- 據閃存業者透露,包括威剛,創見,勁永,以及閃存控制器制造商群聯在內的多家臺系閃存產品供應商已經開始從閃存芯片廠商SanDisk那里以成片晶圓的形式訂貨。消息來源并指出SanDisk與其合作伙伴東芝已經開始打入臺系閃存產品市場,開始為以上這些臺系閃存廠商供貨。自從2008年9月份開 始,SanDisk要進入臺灣閃存芯片市場的消息便開始流傳,不過直到今天這個傳言才變成現實。
SanDisk此前與部分臺系閃存廠商之間曾因NAND閃存專利官司鬧得不可開交,前者甚至還在美國起訴這些閃存廠商,不過現在San
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SanDisk 閃存芯片
- 最近NAND閃存芯片產業內部的競爭激烈程度已經到了白熱化的階段,今年一月份,Intel-鎂光聯盟剛剛宣布將在今年量產25nm制程NAND閃存芯 片,其對手SanDisk-東芝聯盟便隨后以牙還牙,宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產品。
據SanDisk公司展示的產品發展路線圖顯示,SanDisk-東芝聯盟推出的24nm制程NAND閃存芯片將可適用于兩位元存儲單元設計和三位元存儲單元設計。而Intel-鎂光聯盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲單
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SanDisk NAND 閃存芯片
- 消息人士周三透露,東芝未來三年內將投入8000億日元(約合89.4億)美元,在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。
報道稱,東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠,但受經濟衰退致產品需求下滑的影響,東芝隨后取消了該建廠計劃。
市場調研公司iSuppli此前發布報告稱,全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場,其NAND閃存
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東芝 NAND 閃存芯片
- 南韓Hynix公司本周二宣布,繼半年前成功開發出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品,并于去年8月份開始量產這種閃存芯片之后,他們已經于日前成 功開發出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產品.
按閃存芯片市占率計算,Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位,僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據此前的報道顯示,三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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Hynix 26nm NAND 閃存芯片
- 據Lazard 資本市場公司的分析師Daniel Amir預計,美光與Intel的合資閃存公司IM Flash將繼續進行新加坡300mm閃存芯片廠的興建計劃。該公司早些時候曾宣布會在新加坡新建這家300mm芯片廠,不過后來公司宣布由于業務方面的 原因暫緩執行這項計劃。目前IM Flash公司旗下僅在猶他州擁有一間300mm芯片廠。
Daniel Amir表示:“我們認為美光公司將繼續努力增加其在閃存市場的份額,他們目前已經開始為新加坡300mm芯片廠訂購生產設備.不過由于Intel目
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Intel 300mm 閃存芯片
- 英特爾公司和美光科技計劃下周公布閃存芯片的新進展。
兩家公司有一個生產NAND閃存芯片的合資企業,這種芯片應用于手機,音樂播放器和其他驅動器上。
2009年,兩家公司表示,它們正開發提高閃存芯片性能的技術,在芯片的存儲單元上存儲三位數據。大多數NAND芯片單元儲存一位或兩位數據。
這樣,兩家公司就能以更高的存儲性能,更低的成本生產芯片。
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英特爾 NAND 閃存芯片
- 1月19日,“909工程升級改造———12英寸集成電路生產線項目”啟動儀式在上海宏力半導體制造有限公司舉行。中共中央政治局委員、上海市委書記俞正聲與全國政協原副主席胡啟立共同啟動了項目啟動裝置,上海市委副書記、市長韓正與國家發展和改革委員會副主任張曉強、工業和信息化部副部長婁勤儉、科技部副部長曹健林共同為上海華力微電子有限公司揭牌。
中國科學院副院長江綿恒,上海市委常委、常務副市長楊雄出席項目啟動儀式,并分別代表中國科學院和上海市委、市
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宏力半導體 集成電路 邏輯芯片 閃存芯片
- 韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發現韓國或其他地區閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據。
該機構調查了四家NAND閃存制造商。在被調查的四家廠商中,兩家位于韓國,其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設備,包括數字音樂播放器、數碼相機和手機。
根據三星電子和東芝的說法,今年8月,美國司法部也結束了這樣的調查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。
市場調查公司iSuppli的數據顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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海力士 NAND 閃存芯片
