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- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。
MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優點。
TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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閃存 MRAM
- MRAM以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經推出這種存儲技術的原型。
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閃存 MRAM
- 根據臺灣市場研究公司Trendforce的最新報告，蘋果將在2015年購買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM只能將數據保持很短的時間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內存。
在iPhone和iPad中，蘋果通常會配備1GB運行內存，而Mac配備的內存可以高達16GB。在PC的世界中，使用更高的內存可以讓系統運行速度更快，不過增加內存的方式現在已經逐漸被更換固態硬盤替代。在移
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蘋果 閃存
- 雖然規模和技術遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現在他們準備進軍新的市場領域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發的技術。
中芯國際進軍閃存，自主研發38nm NAND來了
NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產能都掌握在三星
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中芯國際 閃存
- 北京時間6月16日晚間消息，SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布，已同意以11億美元現金收購閃存設備制造商Fusion-io Inc(FIO)。
根據交易條款，SanDisk將為每股Fusion-io股票支付11.25美元，較該股上周五收盤價溢價21%。
SanDisk預計此項交易將于其第三財季完成，并將幫助提高其下半財年調整后每股盈利。
Fusion-io位于美國鹽湖城，主要為數據中心生產閃存產品和軟件;Sandisk位于加州
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- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業內率先提供此產品[2]。 這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速MIPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實現了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。
傳輸速度的加快可縮短各
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- 據悉，TDK株式會社(社長：上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。
目前，在消費用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關注，而在工業用途方面，預計M.2的采用也會得到推進。工業用主板所呈現出的趨勢是在重視轉發速度的同時，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過了10年。
因此，考
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TDK 閃存 SNG4A
- 行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對旺宏電子股份有限公司發起另外兩項專利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴大的存儲產品中，在過往以及當前持續侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國國際貿易委員會(ITC)與北加利福尼亞州聯邦地區法院遞交了起訴書。
涉案的四項專利主要與閃存的制造、結構以及使用相關。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
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Spansion 旺宏 ITC 閃存
- 2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業務部門營銷高級總監Amit?Gattani告訴《電子產品世界》，美光看好中國的前景，因為中國“十二五”計劃當中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節能環保，實現可持續發展，注重汽車產業的節能排放以及創新，這一切都和美光公司的戰略相吻合。 目前美光在上海有兩個設計中心，主要是做硬件和集成電路設計，比如開發NOR閃存等產品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統工程實驗室，旨在與客戶實現更好的合作，創新開發各種解決方案。此外美光
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- 全新Nytro產品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數據中心。企業級PCIe閃存和緩存解決方案在數據中心的應用快速增長。 LSI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進一步擴展了Nytro?產品組合。該閃存卡設計用于對磁盤數量和容量有較高要求的橫向擴展服務器和存儲環境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個SAS/SATA連接接口。相對于現有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數增加4倍。 LSI?&nb
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- 在今天開幕的英特爾信息技術峰會(Intel?Developer?Forum，IDF14)上，英特爾公司副總裁兼非易失存儲器解決方案事業部總經理Rob?Crooke就當今固態盤(SSD)的市場狀況、發展趨勢以及英特爾固態盤業務的策略進行了全面剖析。 日益增長的固態盤市場需求 從1987年至今，非易失性存儲器也早已從NOR時代切換到了NAND時代，閃存產品的容量更是從MB時代進入了TB時代。“首先，我們很高興地看到，固態盤在市場需求方面，將保持高速成長的勢頭，”?
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- 全球行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商?Spansion?公司與先進存儲與Integrated?Silicon?Solution?公司日前共同宣布，雙方已簽署授權協議。根據該協議ISSI?將能夠獲得?Spansion?的專利組合，以開發與生產特殊閃存產品。 ISSI?閃存業務開發部副總裁?Manjunatha?V.?Kashi?表示：“對于能夠與Spansion&n
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- 大多數可編程陣列使用易失性存儲器SRAM作為配置數據存儲元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲器(NVM)替代SRAM。基于NVM的FPGA是嵌入式IP應用的理想選擇，其架構和許多增強功能可改善芯片集成度、IP使用率和測試時間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測方案。
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- RL78產品的閃存，分為數據閃存區和代碼閃存區。數據閃存區用于存儲數據，而代碼閃存區用于用戶代碼及數據的存儲。對于無內置數據閃存區的產品，使用代碼閃存區存儲數據，通常是成本導向的最佳方案。本文中作為示例的RL78/I13，是一款具有內置數據閃存區的產品，但是它的代碼閃存區也可兼作數據閃存區。
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- 全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社日前宣布其已研發出業內首項應用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識產權(IP)。 現代發動機油耗不斷降低，要求新型控制機制能夠對應新式燃燒方法的引入以及小型化所帶來的進一步系統升級。高速實時處理，例如根據對多個傳感器的反饋而產生的載荷變化在多種控制算法之間進行動態切換將成為必備功能，車用MCU中將需要具備當前性能的三到五倍的性能。此外，隨著ECU數目的不斷增多，如果我們考慮電源方面的限制，比如汽車臨時停車時關掉發
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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