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3d 晶體管 文章 最新資訊

英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

  • 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求，以及實現(xiàn)自動駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。         
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

  • 增強現(xiàn)實（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞?。預(yù)計今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應(yīng)用而設(shè)計，將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

  • 　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點對電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié)，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
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Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具

  • 上月，三星代工（Samsung Foundry）部門悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 技術(shù)工藝來生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內(nèi)首個采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝，可知這一術(shù)語特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過想要高效地制造 GAA 晶體管，晶圓廠還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來自應(yīng)用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就將為包括三星在內(nèi)的晶圓廠提供 GAA 芯片的制造支持。（來自：Applied Materials 官網(wǎng) ，via
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應(yīng)用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)

  • 半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運用極紫外光（EUV）持續(xù)進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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NVIDIA透過人工智能 將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場景

  • 當(dāng)人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過來，亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預(yù)估光線在真實世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應(yīng)傳感器的評估模塊

  • TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結(jié)果。還包括一個 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊，用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
  • 關(guān)鍵字： 精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器  霍爾效應(yīng)傳感器  3D  

摩爾定律如何繼續(xù)延續(xù)：3D堆疊技術(shù)或許是答案

  • 按照摩爾定律進(jìn)一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來越大，半導(dǎo)體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數(shù)級攀升，因此，業(yè)界開始向更多方向進(jìn)行探索。
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  3D  堆疊技術(shù)  

雙目立體賦能3D機器視覺，銀牛攜芯片模組登陸中國市場

  • 1? ?幾種3D深度感知技術(shù)比較3D深度感知主要有3個技術(shù)方向：雙目立體，結(jié)構(gòu)光，飛行時間（ToF），結(jié)構(gòu)光起步比較早，但是技術(shù)的局限性較大，而雙目立體的發(fā)展速度較快，勢頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結(jié)構(gòu)光二者都用了三角測距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點，來計算對象物深度的數(shù)據(jù)。結(jié)構(gòu)光需要有一個發(fā)射光的發(fā)射源，帶編碼的光到了對象物體再反射回來來計算這個深度。結(jié)構(gòu)光的弱點是在室外時，結(jié)構(gòu)光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
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AMD推動高效能運算產(chǎn)業(yè)發(fā)展 首款3D chiplet應(yīng)用亮相

  • AMD展示了最新的運算與繪圖技術(shù)創(chuàng)新成果，以加速推動高效能運算產(chǎn)業(yè)體系的發(fā)展，涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術(shù)；與業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商特斯拉和三星合作，擴(kuò)大了AMD運算與繪圖技術(shù)在汽車與手機市場的應(yīng)用；新款A(yù)MD Ryzen處理器瞄準(zhǔn)狂熱級玩家與消費性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來領(lǐng)先的數(shù)據(jù)中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術(shù)。 AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐展示AMD全新3D chi
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揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

  • GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。
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晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

  • 本文來自公眾號：8號線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  NPN  PNP  MOSFET  JFET  

什么是3D XPoint？為什么它無人能敵卻又前景堪憂？

  • 3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù)。據(jù)悉，3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計算，比NAND閃存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近處理器的位置存儲更多的數(shù)據(jù)成為可能，可填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。
  • 關(guān)鍵字： 3D XPoint  美光  英特爾  

ams攜手ArcSoft 力推3D dToF走進(jìn)安卓手機

  •  作為傳感器領(lǐng)域風(fēng)頭最勁的企業(yè)，ams（艾邁斯半導(dǎo)體）通過技術(shù)積累和持續(xù)的并購戰(zhàn)略逐漸成為各類傳感器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，特別是經(jīng)過收購歐司朗之后，進(jìn)一步實現(xiàn)了公司業(yè)務(wù)規(guī)模的擴(kuò)大和業(yè)務(wù)領(lǐng)域的平衡，使得ams在各個核心領(lǐng)域上都有非常好的市場地位。 經(jīng)過對歐司朗的收購之后，ams聚焦在三大核心技術(shù)領(lǐng)域，主要包括傳感、照明（光源）以及可視化，即visualization、illumination和Sensing。ams大中華區(qū)銷售和市場高級副總裁陳平路表示，隨著5G時代帶來的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的革新非常看好iToF、
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3d 晶體管介紹

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