- 據業者透露,韓國廠商生產的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩定性和耐用性方面不如現有兩位元型產品,不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據消息來源透露,這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區的市場發售,不過目前部分銷往美國市場的產品已經由于產品質量不穩定而遭到客戶的退貨。
據閃存控制芯片的廠商表示,三位元型MLC NAND閃存芯片技術目前還處在初級發展階段,由于可能存在一些兼容性等方面的問題,因此需要3個月的時間對這種新產品進行充分的測試。
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NAND 閃存芯片
- 據國外媒體報道,消息人士周一透露,東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產。到2010年4月底,東芝的閃存芯片生產規模將擴大40%。
報道稱,東芝當前還計劃在2012年3月之前,為半導體產業投資總計5000億日元。市場調研公司iSuppli上周發布研究數據顯示,今年第三季度全球NAND閃存市場業績強勁,東芝表現最為搶眼,營收環比增長近50%。
iSuppli的報告稱,全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達39.4億美元。
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東芝 NAND 閃存芯片
- 臺灣閃存芯片生產商旺宏電子新聞發言人林云龍今日表示,公司正考慮收購茂德科技旗下一座12英寸芯片生產工廠,他稱“希望在農歷新年前完成這樣一筆收購交易”,但拒絕透露其中細節。
有臺灣媒體報道稱,旺宏電子此舉為滿足市場對閃存芯片的強勁需求,同時旺宏電子將斥資50億元新臺幣收購該工廠,預計在明年第一季度完成交易。
目前,茂德科技方面尚未就此事發表評論。
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茂德 閃存芯片
- 美國內存大廠SanDisk近日公布第3季財報,意外由虧損轉為強勁獲利,主要由于銷售額優于預期,以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內存制造商持續受惠于閃存芯片市場好轉趨勢。
據國外媒體報道,SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分,改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后,每股獲利則為76美分,優于分析師預期的每股26美分。
該季營收增長14%至9.352億美元,遠優于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元,以及分析師預期的7.87
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SanDisk NAND 閃存芯片
- 鎂光34nm制程企業級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段,MLC部分的存儲密度可達32Gb,寫入壽命達3萬次,是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb,寫入壽命同樣為3萬次,是普通SLC產品的3倍.
鎂光這次開發成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規范(Open NAND Flash Interface),數據傳輸率最高可達200MB/S,而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示,明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
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鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
- 晟碟(SanDisk)今日推出了新的先進閃存芯片生產技術,旨在進一步幫助芯片生產商提高利潤。
晟碟表示,已經開始向零售商供應采用這項名為X4的新技術的數據存儲卡,這種存儲卡包含容量為64G的閃存芯片,較當前市場上流通的芯片存儲能力高出一倍。
晟碟稱,X4技術將有助于降低閃存芯片的生產成本,從而提高該公司及其生產伙伴東芝的利潤率。
晟碟總裁兼首席營運長Sanjay Mehrotra表示,該公司將采用了X4技術的芯片植入現有存儲卡內,但并未在產品標簽上作出區分,定價也沒有變化,從而實現了
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SanDisk 閃存芯片 X4
- 日本最大閃存芯片制造商爾必達表示,可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產量,達到公司芯片總產量的一半。
爾必達發言人表示,公司計劃今年開始大規模生產這一產品。他說,為了反映市場狀況,爾必達決定加快投資步伐。
爾必達、三星電子、海力士半導體等芯片制造商正在降低芯片尺寸,以增加一片晶圓所能切割出的芯片數量,以此降低成本,應對產品價格不斷下滑的局面。爾必達說,從當前的50納米技術轉向較小的芯片尺寸,公司可以將每片晶圓的芯片產量提高44%。
亞洲最大半導體現貨市場
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爾必達 40納米 閃存芯片
閃存芯片介紹
閃存芯片 目錄
閃存芯片簡介閃存介紹
閃存的分類
閃存的速度其實很有限
NAND型閃存的技術特點擦除操作
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決定NAND型閃存的因素1.頁數量
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