久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 記憶半導體

記憶半導體 文章 最新資訊

存儲器超級周期預計持續至2028年

  • 半導體行業觀察人士表示,內存市場已進入長期上升周期,DRAM和NAND可能至少要到2028年才會供應短缺。歷史上,存儲器供應商在供給過剩和不足之間搖擺,時而高需求和短缺,時而出現庫存過剩、利潤繁榮與蕭條,以及供應過剩隨后引發干旱。然而,這一次,由AI訓練和推理工作負載驅動的需求正在重塑這一循環。內存需求的激增如此強烈,制造商需要數年時間才能擴展容量以趕上。看看美光從其記憶產品帶來的收入和利潤,可以說明傳統的供過于求到干旱模式:需求在2016年至2018年間大幅上升,2019年和2020年降至低谷,2021
  • 關鍵字: 記憶半導體  存儲器  
共1條 1/1 1

記憶半導體介紹

您好,目前還沒有人創建詞條記憶半導體!
歡迎您創建該詞條,闡述對記憶半導體的理解,并與今后在此搜索記憶半導體的朋友們分享。    創建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473