閃存 文章 最新資訊
閃存價格雪崩 廠商遭遇生死劫
- 前幾天,晚上8點剛下飛機(jī)的華南地區(qū)閃存芯片貿(mào)易商陳耀東,接到公司業(yè)務(wù)員緊急電話匯報:韓國三星1GB閃存芯片顆粒價格再度回降到6美元以內(nèi),僅比512MB規(guī)格芯片的拿貨價格高出幾元人民幣。“從512MB改1G并不那么容易。”業(yè)務(wù)員提醒道:“一些客戶可能要對現(xiàn)有產(chǎn)品電路板模具和操作軟件進(jìn)行修改,隱性成本反而提高”。 成本倒逼 閃存芯片作為制造U盤、MP3以及存儲卡的主要原材料芯片,占到全部成本的60%~70%。記者近日了解到,由于三星、現(xiàn)代等主力閃存革新生產(chǎn)工藝,1G規(guī)格閃存已全面切換為新制程工
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英飛凌推出擁有10萬個讀/寫周期的8位閃存微控制器
- 英飛凌科技股份公司宣布推出一個8位嵌入式閃存微控制器(MCU)產(chǎn)品家族,該產(chǎn)品家族可用于高達(dá)+140
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韓國成功開發(fā)8納米級閃存元件
- 韓國科學(xué)技術(shù)院研究人員13日宣布,他們已成功開發(fā)出世界最小的8納米級三維非揮發(fā)性閃存元件。 據(jù)此項研究負(fù)責(zé)人、韓國科學(xué)技術(shù)院電子計算機(jī)系教授崔陽奎和納米綜合制造中心負(fù)責(zé)人李熙哲介紹,由這種8納米級閃存元件制成指甲大小的存儲芯片,就可儲存1000多部DVD電影。 據(jù)介紹,這種8納米級閃存元件有望開啟兆兆位(萬億比特)級內(nèi)存時代,并在10年后完全實現(xiàn)商用化。 韓國科學(xué)技術(shù)院計劃于今年6月12日在日本京都舉行的國際學(xué)術(shù)會議上公布相關(guān)研究成果。
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Spansion 發(fā)布 MirrorBit HD-SIM 解決方案開發(fā)計劃
- Spansion發(fā)布了其MirrorBit® HD-SIM™系列的產(chǎn)品開發(fā)計劃,該系列是Spansion下一代基于閃存的SIM卡解決方案。Spansion® HD-SIM解決方案能夠提供更高的靈活性、性能和存儲容量,幫助移動網(wǎng)絡(luò)運營商、內(nèi)容和應(yīng)用提供商為其客戶提供全新的差異化服務(wù)。Spansion MirrorBit HD-SIM解決方案不僅能支持分發(fā)、存儲和訪問SIM卡上存儲的數(shù)字內(nèi)容,還能提供先進(jìn)的安全性能和加密功能,加強(qiáng)數(shù)字保護(hù)。 安全的MirrorBit HD
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ST推出新的汽車級32-Mbit NOR閃存
- ST推出一個新的符合汽車級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車儀表板系統(tǒng)、汽車多媒體和其它的需要快速訪問大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門設(shè)計。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度,該系列還將增加一個64-Mbit的NOR閃存IC,到2007年底,還將增加一個128-Mbit的NOR閃存。 采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝,M29W320可以在2.7V到3
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ST推出新的汽車級32-Mbit NOR閃存
- ST推出一個新的符合汽車級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車儀表板系統(tǒng)、汽車多媒體和其它的需要快速訪問大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門設(shè)計。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度,該系列還將增加一個64-Mbit的NOR閃存IC,到2007年底,還將增加一個128-Mbit的NOR閃存。 采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝,M29W320可以在2.7V
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閃存價格持續(xù)狂跌 SanDisk計劃裁員降薪
- 由于NAND閃存芯片,全球最大的閃存卡制造商SanDisk近期傳出消息,計劃裁員10%。 同時,SanDisk計劃調(diào)的所有的高管的薪水,其CEO Eli Harari將減薪20%。 SanDisk公司的CEO Eli Harari明確指出,由于新的晶元廠廠生產(chǎn)超過消費者需求,導(dǎo)致閃存卡產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)能過剩。而為了維持市占率,SanDisk將繼續(xù)調(diào)價產(chǎn)品售價30%~40%,甚至低于去年Q4的價格水平。 不斷下降的閃存價格還影響到了SanDisk和M-syst
