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英諾賽科 文章 最新資訊

氮化鎵上車進行時：從器件特性到系統(tǒng)效率的全面驗證

  • _____2025年12月，匯川聯(lián)合動力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長安汽車成功裝車。這標志著氮化鎵技術(shù)在中國新能源汽車領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。該系統(tǒng)將車載充電器與車載直流變換器高度集成，功率密度達4.8kW/L，較傳統(tǒng)方案提升30%，重量減輕20%。這意味著，更小體積的電源模塊卻能提供更高功率的充電效率。隨著800V高壓平臺在電動汽車中的普及，對電源系統(tǒng)的要求日益提高。技術(shù)的成熟和成本的下降，使得氮化鎵有望在多個領(lǐng)域替代傳統(tǒng)件可能成為未來發(fā)展方向。盡管氮化鎵技術(shù)前景廣
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美國國際貿(mào)易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項專利侵權(quán)案中勝訴

  • ●? ?美國國際貿(mào)易委員會的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進口至美國●? ?該裁決是又一項積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用英飛凌300mm GaN技術(shù)美國國際貿(mào)易委員會（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司擁有的一項氮化鎵（GaN）技術(shù)專利1。此外，在初步裁定中，美國國際貿(mào)易委員會確認，英飛凌在向該委員會提起的訴訟中
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安森美與英諾賽科達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同加速推進全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)

  • 安森美（onsemi）近日宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美在系統(tǒng)集成、驅(qū)動器和封裝方面的專業(yè)能力，以及英諾賽科成熟先進的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性價比、節(jié)能高效的解決方案，推動 GaN 技術(shù)普及進程。新聞概要：●? ?此次合作將擴展安森美的中低壓GaN功率產(chǎn)品組合，并在全球范圍內(nèi)擴大GaN制造規(guī)模，從而加快產(chǎn)品上市速度并推動更廣泛的應(yīng)
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Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源

  • 全球運動控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡稱“Allegro”，納斯達克股票代碼：ALGM)，與全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應(yīng)商英諾賽科?(Innoscience，港交所：-2577.HK)?宣布達成戰(zhàn)略合作，推出了一款開創(chuàng)性的?4.2kW?全?GaN?參考設(shè)計，該設(shè)計采用了?Allegro?的先進柵極驅(qū)動器技術(shù)和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創(chuàng)新解決方
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納芯微攜手聯(lián)合電子與英諾賽科，共創(chuàng)新能源汽車功率電子新格局

  • 2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)品。全新開發(fā)的智能GaN產(chǎn)品將依托三方技術(shù)積淀，提供更可靠的驅(qū)動及GaN保護集成方案，進一步提升系統(tǒng)功率密度。三方還將協(xié)同推動相關(guān)解決方案的產(chǎn)業(yè)化落地，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價值提升。簽約儀式現(xiàn)場合影見證代表：圖中：聯(lián)合電子副總經(jīng)理 郭曉
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意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

  • ●? ?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)●? ?英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可借助英諾賽科在中國的制造產(chǎn)能服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics，簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)
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英諾賽科PCB layout 設(shè)計案列分享1----高壓單管

  • Layout設(shè)計中的幾個關(guān)鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱，英諾賽科高壓單管GaN的Layout設(shè)計也不例外。反激拓撲是高壓單管GaN的典型應(yīng)用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導(dǎo)致驅(qū)動振蕩。在GaN應(yīng)用時，Layout上還需注意以下方面：1) 由于電流檢測電阻的存在，此種場合GaN的開爾文腳與源極直接連接，否則電流采樣電阻失去作用。2) Source端與bulk電容地的走線盡可能短、粗，減小寄生電感
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大聯(lián)大詮鼎集團推出基于英諾賽科產(chǎn)品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案

  • 致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的2KW 48V雙向AC/DC儲能電源方案的展示板圖在實現(xiàn)“雙碳”目標的大背景下，風能、光伏等綠色能源形式正逐步成為推動可持續(xù)發(fā)展的核心動力。然而，自然界的能源供給存在固有的不穩(wěn)定性，這要求
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氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市

  • 據(jù)英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。據(jù)了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，產(chǎn)品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應(yīng)用于消費與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等領(lǐng)域。據(jù)悉，英諾賽科此番戰(zhàn)略配售，吸引了包括意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)以及蘇州高端裝備在內(nèi)的4名基石投資者，合共認
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EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專利

  • 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎(chǔ)專利組合中的 四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
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英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目完成主體施工

  • 據(jù)看看新聞網(wǎng)報道，目前，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司項目主體施工已經(jīng)完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計，驅(qū)動IC設(shè)計開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。據(jù)規(guī)劃，項目開工后兩年內(nèi)投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標，年銷售收入約
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