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閃存 文章 最新資訊

SanDisk首席執行官稱摩爾定律未來5年后失效

  •   消息稱,閃存產品廠商SanDisk首席執行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未來5年后摩爾定律將會失效.   摩爾定律是英特爾聯合創始人戈登·摩爾(Gordon Moore)1965年提出的,內容是:芯片上集成的晶體管數量每兩年將翻一番.哈拉里說,閃存容量在過去19年中翻了14番,遠高于摩爾定律,但閃存芯片容量可能還只能再翻兩番.   哈拉里表示,閃存芯片容量將受限于每個存儲單元的電子數量.最初,每個存儲單元的電子數量數以百萬計,現在已經減少到了數百個.哈拉里
  • 關鍵字: SanDisk  閃存  摩爾定律  

美硅谷公司開發出數據存儲新技術 有望取代NAND閃存

  •   美國硅谷一家公司19日宣布開發出一種新技術,并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。   這家名為“統一半導體”的公司發布新聞公報說,新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有NAND型閃存芯片的4倍,存儲數據的速度有可能達到后者的5倍到10倍。   NAND型閃存因為存儲容量大等特點,目前在數碼產品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為,NAND型閃存未來可能遭遇物理極限,容量將無法再進一步提高。“統一半導體”表示,其制造的新型存儲器旨在
  • 關鍵字: 存儲器  NAND  閃存  

Spansion一季度調整盤點 為重組精心準備

  •   經歷了2月35%的大裁員、Spansion Japan申請破產保護,以及易帥風波之后,Spansion發布了截至到2009年3月29日的第一財季財報。   好消息是第一季度的閃存市場具有一個相對穩定的價格環境,Spansion第一季度凈銷售額為4億美元。由于公司管理層實行積極舉措來降低成本,第一季度非GAAP運營總費用為1.12億美元,其中包括1300萬美元的重建費用,比2008年第一季度減少了約43%。凈虧損為1.12億美元,與2008年同期相比降低了800萬美元。截止至2009年第一季度,Spa
  • 關鍵字: Spansion  NOR  閃存  

三星發布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存

  •   三星電子宣布已開始出貨32GBmoviNAND,這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進的30nm工藝,適用于高端手機和其他移動消費電子設備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝,其存儲密度是當前40nm16Gb的兩倍。   每一個32GB moviNAND都有三部分組成,其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片;其二是一個MMC控制器,符合最新eMMCv4.3規范,支持縮短啟動時間的加電啟動功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個固件,能夠改善處理、存儲大容量數據
  • 關鍵字: 三星  嵌入式  閃存  

東芝全球首家出貨32nm工藝閃存

  •   東芝昨天宣布,于業界首家開始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中,全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨,主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示,首批32nm NAND閃存將主要用于存儲卡和USB存儲設備,未來會擴展到嵌入式產品領域。   目前,東芝是全球領先的32GB閃存供應商,使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應用將進一步提高生產效率,減小芯片體積,適應更高容量,更小巧的掌上產品需求。   東芝的32nm工藝32Gb
  • 關鍵字: 東芝  納米  閃存  

恒憶推出針對汽車和嵌入式應用的工作電壓為5伏的NOR閃存

  •   恒憶近日宣布公司正在擴展其主流NOR閃存產品線,其中包括恒憶™ Axcell™ M29F閃存產品。此器件工作電壓為5伏,非常適合汽車和嵌入式應用。該款NOR閃存的密度為16Mb、8 Mb、4 Mb及2 Mb,具有快速存儲執行、靈活及穩定等特性,適合于汽車、軍工、工廠自動化及航天應用。   汽車及嵌入式應用需要高質量、高可靠性及高穩定性的器件供給——有些要求達5年,或甚至更長。然而,大多數存儲器供應商趨于最新更新的技術,這些關鍵產品生產通常會斷斷續續,這
  • 關鍵字: Numonyx  嵌入式  閃存  

靈活應變 創新領航——恒億CTO兼副總裁Edward Doller

  •   由于全球性金融危機,很多公司正經歷前所未有的艱難時期。恒億(Numonyx)2008年5月成立,前身是Intel和ST的內存部門。公司自成立之初,就成為全球三大閃存供應商之一,最大的無線通信MCP(多芯片封裝,可融合多種內存技術)供應商。迄今為止,恒億財務狀況良好,2008年4季度速動比率*達到2以上,在同行中居領先地位。 Edward Doller 恒億CTO兼副總裁   恒億的策略是給客戶提供一套完整的解決方案,包括NOR、NAND、RAM和新一代存儲技術——PCM
  • 關鍵字: Numonyx  MCP  閃存  

