《科創板日報》4日訊，鎧俠產線稼動率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND
Flash)產品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉，鎧俠將開始量產的NAND
Flash產品堆疊218層數據存儲元件，和現行產品相比，存儲容量提高約50%，寫入數據時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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近期AI計算平臺已經迎來新一輪升級。從NVIDIA發布Rubin GPU，到Intel發布至強6，再到AMD的銳龍和EPYC處理器，無一不在強調AI加速的重要性。特別是在PC領域，Windows on ARM產品蓄勢待發，基于x86的AI PC更是鎖定先進制程，將AI TOPS和應用范圍都拓寬到更廣大產品線中。AI時代的到來，勢必所有的AI PC、數據中心、邊緣計算、終端應用所搭載的存儲器容量都呈現出倍數增長模式，DRAM、NAND Flash需求量大增，甚至推動新一輪的技術變革，HBM、CXL技術都是很
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據日經新聞報道，鑒于市場正在復蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續20個月的減產行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產線開工率提高至100%。而隨著業務好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場環境，鎧俠發布聲明稱，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產，將晶圓生產量減少約30%，并表示會繼續根據
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近日，三星、鎧俠兩大存儲廠公布新消息：三星量產第9代V-NAND、鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。三星開始量產第9代V-NAND4月23日，三星電子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已開始量產，鞏固了其在NAND閃存市場的地位。據三星介紹，第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，支持將數據輸入/輸出速度提高33%，達到3.2Gbps。除了這個新接口外，三星還計劃通過擴大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能SSD市場的地位。憑借業界最小的單元尺寸和最薄的模組，
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IT之家 4 月 23 日消息，鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可選，專為包括高端智能手機在內的下一代移動應用打造。256GB：THGJFMT1E45BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB：THGJFMT2E46BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB：THGJFMT3E86BATZ，封
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據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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在AI概念沒有火熱之前，無論手機還是PC都已經悄然引入人工智能加速相關的硬件和技術，目的是在部分功能上獲得更好的體驗，比如手機相冊中的人臉智能識別和分類， PC和NAS在算力閑暇時對圖像、視頻的整理，以及視頻通話時的背景虛化等等都是很好的例子。這個時期的AI計算我們通常稱為決策式AI，即在成熟的底層技術框架內，通過數據分類標簽和辨別的形式，通過CPU、GPU、NPU等處理器合力，它們的特點是，具備一套成熟的判斷機制，通過夜以繼日的訓練識別，不斷提升精度，并具有很強的針對性。隨著大模型的火爆，另一種AI也推
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2024年3月20日，2024中國閃存市場峰會（CFMS2024）在深圳寶安前海·JW萬豪酒店盛大舉辦。本次峰會以“存儲周期、激發潛能”為主題，共同探討在供需關系依然充滿挑戰的大環境下，未來存儲市場的變化，以及如何挖掘產業價值、激發潛能，實現存儲產業鏈由“價格”走向“價值”的升級。更有重量級嘉賓聚首并進行重磅演講，聚焦未來存儲行情演變、存儲技術發展、AI與存儲等熱點話題。鎧俠作為存儲行業的領導品牌再次和大家共襄盛會，展示了存儲領域的最新科技成果。在本次峰會上，鎧俠電子（中國）有限公司董事長兼總裁岡本成之上
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IT之家 3 月 5 日消息，據臺媒《經濟日報》報道，在鎧俠提升 NAND 產能的消息傳出后，兩家下游廠商群聯和威剛的高管分別就此表達自身看法。根據之前報道，鎧俠表示將重新審視 NAND 閃存減產策略，本月內將開工率提升至 90%。群聯執行長（CEO）潘建成表示群聯目前仍處于缺貨狀態，如果 NAND 閃存原廠可以合理價格提供穩定供貨，對群聯算是好事。此外原廠擴產可幫助 NAND 市場恢復秩序：閃存價格若持續上漲將影響下游廠商需求，而原廠產能提升可平抑價格。對各下游廠商而言，現有的低價 NAND
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智能手機上的UFS 4.0產品雖然已經得到廣泛普及，但車載UFS 4.0領域的產品仍相對空白。對于制造商而言，用上基于UFS 4.0的SoC也需要大量的嚴苛驗證，所有驗證工作的前提是車載UFS 4.0產品應該先被生產出來。應該先更新車載SoC還是先有車載UFS 4.0成了一個“雞生蛋，還是蛋生雞”困境，就在近期，鎧俠領先推出的車載UFS 4.0產品很好解決了這個問題，為車載UFS 4.0普及提供堅實的基礎。助力汽車新智能隨著車載處理性能提升，汽車電子電氣架構（EEA, Electrical/Electro
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存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社近日宣布，該公司已開始提供業界首款(2)面向車載應用的通用閃存(3)(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品(1)。新產品性能高，采用小型封裝，提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于多種新一代車載應用，諸如車載遠程信息處理系統、信息娛樂系統以及ADAS系統(4)。鎧俠車載UFS產品的性能顯著提升(5)，順序讀取速度提升約100%，順序寫入速度也提升約40%。通過性能提升，相關應用能夠更好地利用5G連接的優勢，帶來更快的系統啟動速度和更優質的用戶體驗。作為首家推出UFS技術
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全球存儲器解決方案領導者鎧俠今天宣布已經開始大規模生產2TB microSDXC存儲卡，這對于智能手機用戶、內容創作者和移動游戲玩家來說是一項突破性的進展。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存儲卡提供更強大的性能和更大的容量，讓用戶能夠記錄和存儲更多內容。【1】。借助專利制造技術，包括創新的BiCS FLASH? 3D閃存和自研控制器，鎧俠成功地研發并制造了2TB microSDXC UHS-I存儲卡。鎧俠完成了SD卡協會所定義的SDXC規格挑戰。即，在0.8毫米的厚度內，成功堆疊
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2023年12月11日，中國上海 —作為全球存儲器解決方案領導者的鎧俠株式會社于近日發布了EXCERIA PLUS? 極至光速? G2 NVMe? SSD的升級版本——EXCERIA PLUS? 極至光速? G3 NVMe? SSD。該系列產品具有強大的 PCIe ? 4.0 接口，可為游戲玩家，游戲發燒友和視頻編輯者提供更優秀的性能。這款 M.2 2280 單面系列容量高達 2TB，適合支持PCIe ? 4.0 標準的主流臺式機和筆記本電腦。 相比前一代產品，EXCERIA PL
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