- 晶體管制造技術正迎來巨大的變化，柵極結構上新材料和新工藝的整合運用使芯片速度更快，功耗更低，從而使摩爾定律得以延續。近日，應用材料公司推出了一系列已被全面驗證的生產工藝，幫助我們的客戶在大規模生產中制造高K介電常數/金屬柵極（HK/MG）結構。 從45納米的邏輯芯片開始，由于晶體管的尺寸太小，傳統的柵極材料無法使用，過多的漏電流使晶體管發熱并消耗額外的能量。HK/MG結構可以降低柵極漏電流100多倍，并大大加快晶體管的開關速度。舉個例子來說，如果2006年付運的所有微處理器都采用了HK/MG技術，那么一年
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消費電子 應用材料 高K介電常數 元件 制造
高k介電常數介紹
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