2012年5月28日，中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創新領軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產品采用4x nm浮柵技術，專門用于汽車、消費及網絡應用的數據存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列，存儲容量在1 Gb到8 Gb之間，該產品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術支持并且符合嚴格的可靠性要求，例如1位
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Spansion NAND 閃存
IMFT使用的先進工藝可以顯著地改變消費電子產品的設計和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術以及混合SSD/HD系統(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實現。這些技術很可能出現在
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表象 技術 細節 閃存 NAND 16Gb MLC 解密
野村證券最近發布《2012智能手機指南》，對智能手機的各種零部件及其供應商的狀況進行了分析，并發現，智能手機中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。
北京時間5月23日下午消息，野村證券最近發布《2012智能手機指南》，對智能手機的各種零部件及其供應商的狀況進行了分析，并發現，智能手機中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。
該報告顯示，要生產一部現代化的智能手機，需要25個以上的零部件。盡管屏幕曾經一度被視為手機中最昂貴的部件，但根據野村證券的報告，最貴的應該是NAND閃存，
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智能手機 閃存
引言Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性，在系統電源關閉的情況下依然可保留數據。隨著技術的發展，Flash因其在性能和成本方面的優勢逐漸成為系統存儲的工業標準。目前市面上，NOR Flash和NAND
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閃存 驅動設計
英國研究人員最近報告說，他們研發出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設備，與現在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
電阻性記憶體的基礎是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時其電阻會發生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。在此基礎上開發出的存儲設備與現有閃存相比更快更節能，是業界近來的研發熱點。但以前開發出的這種存儲設備只能在高度真空環境中運行。
英國倫敦大學學院等機構研究人員日前在《應用物理學雜
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存儲器 閃存
NAND閃存工藝技術不斷進步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數人用上好幾年的，但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態硬盤廠商STEC近日宣布了一項新技術“CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達13倍。
CellCare是一項硬件和固件綜合技術，核心內容包括：每個內核的閃存參數追蹤，可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進性能、降低讀寫延遲;高級錯誤糾正與數字信號處理，可改進數據可靠性、最大程度減少重新讀取。
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基于閃存的大容量存儲陣列,摘要 大容量、高速度、高密度、低功耗、低成本、高可靠性和靈活性一直是星上記錄設備信息存儲技術的主要研究內容和追求目標。文中研究并實現了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態存儲系統，成果為實際研制應用于星
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隨著智能手機、平板電腦、超極本等移動互聯設備市場的井噴，存儲器Nand Flash也呈現“水漲船高”之勢，Gartner預估今年Nand閃存市場將增長18%。在近日舉辦的“BIWIN首屆Nand Flash應用高峰論壇”上，福州瑞芯微電子有限公司總裁陳鋒直言“后PC時代已經到來”，今年平板電腦的出貨量預計在1.5億臺左右，智能手機將突破6億部，加起來為7.5億部，將遠超今年PC出貨量，帶動對顯示屏、主控芯片和存儲器關鍵部件的需求，
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LSI 公司(紐約證交所股票代碼：LSI)日前推出了全面的 Nytro 系列解決方案，能夠將 PCIe? 閃存技術與智能高速緩存和管理軟件進行完美結合，從而明顯提高數據中心和云環境的應用性能。
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據麻省理工 新發明的透明柔性3D存儲芯片會成為小存設備中的一件大事。這種新的內存芯片透明柔韌，可以像紙一樣折疊，而且可以耐受1000華氏度的溫度，是廚房烤箱最高溫度的兩倍，而且可以耐受其他有害條件，有助于開發下一代內存，可與閃存競爭，用于明天的隨身碟，手機和電腦，這是科學家在3月27日報道的。
在美國化學學會(American Chemical Society)第243屆全國會議暨博覽會(243rd National Meeting & Exposition)上，發明者說，一些設備使用這
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據國外媒體報道，NAND閃存技術現在已經有25年的歷史了，而東芝打算來合理地慶祝這一上個世紀80年代在其實驗室被發明的革命性技術。東芝稱，幸虧有了閃存，現在人們才得以在他們生活的各個方面享受內容上的創新及先進的電子產品。
東芝稱，“NAND閃存市場增長的很快，其閃存發貨量在2011年要比DRAM(動態隨機存取存儲器)多很多，NAND閃存已經成為多數人選擇的硅存儲方式。NAND閃存現在應用在一系列的存儲卡上及USB設備中，在許多消費者、工業及企業的云程序中也可以見到。”
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據國外媒體報道，利用閃存技術建立儲存陣列的科技公司ViolinMemory，計劃于周一宣布完成規模達5000萬美元的D輪融資。該公司迄今為止已累積獲得投資資金8億美元。
參與此輪融資的投資者包括有：出于戰略考量的日本芯片和電子產品制造商東芝、網絡設備生產商Juniper、德國商務軟件巨頭SAP，以及投資機構Highland資本。
此外，Violin首席執行官唐·巴斯勒(DonBasile)還透露，公司正在為今年底的IPO計劃尋找合適的銀行家。
“上周我們進行
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ViolinMemory 閃存
行業領先的并行和串行NOR閃存芯片供應商Spansion公司(紐約證交所代碼：CODE)，日前宣布已經開始批量生產512 Mb Spansion FL-S串行(SPI) NOR閃存，該芯片是業界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產品容量涵蓋128Mb至1Gb，具有比同類競爭產品快三倍的業界領先編程速度和快20%的雙倍數據讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應用中極大地提高了用戶體驗，例如汽車組合儀表盤和信息娛樂系統、工業和醫療圖形顯示以及家用網關和機頂盒。
S
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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