- Intel雖然一再強調自己的xxnm工藝才是最精確的，比如同樣標稱10nm，自己要比三星、臺積電的領先整整一代，但是沒辦法，人家的腳步要快得多。
今天，三星電子又宣布了新的11nm FinFET制造工藝“11LPP”(Low Power Plus)，并確認未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻。
三星11LPP工藝不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工藝)，可以大大縮小芯片面積，另一方面則沿用14nm LPP工藝的部分元素。
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三星 11納米
- 英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發生在2015年。
Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。
在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時,進入量產
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英特爾 11納米 EUV
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