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東芝增產(chǎn)與三星決戰(zhàn)2008年閃存市場
- 東芝繼在第四季度利用三星NAND型MLC制程閃存產(chǎn)能投產(chǎn)不順而在市場上四處活躍,全力為自己產(chǎn)品打造輿論優(yōu)勢后,日前再度放言將在后年將大量增加NAND型閃存產(chǎn)能,期待2008年的最終產(chǎn)能能夠比今年年底增長2倍以上,此言一出引起業(yè)界一陣轟動,有業(yè)內(nèi)人士評論稱,大家都在擴(kuò)產(chǎn)備戰(zhàn),未來NAND型閃存供給情況將不可避免面臨過剩局面,產(chǎn)業(yè)利潤很快會被稀釋。 根據(jù)東芝半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人室町正志表示,東芝期待在2008年年底產(chǎn)較今年年底增長2倍多,達(dá)到月產(chǎn)30萬片12寸晶圓的目標(biāo)。為了達(dá)成這個目標(biāo),東芝將投入大量資金全
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新內(nèi)存芯片材料實現(xiàn)速度高于閃存千倍
- 北京時間12月12日消息,據(jù)國外媒體報道,由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢達(dá)(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團(tuán)隊近日表示,已開發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內(nèi)存的材料;與當(dāng)前常用的閃存相比,相變內(nèi)存運行速度高于前者500~1000倍,能耗也將大幅度降低。 據(jù)悉該新型材料為復(fù)合半導(dǎo)體合金。IBM納米科學(xué)部門資深經(jīng)理斯派克
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ST針對PC BIOS應(yīng)用推出4 KB存儲段粒度的16-Mbit頁式可擦除串行閃存
- 意法半導(dǎo)體(ST)針對PC BIOS應(yīng)用推出4 KB存儲段粒度的16-Mbit頁式可擦除串行閃存 最高50MHz SPI兼容總線,快速頁式擦除,標(biāo)準(zhǔn)引腳,M25PE16是參數(shù)代碼存儲的最佳解決方案 意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼: STM)宣布,M25PE系列頁式可擦除串行閃存產(chǎn)品新增一個段粒度4-Kbyte的16-Mbit存儲器芯片,該產(chǎn)品是PC BIOS應(yīng)用以及光驅(qū)、數(shù)字錄音機(jī)、網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品以及機(jī)頂盒(STB)等消費電子存儲應(yīng)用的最佳選擇。作為
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英飛凌32位芯片卡閃存微控制器喜獲2006年最佳硬件創(chuàng)新類Sesames大獎
- 英飛凌科技股份有限公司(FSE/NYSE:IFX)日前宣布,英飛凌32位安全芯片卡閃存微控制器家族喜獲2006年最佳硬件類Sesames大獎。獲獎消息是在巴黎Cartes展會開幕前夕公布的。 如今已走過11個年頭的Sesames大獎旨在表彰芯片卡行業(yè)的杰出創(chuàng)新和應(yīng)用成就。積極投身芯片卡行業(yè)的國際評審團(tuán)從參與10項Sesames大獎角逐的203家公司中挑選出最終的獲獎?wù)摺*勴楊悇e包括“最佳硬件”、“最佳軟件”和“最佳應(yīng)用”等等。英飛凌32位芯片卡閃存微控制器
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閃存太貴消費電子產(chǎn)品增長將推動硬盤猛增
- 據(jù)外電報道,專業(yè)人士近日指出,雖然遇到閃存這類競爭性技術(shù)的挑戰(zhàn),但在2010年之前,硬盤驅(qū)動器將仍然是不斷增長的消費者電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件。 In-State公司近日發(fā)表研究報告稱,隨著消費者用電子產(chǎn)品繼續(xù)成為增長速度最快的應(yīng)用之一,全球硬盤驅(qū)動器出貨數(shù)量將從2005年的3.8億臺增至2010年的7.48億臺, In-State公司分析師Ehier說:盡管硬盤驅(qū)動器已經(jīng)小到足以裝進(jìn)絕大多數(shù)便攜消費者電子設(shè)備,但競爭性儲存解決方案,比如日益增長的閃存能力,在繼續(xù)威脅硬盤市場。&
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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