閃速存儲器硬件接口和程序設計中的關鍵技術

  • 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫療設備、家用電器等領域。利用其信息非易失性和可以在線更新數據參數特性,可將其作為具有一定靈活性的只
  • 關鍵字: 關鍵  技術  程序設計  接口  硬件  存儲器  閃速存儲器  閃存  接口  CF  單片機  

Flash Memory作為數據存儲器在E5中的應用

  • 1. E5的特點及體系結構
    E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU,它是基于8051的內核,但將微處理器的內核,ASCI及可重構邏輯陣列集成與一體,構成一款CSOC(可配置系統)芯片。Triscend E5的主要特點
  • 關鍵字: E5  應用  存儲器  數據  Memory  作為  Flash  Triscend E5  閃存  映射  

業界稱Windows 7將推動NAND閃存芯片需求

  • 3月21日消息,內存廠商預計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求,因為這種新的操作系統為利用固態硬盤進行了優化。在當前的市場不確定的情況下,優化固態硬盤以便適應Windows 7已經成為固態硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
  • 關鍵字: 閃存  NAND  芯片  

恒憶首次登陸北京IIC盛會

  •   2009年3月5日,北京訊,第十四界國際集成電路研討會暨展覽會(IIC-China)作為中國最具影響力的電子行業盛會于3月5日在北京隆重開幕。恒憶(Numonyx)的首席技術官兼副總裁Edward Doller在大會上發表了重要主題演講,解讀存儲產業的不斷演進和目前所面臨的挑戰,并分享了恒憶在閃存領域的最新技術突破,以及當前在全球經濟危機下,公司如何保持持續領先的應對策略。   由于全球性金融危機,2008年對于很多公司都是不平凡的一年。大浪淘沙,在這種困難時期,恒憶公司憑借其先進的解決方案,
  • 關鍵字: Numonyx  閃存  IIC-China  

全球最大閃存芯片商破產中國區勉力自保

  • ??????? 金融危機下的消費疲軟引致芯片需求減弱、價格下跌。2009年的春天,對內存廠商來說無疑是個嚴冬。此前,芯片巨頭德國英飛凌旗下奇夢達公司申請破產保護,引發內存界動蕩;緊接著又傳出全球排名前十的芯片廠,中國臺灣茂德科技也將倒閉,有消息稱臺灣當局已放棄為茂德科技注資挽救。 ??????? 內存業的悲劇還在繼續上演。前日,全球最大NOR閃存芯片商美國飛索公司(
  • 關鍵字: Spansion  閃存  金融危機  破產  

飛索中國公司拒談破產影響

  •         飛索的今天,其實在當初AMD將其剝離的時候,就可以預見。閃存此前的優勢體現在工藝和制造技術上,目前早已不占優勢。         繼英特爾關廠、裁員、將核心業務外包,奇夢達破產之后,脫胎于芯片巨頭超威半導體公司 (AMD)的NOR閃存頭號公司——飛索半導體(Spansion)也在日前正式在其發端地美國提出破產保護申請。
  • 關鍵字: 飛索  閃存  

閃存芯片廠商Spansion將裁員3千人

  •         閃存芯片制造商Spansion公司近日宣布,將要裁員3000人,約占全部雇員的35%,并且全力開展營銷業務。   據國外媒體報道,Spansion公司總裁約翰卡斯彭特(John Kispert)表示,在全球經濟衰退影響下,為使公司的費用降低而做出了這一艱難決定。   然而Spansion的此項決定招來了很多不滿,由于公司在裁員之前臨時更改了降低高層管理人員10%薪酬的決定,而公司解釋稱,取消減薪是為了挽留人才。  
  • 關鍵字: Spansion  閃存  裁員   

傳全球頂級內存芯片廠茂德將倒閉

  •         2009年1月底,全球第二大DRAM公司,300mm晶圓工業的領導者和個人電腦、服務器、DRAM市場最大的供應商之一奇夢達已經宣布倒閉。該公司由總部位于德國的英飛凌科技在2006年5月分拆而成。         奇夢達的業務領域主要集中在DRAM內存領域。包括電腦主機中的DRAM內存條,電腦顯示卡的顯存顆粒,消費級DRAM內存,移動存儲裝置中的高速D
  • 關鍵字: 奇夢達  DRAM  閃存  
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閃存介紹

【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位,區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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