閃存文章最新資訊

Spansion推出全球首款每單元四比特閃存

Spansion推出 MirrorBit® Quad技術(shù)——全球首款每單元四比特閃存 Spansion™ MirrorBit Quad 技術(shù)將與來自媒體存儲事業(yè)部的解決方案共同為電子設(shè)備拓展創(chuàng)新的閃存產(chǎn)品 Spansion （Nasdaq: SPSN）演示了業(yè)界首款每單元四比特閃存技術(shù)的工作芯片。該芯片由其位于得克薩斯州奧斯汀的Fab 25制造。Spansion™ Mir
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Micron35億美金押寶NAND閃存

美國半導(dǎo)體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。　　產(chǎn)業(yè)分析師認為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計算機產(chǎn)品、消費電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競爭對手的NAND大戰(zhàn)當中保持優(yōu)勢地位。　　美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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Spansion將CryptoFlash集成到處理器中

Spansion宣布將Discretix CryptoFlash集成到針對手機的Spansion安全處理器中 Spansion 宣布，Discretix的CryptoFlash™ 安全技術(shù)將集成到Spansion的安全處理器中，用于基于閃存的手機安全解決方案。Discretix位于以色列的尼坦亞，在針對閃存和便攜式產(chǎn)品方面，是嵌入式安全解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商。 Spansion基于內(nèi)存的手機安全解決方案適用于各類手機市場，能夠保護珍貴的個人信息、內(nèi)容和
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飛思卡爾推出Power Architecture™技術(shù)MCU

　　飛思卡爾半導(dǎo)體在微控制器（MCU）技術(shù)領(lǐng)域再次取得突破，進一步推動了下一代傳動控制系統(tǒng)設(shè)計和其它汽車控制應(yīng)用的創(chuàng)新步伐。該公司的旗艦產(chǎn)品MPC55xx 汽車控制系列的基礎(chǔ)是Power Architecture™技術(shù)，現(xiàn)在新增了一款MPC5566 ——首款集成了3兆閃存的32位MCU。　　　　MPC5566微控制器在當今業(yè)界的MCU上嵌入了最大的閃存容量。通過滿足汽車應(yīng)用對更大嵌入式內(nèi)存的不斷增長的需求，MPC5566能幫助
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意法車用32-Mbit閃存演繹更高存取性能

新技術(shù)給 M58BW32F帶來多項重要功能，包括低壓操作、更高存取性能、靈活的保護機制意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一個新的專門為汽車市場開發(fā)的升級版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因為能夠在汽車的全程溫度范圍內(nèi)對存儲器進行高速存取操作，所以特別適合汽車客戶對傳動系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求，同時還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車系統(tǒng)。新產(chǎn)品M58BW32F采用先進的0.11微米制造技術(shù)，汲取了ST在獨立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年
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三星8GB60納米閃存用于便攜式播放設(shè)備

三星在一個月內(nèi)將NAND的容量提高了四倍。三星宣布，公司開發(fā)出了一種8GB 的NAND閃存設(shè)備。這種新的高容量多級單元（MLC ）閃存是基于60納米的制造工藝，與70納米的產(chǎn)品相比，60納米工藝可以讓產(chǎn)量提高25%。有了這種最新的技術(shù)，三星能夠向消費者提供8GB 內(nèi)存的解決方案，它采用兩個4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。
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閃存市場混沌現(xiàn)代與三星價格戰(zhàn)一觸即發(fā)

美國東部時間7月13日（北京時間7月14日）消息：據(jù)業(yè)內(nèi)觀察員稱，市場上表現(xiàn)出來的NAND閃存價格即將上揚的第一個信號還沒有維持多久，在高密iPod nano可能會延期發(fā)布的傳言中，7月份最新的主流芯片市場動態(tài)已經(jīng)預(yù)示出NAND閃存的價格可能會再下跌10％。據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士說，現(xiàn)代半導(dǎo)體公司和三星電子公司也都憋足了一口氣準備展開一場價格戰(zhàn)。　　　　雖然Gartner Dataquest研究公司認為計劃在今年四季度上市銷售的10-12GB
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閃存8年內(nèi)有望在筆記本上代替硬盤使用

