據來自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。
Spansion高層拒絕對這座名為SP1工廠的狀態進行評論。“SP1是Spansion Japan的資產，目前正在對可能的重組方案進行評估。我們繼續和Spansion Japan緊密合作，并通過我們內部和外部的資源，對客戶的要求進行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。
2007年，Spansion啟用業界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
關鍵字：
閃存 NOR 300mm
那些鼓吹基于閃存的SSD硬盤技術的人可能要感到失望了，因為據最新的研究結果表明，如果磁盤技術按現有的速度發展下去，那么到2020年，雙碟2.5寸 硬盤的容量將能達到14TB左右，價格則會降到40美元的水平(目前500GB硬盤普遍售價為100美元左右),仍然具有相當的競爭力。而盡管基于閃存的SSD硬盤產品由于在讀寫性能，省 電性能方面更為優秀，正在日漸流行，但其每GB折算價格卻接近磁盤式硬盤的10倍,另外，閃存技術在2020年之前很可能會遇到性能發展上的瓶頸，這使基 于閃存的SSD硬盤即使在10年或更久
關鍵字：
SSD 閃存 磁盤
研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數供貨商已接獲部份電子系統廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續地上揚。
16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖
集邦科技指出，在10月到11月，多數NANDFlash供貨商份仍將優先供貨給電子系
關鍵字：
NAND 存儲 閃存
賽迪網訊 9月20日消息，據國外媒體報道，調研公司In-Stat預計，到2010年70%的存儲設備將支持USB3.0標準。
早在2007年，USB 3.0標準就已經建立。USB 3.0的數據傳輸速度可達到4.8Gbps，是USB2.0的10倍，為傳輸大容量文件帶來了方便。
In-Stat稱，USB 3.0設備將于明年開始進入市場，并將在未來幾年內漸成主流。到2012年，預計70%的存儲設備將支持USB3.0，其中包括硬盤、閃存和便攜播放器等。
關鍵字：
存儲設備 USB3.0 閃存
美國從事半導體相關市場調查的IC Insights發布預測稱，NAND閃存市場將迎來價格上升局面。IC Insights預測，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價格將繼續保持上升趨勢。
IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場進行調查以來，NAND閃存的供貨量低于上年業績的只有2001年一次。該公司預測，今后到2013年供貨量將穩步增加。全球經濟低迷的2009年也不會例外。
供貨容量也將大幅增長。即使是全球經濟低迷的200
關鍵字：
三星 NAND 閃存
根據IC Insights近期發布的McClean Report年中更新版顯示，閃存市場將發生變化，在未來幾年將從買方市場轉向賣方市場。
閃存出貨量和位需求量預計將增長，但閃存產能的投資這兩年正在減小。IC Insights預計2009年閃存資本支出將下滑至前一年的25%，約30億美元。這將為2012年前的平均銷售價格帶來上行壓力。
2009年閃存銷售量仍將增長，盡管經濟形勢極具挑戰。受手持設備、無線消費電子、電腦和通訊設備需求的帶動，閃存位出貨量在2005年至2008年之間達到了三位數百
關鍵字：
消費電子 閃存 手持設備 通訊設備
“2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產業鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業營銷總監John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況，以及公司為脫離破產保護而進行的戰略調整。
Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
關鍵字：
Spansion DRAM 閃存
NAND閃存產業正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產能需要和產品需求“失去了關聯”。NAND閃存糟糕的產業模式使廠商對建新廠失去興趣。
積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現在為7000PB。當前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長，其中包括最有潛力的市場驅動力——嵌入式移動應用市場。
Harari在閃存峰會的主題演講中
關鍵字：
SanDisk NAND 閃存
耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續幾分鐘而無需刷新。
耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節點。
“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
關鍵字：
存儲器 DRAM 閃存 FeDRAM
市場研究公司IC Insights指出，第二季度芯片市場銷售額的反彈使IC廠商排名發生了較大變化。
以銷售額來計，第二季度排名上升的公司有Hynix、MediaTek和TSMC。排名下滑的有AMD、Freescale和Fujitsu。
Intel仍然位居榜首，Samsung、Toshiba、TI緊隨其后。由于第二季度表現突出，TSMC從第十躍至第五。
ST排名第六，后面依次是Qualcomm、Renesas和Sony。Hynix從第13名升至第10名。另一個排名上升的公司是Media
關鍵字：
AMD 手機芯片 閃存 汽車電子
周一消息 研究機構iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現象，大幅削弱了之前對2009年固態硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。
iSuppli專研行動和新興內存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業市場的銷量就會減緩。
多層單元(MLC)規格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
關鍵字：
NAND 閃存 MLC
據國外媒體報道，正準備搶攻快速成長上網本市場的SanDisk，在周二臺北電腦展上發布了新款閃存產品。
SanDisk此次推出SDHC閃存記憶卡，以及固態硬盤PSSD，共P2及S2兩款產品。SanDisk的競爭對手包括美光、三星電子、海力士等。
SanDisk公司所推出的固態硬盤，特別適合用于以ARM微處理器為核心的上網本，不過SanDisk高管指出，該產品也可以用在以英特爾Atom為核心的系統。固態硬盤是使用閃存作為儲存媒介，耗電量較傳統硬盤低。
SanDisk認為，閃存芯片速度更快
關鍵字：
SanDisk 閃存 固態硬盤
科學家們日前研制出一種新型存儲設備,其最大特點是存儲容量大,保存時間久.
這種新型存儲設備其實就是鐵顆粒被密封在中空的納米管內,通過鐵顆粒在納米管內來回穿梭作為一種有效的存儲方式.研究人員表示,這種存儲設備每平方英寸可 存儲1TB(1000G)數據,較當前存儲技術更為有效.此外,新設備的數據保存時間更持久,可長達10億年,甚至更久.
相比之下,當前的存儲技術根本無法將數據保持如此之久.例如,普通的閃存技術只能保存數據3至5年.
寫在羊皮紙上的《末日手記》(Doomsday Book)
關鍵字：
存儲 閃存 納米管
據國外媒體報道，三星電子周三宣布，以更低的許可價格，與美國芯片生產商SanDisk續簽了7年的NAND閃存技術許可協議，不過協議規定三星必須向SanDisk供應芯片。
三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協議是2家公司內部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費將是當前協議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對于今天宣布的協議我們感到非常滿意，此外，繼續獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。
新協
關鍵字：
三星 NAND 閃存
閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473