- 三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管（FeFET）設計，結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中，每當讀取或編程單元時，貫穿每條垂直字符串的字線堆棧必須帶有通行電壓。隨著層數增加，開銷也隨之增加，由于層
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三星 鐵電晶體管 低功耗 NAND
- _____隨著人工智能和大數據技術的飛速發展，對算力和存儲的需求日益增長。傳統的計算架構逐漸顯露出局限性，這促使學術界和產業界開始探索新的計算架構和信息器件。在后摩爾時代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲和計算領域的潛在應用而備受關注。泰克科技與北京大學集成電路學院聯合舉辦了一場學術交流訪談會，旨在探討高耐久性氧化鉿基鐵電晶體管（FeFET）器件及其在集成電路領域的應用前景。在這次訪談交流中，講座主講人北京大學集成電路學院的唐克超老師分享了他們團隊在鐵電材料和器件研究方面的最新成
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鐵電晶體管 FeRAM
鐵電晶體管介紹
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