- 本文針對具有快速瞬態變化和噪聲敏感特性的負電壓軌應用，提出了一種反相降壓-升壓解決方案。其中采用了一款單芯片降壓轉換器，在反相降壓-升壓(IBB)拓撲結構中融入了Silent Switcher 3(SS3)技術。此解決方案經過了全面測試，能夠滿足多項關鍵要求，包括負載瞬態峰峰值電壓最小化、低頻噪聲最低化、有效縮小大容量輸出電容和電感尺寸、保持高效率運行。得益于對SS3技術高速性能的充分發揮，此解決方案的整體性能得以進一步優化升級。
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202509 噪聲敏感 快速瞬態負電壓軌 負電壓電源
- 電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩定可靠的數據。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現出多項優勢。比如僅需 1 臺帶前
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202509 SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
- 根據日經亞洲的消息，臺積電3名（前）工程師員工被逮捕，涉嫌泄露臺積電2nm工藝的機密技術內容。
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202509 臺積電 2nm
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