- 根據市場研究機構iSuppli的預測，在經歷短暫的緩沖之后，DRAM內存廠商的市場條件從9月份起將再次變得惡劣。iSuppli此前預期在結束了二季度嚴重的價格下跌之后，市場將保持目前的相對強勢，直到10月份價格才會再次下跌。但是iSuppli現在預期價格下跌提前了一個月，9月份就會開始。 近期的DRAM內存市場供應鏈由于廠商和分銷商仍在繼續處理存貨造成大量的不確定性，因而市場條件也處在不斷變化中。而且由于液晶顯示器供應不足導致價格上漲，也將促使一些個人電腦削減了對內存的預算，造成DRAM內存現貨市
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- NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類型，強調可靠性的NOR 主要用途在于應用程序和操作系統儲存(Code Storage)，成本較低的NAND 則主要使用于數據儲存(Data Storage)方面，近來由于手機、數字相機、數字音樂播放機、可攜式媒體播放機(PMP)、機頂盒(STB)等終端產品的需求旺盛，帶動兩者銷售量持續成長，尤其NAND 在蘋果計算機推出的數字音樂播放機iPod 熱賣
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- 根據內存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發表的最新報告，七月上旬NAND Flash合約價出爐；SLC市場供給吃緊、合約價大漲，平均漲幅約15%~30%。而根據集邦的研究數據來觀察，整體NAND Flash需求將在本季超過供給，下半年NAND Flash產出將供不應求。 在MLC部分，集邦表示，因供貨商持續將產能轉往8Gb以上的產品，另外加上iPhone題材所帶來的預期心理，4Gb產出日益降低而大漲30%，高容量MLC也順勢漲了
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- 相變內存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內存業界熱門研發主題之一，針對此一新式內存技術發展趨勢與廠商專利現況，工研院IEK-ITIS計劃發表最新研究報告指出，臺灣地區已有不少廠商投入該技術的研發，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領域發展機會較大。 工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當時半導體工藝技術，相變化材料在2000年以前的商業應用還是以光盤片為主
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- 本文就目前在智能儀器儀表領域中獲得廣泛應用的DSP(數字信號處理器)，介紹了如何把液晶顯示模塊用做DSP系統顯...
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- 北京時間7月19日硅谷動力從國外媒體處獲悉：市場研究機構iSuppli在內存市場有增長跡象和貫穿2007年的內存價格下滑結束的情況下，將近期DRAM內存供應商面臨市場條件等級由消極提升到中性，同時對NAND閃存的市場條件等級做了同樣的調整。
iSuppli在今年一月中旬把DRAM內存市場的條件等級降為消極，當時DRAM內存市場正處在嚴重低迷的狀態，到六月底DRAM內存的價格下滑超過了70%。但是，iSuppli預期市場在6月底將跌到底部，7月上半月隨著內存原始制造商DRAM內存價格的上漲，內存
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- 僅僅一個多月，在全國內存市場占80%的1GB DDR2-667內存條的價格就從最低價的200元左右漲到330元以上，漲幅高達65%。 昨日，《第一財經日報》從深圳內存廠家獲悉，引發此次內存價格狂飆的主要原因是深圳的某兩家渠道商的走私貨物被深圳海關扣押，被扣押的貨物以內存條為主，總值達1億元之巨。 “這股嚴打風潮不知道什么時候能過去。”深圳內存廠家負責人黃偉(化名)透露，現在內地內存經銷商已基本停止大宗走私行為，目前市場上所銷售的產品基本都是之前的庫存
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- 針對當今電子系統對高速大容量內存的需要，本文闡述了使用DDR控制器IP核來設計實現DDR內存接口的方法。
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- 由于內存市場需求長期疲軟，計算機OEM廠商對內存砍價過甚，三星已決定中止對計算機OEM廠商的DRAM供貨，其中還包括戴爾和惠普等大廠。但如此一來正好給了其對手海力士半導體和南亞一個絕佳的機會，兩家紛紛爭搶OEM廠商的訂單。 據市場研究機構DRAMeXchange稱，五月下旬512MB和1GB的DDR2報價已跌至14美元和28美元，512MB的DDR2-533和1GB的DDR2-667則為17.5和35美元。 現在的DRAM價格可說已跌至谷地，報價甚至比生產成本還低。為抵制如此無理的
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- 亞洲芯片制造商上周末召開了會議，研究結果表明內存DRAM芯片價格已經達到了波谷，未來將有所上浮。在上周四的全球市場上，DRAM內存平均售價再次下滑了五個百分點，而該數字在周五也處于下滑態勢。計算機內存制造商三星電子和現代半導體甚至表示，內存產品的售價迅速下調，有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實際上，自從今年開始，某些內存產品的售價足足下滑了70％。 “如今的價格已經幾乎達到了最低點，我們都在等待重新的上浮。”Daiwa研究所分析家JaeLee先生表示，“如果庫存量下滑，價格上浮
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- 在5月18-25日，DRAM內存價格終于出現了反彈，業界分析家對該現象是標志著大范圍的調整開始還是僅僅是一個短期現象持有不同意見。 據DRAMeXchange的數據顯示，從5月18日開始，包括eTT在內各種頻率型號的512MB DDR2內存現貨價格據呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內存升幅最大，達到16%。 一些業內人士擔心DRAM現貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調整。來自DRAM內存廠商的消息稱現還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內存模組廠的消息稱，由于DRAM廠商
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- 在5月18-25日，DRAM內存價格終于出現了反彈，業界分析家對該現象是標志著大范圍的調整開始還是僅僅是一個短期現象持有不同意見。
據DRAMeXchange的數據顯示，從5月18日開始，包括eTT在內各種頻率型號的512MB DDR2內存現貨價格據呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內存升幅最大，達到16%。
一些業內人士擔心DRAM現貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調整。來自DRAM內存廠商的消息稱現還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內存模組廠的消息稱，由于DRA
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- 內存顆粒在最近一兩天終于價格開始反彈，DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元，而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。 內存業者表示，DRAM制造廠不再殺低出貨，再加上部份模組廠開始趁低收貨，是帶動近日DRAM現貨價跌深反彈的主因。只是目前終端市場需求依然疲軟，因此DRAM價格是否就此落底，仍待進一步觀察。 創見上海代表處的總經理顏明吉表示，此前內存之所以狂跌，戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。 去年年末Vi
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- “憑良心來講，現在內存的品質整體來說真的很差。”某品牌內存的一位高管向PConline產業資訊這樣透露。
根據相關人士透露，內存晶元的測試，是晶元廠要另外要付費給專門的測試廠商。按照業界的概況，DDR2的顆粒一般好一點的原廠要測試800秒，普通的廠商是測試400秒。一般來說，原廠的品牌顆粒不太敢完全不測試，多少會測一下。但是現在測試時間變成了200秒或者100秒，甚至有些廠商只測50秒。
一般來說，如果經過800秒完全測試，內存顆粒的不良率可以低于500PPM(注1)，非常的低。當測試時間從800秒
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- 1 嵌入式系統中對內存分配的要求
①快速性。
嵌入式系統中對實時性的保證，要求內存分配過程要盡可能地快。因此在嵌入式系統中，不可能采用通用操作系統中復雜而完善的內存分配策略，一般都采用簡單、快速的內存分配方案。當然，對實性要求的程序不同，分配方案也有所不同。例如，VxWorks采用簡單的最先匹配如立即聚合方法；VRTX中采用多個固定尺寸的binning方案。
②可靠性。
也就是內存分配的請求必須得到滿足，如果分配失敗可能會帶來災難性的后果。嵌入式系
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