　　三星電子在近日推出了首款閃存筆記本電腦。這款筆記本以32GB的NAND閃存完全替代了傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器。　　早在去年9月，三星與希捷在閃存是否會全面取代硬盤技術(shù)上展開爭論，三星高層預(yù)言，硬盤時代已步入黃昏，閃存時代即將來臨。希捷公司隨即反駁，認為閃存完全替代硬盤還為時尚早。　　從目前筆記本發(fā)展的趨勢來看，移動性強，省電等指標已經(jīng)成為用戶購買筆記本電腦時的重要考慮因素，未來筆記本將進一步在不影響性能的前提下向輕薄化和長電池使用時間發(fā)展，閃存
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英特爾稱不出售閃存業(yè)務(wù) 裁員下月出結(jié)果

　　6月23日消息，據(jù)外電報道，針對當前愈演愈烈的裁員傳聞，英特爾CEO歐德寧日前表示，最終的決定可能在下月財報分析師大會上宣布。　　據(jù)英國媒體報道，由于幾個季度的持續(xù)低迷，英特爾今年4月宣布，將對公司業(yè)務(wù)進行重組，其中包括裁員。此后，英特爾便先后關(guān)閉了蘇格蘭一小型工廠，取消了一光存儲平臺部門，另外還將兩個閃存部門合二為一。　　最近幾周，又有消息稱，英特爾最多可能裁員1.6萬人。同時，還將對部分業(yè)務(wù)進行重組，例如出售閃業(yè)務(wù)門等。對此，歐德寧
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閃存VS硬盤：消費電子帶來“共榮”

有國外媒體日前對包括硬盤和閃存在內(nèi)的存儲行業(yè)進行了一番分析。分析認為，硬盤和閃存之爭并不會帶來“你死我活”的局面，兩者通過相互競爭、技術(shù)進步，加上消費電子市場對存儲的需求不斷擴大，兩者的未來都很“光明”。　　日立全球存儲技術(shù)公司的高級副總裁比爾
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三星與索尼就長期供應(yīng)NAND閃存進行談判

三星電子近日證實，正在就供應(yīng)NAND閃存問題與索尼談判。三星發(fā)言人表示：“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進行談判，但是目前還沒有確定任何細節(jié)。” 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存，預(yù)計訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長期協(xié)議，在2010年以前將一直從三星進貨.
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常憶推出新型高速SPI閃存

　常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存，8Mb及16Mb也將在2006年推出，以供應(yīng)計算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商，提供球最高性能的串行外圍接口(SPI) 之串行閃存。　　新一代的PM25LV
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三星稱閃存市場06年再增30%

韓國三星電子在CES展會上表示，由于便攜式音樂播放器等的廣泛流行，預(yù)計2006年的NAND閃存市場將出現(xiàn)大幅增長。三星電子閃存營銷部門副主管Don Barnetson表示，去年全球NAND閃存總銷售額達100億美元，2004年為70億美元，三星這一急劇增長的市場中一直保持了60%的市場份額。
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閃存數(shù)字電視助IT產(chǎn)業(yè)在今年繼續(xù)復(fù)蘇

據(jù)韓國三星經(jīng)濟研究所預(yù)測稱，在數(shù)字電視和NAND閃存芯片強勁銷售的推動下，2006年全球信息技術(shù)行業(yè)將繼續(xù)復(fù)蘇。據(jù)Asia Pulse網(wǎng)站報道，三星經(jīng)濟研究所在一篇報告中稱，全球信息技術(shù)行業(yè)在2005年第二季度觸底之后已經(jīng)進入了復(fù)蘇的軌道。在數(shù)字電視和NAND閃存芯片銷售的推動下，IT行業(yè)在2006年將繼續(xù)復(fù)蘇。 &
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采用Saifun NROM技術(shù)中芯國際進軍閃存

　　中芯國際與Saifun半導(dǎo)體日前共同宣布，中芯國際將采用Saifun的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲卡。　　Saifun的NROM技術(shù)在非易失內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域是一個突破。NROM技術(shù)將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節(jié)，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術(shù)簡化了存儲單元的器件模型，減少了生產(chǎn)步驟，降低了生產(chǎn)成本。　　“閃存存儲卡市場對于我們未來的發(fā)展而言是一個重要的驅(qū)動力，”中芯國際首席營運官Marco Mora表示，“在雙方簽署的第二份協(xié)議中，我們將Saifun先進的技術(shù)和中
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]