAM技術的領先地位。
三 星于DRAM 18奈米制程將運用自動對位QPT(Self
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三星 DRAM
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