- 鎂光34nm制程企業級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產品的3倍.
鎂光這次開發成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
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鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
- Intel雖然提前發布了34nm工藝X25-M固態硬盤，并火速出現在市面上，但很快就曝出了固件缺陷，不得不暫時停止銷售。
第一批出貨的34nm X25-M固態硬盤使用的固件版本為02G2，經Intel確認其中存在一個bug，會在用戶取消或更改BIOS硬盤密碼的時候造成固態硬盤無法使用。
Intel表示會盡快發布新版固件，已經購買甚至不幸中招的消費者可以聯系Intel客戶支持部門，尋求更換新品或者退款。
盡管影響不大，但先期開賣的商家均掛出通知，提醒消費者注意，特別是在搶得首發的日本秋
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英特爾 固態硬盤 34nm
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