- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統解決方案尺寸。
全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內，貼裝業界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿足當今市場對時
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英飛凌 MOSFET SMD ThinPAK
- 英飛凌科技股份公司近日公布2010財年(截至2010年3月31日)第二季度的財務結果。
英飛凌第二季度的營收為10.35億歐元，相對于第一季度大幅提高10%，同比提高55%。各業務部的合并財務結果1為1.1億歐元，較上一季度增長25%。凈收入為7,900萬歐元，而上一季度的凈收入為6,600萬歐元。
2010財年第三季度，英飛凌預計公司銷售額的增長百分比將會達到較高的個位數，相對于第二季度，各業務部的合并利益率將提高兩至四個百分點。
2010財年，英飛凌調整了對本年度的展望，因為20
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英飛凌 芯片
- 英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術，英飛凌可滿足具備更高功率循環的新興應用的需求，并為提高功率密度和實現更高工作結溫鋪平道路。
英飛凌副總裁兼工業電源部總經理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領域的技術
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英飛凌 IGBT 封裝
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協議，針對全球工業運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創造者
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英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
- 據國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。
第二財季凈利潤好于分析師預期，營收與分析師預期相當。據彭博社調查的分析師此前曾預計，該公司第二季度經調整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續第三季度實現盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達39億歐元。
英飛凌上調了
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英飛凌 MOSFET
- 英飛凌科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。
英飛凌低壓MOSFET產品總監兼產品線經理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
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英飛凌 MOSFET 飛兆半導體
- 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
飛兆半
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英飛凌 MOSFET DC-DC
- 英飛凌科技股份公司近日宣布公司2009/10財年(截止到2010年9月30日)第二季度業績和營收優于預期水平，并且前景看好。
2009/10財年第二季度，英飛凌預計公司營收額將環比增長約10%。與此同時，英飛凌還預計，在剛結束的這個季度，公司分部利潤率有望達到10%以上。
在本財年第三季度，英飛凌預計公司營收將取得持續增長，而分部業績將實現大幅攀升。
英飛凌有望上調2009/10全年預期。公司將于4月28日公布第二季度財務數據時提供相關細節。
英飛凌科技股份公司首席執行官Pet
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英飛凌 無線
- 據外電報道，美國國際貿易委員會(USITC)將對DRAM半導體、產品、記憶模塊展開調查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權指控。
英飛凌方面稱，爾必達制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面4項重要發明專利，涉嫌不公平貿易。通過訴訟以尋求USITC下達禁令，禁止爾必達或以爾必達的名義，向美國進口侵犯英飛凌專利的DRAM半導體產品。
被調查的企業名單
USITC表示，將依據1930年美國關稅法第337條，對下列廠商展開調查，包括日商爾必
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英飛凌 DRAM
- 機遇與挑戰:
主動式傳感器應用將越來越廣
汽車中所用的傳感器越來越多
市場數據:
07年～12年中國汽車傳感器銷售額復合增長率將達到22.37%
中國已經躍居世界第二大汽車市場
同07年比增長高達22.02%
汽車性能的提升以及汽車市場的蓬勃發展，推動了汽車傳感器的快速增長。被動式傳感器在某些應用上已難以滿足高精度要求，主動式傳感器應用將越來越廣。
隨著汽車性能的提升以及中國汽車市場的快速增長，汽車
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英飛凌 傳感器
- 混合動力車電力驅動的關鍵組件是電機和電機驅動器，IGBT作為電機驅動器的核心，它的可靠性關系著混合動力車輛的安全運行，本文主要針對IGBT模塊應用于汽車領域，所涉及的可靠性相關問題進行了探討，提出了汽車級IGBT概念，并詳細說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應用做出的改進。
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英飛凌 IGBT 可靠性 功率循環 溫度循環 201003
- 英飛凌中國副總裁兼執行董事尹懷鹿將未來一年關注焦點鎖定在能源效率、無線通信和安全系統等應用領域。特別的，半導體是執行能效政策不可或缺的部分，尤其是可回收能源以及更加高效的引擎驅動。
尹懷鹿
中國工業功率模塊市場具有巨大的潛力，主要表現在軌道交通、電動和混合動力汽車、風能發電等應用領域。這都會催生市場對功率模塊產品的龐大需求。馬達驅動的關鍵器件就是IGBT。在風能發電供應鏈中，除了葉片、齒輪箱以及發電機外，風電變流器已經成為主要瓶頸之一，而其主要組成部分也是IGBT模塊、IGBT系統組件
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英飛凌 無線通信 軌道交通 混合動力汽車
- 在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術展會上，英飛凌科技股份公司推出兩個功能強大的全新器件系列，壯大其經濟高效并可擴展的XC800微控制器(MCU)產品組合。全新的XC82x 和XC83x系列經過專門設計，可進一步降低系統成本，并改進多種工業產品的能效。
在設計風扇、水泵、壓縮機、新型照明解決方案和任何電源轉換器的電機控制器時，主要目標是提高能源效率，降低系統成本。采用智能控制概念并與各種通信接口連接，有助于充分滿足這些需求。英飛凌通過XC82x 和 XC83x8位微控制器系列，將行業標準的8位80
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英飛凌 微控制器
- 在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術展會上，英飛凌科技股份公司宣布推出可擴展的全套高溫8位微控制器(MCU)系列。該系列可在高達150 °C的環境中運行，能夠滿足汽車和工業電子產品行業最嚴格的標準。全新推出的XC800 150°C系列可以不受限制地應用于溫度從-40 °C 至 150 °C的環境。這為昂貴復雜的散熱和制冷系統提供了一個高效的替代產品，同時為在惡劣的工作環境中應用微控制器提供了可行的替代方案。
XC800 150°C系列是汽車產品的理想之選，例
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英飛凌 MCU XC800
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產品陣容。該系列器件經過優化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調節電路和電信/數據通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規范的TDA21220 DrMOS。
通過大幅降低三個關鍵的能效優值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
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英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [
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