3d 晶體管文章最新資訊

研究人員開(kāi)發(fā)出新型 2D 晶體管，可模仿蝗蟲(chóng)大腦實(shí)現(xiàn)避障

IT之家 4 月 23 日消息，印度理工學(xué)院孟買分校和倫敦國(guó)王學(xué)院的研究人員合作開(kāi)發(fā)了一種超低功耗的二維晶體管，能夠模擬蝗蟲(chóng)的神經(jīng)元來(lái)實(shí)現(xiàn)避障功能，有望降低未來(lái)人工智能的能源消耗。圖源 Pexels自動(dòng)駕駛和機(jī)器人自主移動(dòng)一直是機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能研發(fā)人員夢(mèng)寐以求的目標(biāo)，而避障則是這項(xiàng)技術(shù)能否在現(xiàn)實(shí)世界落地應(yīng)用的關(guān)鍵。為此，雙方研究人員致力于創(chuàng)造一種能以極低功耗實(shí)現(xiàn)避障的解決方案。研究人員在研究避障行為時(shí)，發(fā)現(xiàn)蝗蟲(chóng)身上有一種名為“小葉巨人運(yùn)動(dòng)檢測(cè)器 (LGMD)”的神經(jīng)元，當(dāng)大型物體接近蝗蟲(chóng)時(shí)，該
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云

Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對(duì)我們3D視覺(jué)相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(zhǎng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級(jí)要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級(jí)。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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基礎(chǔ)知識(shí)之晶體管

一、晶體管的功能晶體管具有放大和開(kāi)關(guān)電信號(hào)的功能。比如在收音機(jī)中，會(huì)擴(kuò)大（放大）空中傳輸過(guò)來(lái)的非常微弱的信號(hào)，并通過(guò)揚(yáng)聲器播放出來(lái)。這就是晶體管的放大作用。另外，晶體管還能僅在事先確定的信號(hào)到達(dá)時(shí)才工作，這時(shí)發(fā)揮的是開(kāi)關(guān)作用。我們常聽(tīng)到的“IC”也好“LSI”也好，都是晶體管的集合體，是晶體管構(gòu)成了其功能的基礎(chǔ)?！揪w管的基本功能示意圖】作為開(kāi)關(guān)使用的晶體管下面通過(guò)發(fā)射極接地時(shí)的開(kāi)關(guān)工作來(lái)介紹起到開(kāi)關(guān)作用的晶體管。當(dāng)晶體管的基極引腳被施加電壓（約0.7V以上）并流過(guò)微小電流時(shí)，晶體管會(huì)導(dǎo)通，電流會(huì)在
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局

從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線寬來(lái)提高集成度
關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲(chǔ)

為什么仍然沒(méi)有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個(gè)良好的開(kāi)端，但接下來(lái)的步驟要困難得多。
關(guān)鍵字： 3D-IC HBM 封裝

模擬集成電路設(shè)計(jì)中的MOSFET非理想性

MOS晶體管表現(xiàn)出理想模型所沒(méi)有的各種二階效應(yīng)。為了設(shè)計(jì)在現(xiàn)實(shí)世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結(jié)構(gòu)和工作區(qū)域。我們討論的模型描繪了一個(gè)理想的MOSFET，并且由于其較長(zhǎng)的溝道尺寸，對(duì)于早期的MOSFET來(lái)說(shuō)是相當(dāng)準(zhǔn)確的。然而，隨后的研究和晶體管的持續(xù)小型化都揭示了晶體管行為中的一系列非理想性。本文將介紹這些非理想性的基礎(chǔ)知識(shí)以及它們?nèi)绾斡绊懩M集成電路中的晶體管性能。寄生電容由于MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)，在端子結(jié)之間形成了以下寄生電容：CGS
關(guān)鍵字： MOSEFT 晶體管

萬(wàn)億級(jí)晶體管芯片之路

臺(tái)積電、英特爾都在規(guī)劃如何走向萬(wàn)億級(jí)晶體管。
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必看！IGBT基礎(chǔ)知識(shí)匯總！

01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以
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IBM展示了首個(gè)針對(duì)液氮冷卻進(jìn)行優(yōu)化的先進(jìn)CMOS晶體管

IBM在2023年12月早些時(shí)候的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上展示了首個(gè)針對(duì)液氮冷卻進(jìn)行優(yōu)化的先進(jìn)CMOS晶體管。納米片晶體管將通道分割成一堆薄硅片，完全被柵包圍。IBM的高級(jí)研究員鮑汝強(qiáng)表示：“納米片器件結(jié)構(gòu)使我們能夠在指甲大小的空間內(nèi)容納50億個(gè)晶體管?！边@些晶體管有望取代當(dāng)前的FinFET技術(shù)，并被用于IBM的首個(gè)2納米原型處理器。納米片技術(shù)是邏輯器件逐步縮小的下一步，將其與液氮冷卻技術(shù)搭配可能會(huì)帶來(lái)更好的性能。研究人員發(fā)現(xiàn)，在77K的溫度下運(yùn)行，與在大約300K的室溫條件下運(yùn)行相比，設(shè)備
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
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TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器

●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí)，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤位置檢測(cè)、油門和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
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