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3d 閃存 文章 最新資訊

晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動,中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

  •   近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告,報告顯示,中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%,到2020年,這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動,中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出,超越世界其他地區(qū),占據(jù)首位。  2014年中國成立大基金以來,促進了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長,目前已成為全球半導(dǎo)體進口最大的國家市場。SEMI指出,目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設(shè)項目,代工廠、DRAM和3D
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STRATASYS推出碳纖維3D打印機滿足日益激增的碳纖維應(yīng)用需求

  • 隨著各行各業(yè)越來越多的公司開始使用復(fù)合材料,3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者Stratasys(Nasdaq:SSYS)正式發(fā)售價格實惠的碳纖維填充尼龍12材料專用增材制造系統(tǒng)。該工業(yè)級Fortus 380mc碳纖維3D打印機曾在今年3月首次亮相,目前已經(jīng)面向全球市場正式出貨,國內(nèi)售價53萬元人民幣(含稅)。
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盤點值得一看的未來新型電池技術(shù)

  • 顯然,我們不是第一次探討未來電池技術(shù)。在鋰電池?zé)o法獲得更大突破的情況下,科學(xué)家和技術(shù)人員紛紛著手研發(fā)新的電池技術(shù),如石墨烯、鈉離子、有機電池
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3D圖形芯片的算法原理是什么樣的?

  • 一、引言3D芯片的處理對象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個優(yōu)點:首先是直接(盡管繁瑣),多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可
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詳解Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟

  • 什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲單元為三端器件,與場效應(yīng)管有相同
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閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進行時

  •   幾年前突然“大火”的存儲行情,給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶,要么咬牙買高價內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當(dāng)然,市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述,近期閃存降價的趨勢,有望持續(xù)到 2019 上半年。  DRAMeXchange 報告稱,2018 年 3~4 季度,NAND 閃存的平均銷售價格,預(yù)計將下降 10% 。集邦認(rèn)為,市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能,是推動這一趨勢的主要原因。
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中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存:2019年開始

  • 外界普遍認(rèn)為,中國存儲芯片公司逐步擴大產(chǎn)能,全球內(nèi)存閃存芯片市場的價格有望出現(xiàn)下降。
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中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存:2019年開始

  •   對于關(guān)注國產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來說,從明年開始將會有實質(zhì)性的成果,因為長江存儲、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲都將量產(chǎn)。據(jù)臺灣電子時報報道稱,2019年,中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前,長江存儲正在準(zhǔn)備的第一個訂單是,生產(chǎn)8GB容量的SD存儲卡,訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。  在新產(chǎn)品方面,長江存儲正在研發(fā)64層的3D NAND閃存,計劃在2018年年底前推出樣品。  跟長江存儲不同的是,晉華公司和Innotron主要負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說前者已經(jīng)
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3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

  •   6月26日-28日,基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。  基本半導(dǎo)體展臺以充滿科技感和未來感的藍(lán)白為主色調(diào),獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球。  全球獨創(chuàng)3D SiC?技術(shù)  展會期間,基本半導(dǎo)體技術(shù)團隊詳細(xì)介紹了公司獨創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù),該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力,通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入,使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計靈活性也有利于實現(xiàn)高電流密度的
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被稱為中國“西部硅谷”的西安,在半導(dǎo)體科技領(lǐng)域有哪些實力?

  • 對接資本市場,對接國家戰(zhàn)略,充分發(fā)揮西安的產(chǎn)業(yè)與科研、人才優(yōu)勢,西安完全有可能創(chuàng)造出一個千億級的產(chǎn)業(yè)。
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  閃存  三星  

下半年閃存芯片行情疲軟:SSD價格或持續(xù)下滑

  •   TrendForce旗下專注存儲業(yè)追蹤和調(diào)研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場分析報告,稱2018下半年,NAND Flash閃存市場的增長潛力疲軟。由于64層/72層3D閃存的產(chǎn)能良率(四季度超80%)爬升,市場會處在一種供需平衡的局面,從而自然延續(xù)NAND Flash合同價的下降趨勢。  報告稱,由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期,所以在上半年,閃存市場已經(jīng)觀察到了連續(xù)兩個季度的價格走弱。在這樣的態(tài)勢下,一些供應(yīng)商甚至?xí)壕徚嗣嫦蚋呙芏却鎯π酒臄U張,以避免價格走到崩盤的
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紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

  • 在“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨IC中國峰會”上,紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告,介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間,紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D  NAND  自主可控  201807  

賽普拉斯推出全球領(lǐng)先的閃存解決方案,助力汽車及工業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵安全應(yīng)用

  • 全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達克代碼:CY)日前宣布,正式推出Semper? NOR 閃存產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列面向汽車和工業(yè)領(lǐng)域,為用戶提供業(yè)內(nèi)最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產(chǎn)品系列的架構(gòu)和設(shè)計旨在打造無故障嵌入式汽車安全系統(tǒng),是首款符合ISO 26262 功能性安全標(biāo)準(zhǔn)的存儲產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的要求和ASIL-B 的功能性安全標(biāo)準(zhǔn),在汽車和工業(yè)的極端溫度應(yīng)用環(huán)境中,仍可以提供卓越的耐用性和數(shù)據(jù)留存能力。
  • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  閃存  nor  

閃存陣營戰(zhàn)火起,2018誰爭鋒!

  •   分析師從中整理出一些有趣的現(xiàn)象。   華為公司在2017年第四季度的全閃存陣列銷售競爭當(dāng)中可謂橫空出世,較上年同期飆升十倍。與此同時,NetApp的A系列產(chǎn)品銷售額亦增長超過四倍。   當(dāng)然,這兩輪飛躍主要源自相對較小的原有銷售份額——分別為730萬美元與4680萬美元。不過增長是實實在在的,如今華為公司銷售額已經(jīng)達到8410萬美元,這意味著買家完全能夠給今天新興廠商一些機會。   相關(guān)數(shù)據(jù)來自NetApp公司的分析師日活動,并由富國銀行分析師Aaron Rakers整理
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三星閃存工廠突發(fā)停電30分鐘:6000片晶圓報廢

  •   閃存產(chǎn)品正走在發(fā)展的快車道上,智能手機、自動駕駛汽車、數(shù)據(jù)中心等需求廣闊,極大推進了發(fā)展。不過,Digitimes 3月14日發(fā)回報道,3月9日,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的閃存工廠出現(xiàn)停電事故,TechNews預(yù)計損失相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。   雖然停電僅持續(xù)了半小時,但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星3月產(chǎn)量的11%。   三星方面則表示,備用電源(設(shè)計為20分鐘)的有效啟動應(yīng)對了突發(fā)狀況,所以不會對閃存運營造成顯著影響。   據(jù)DRAMeXchange(集
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3d 閃存介紹

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