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3d 閃存 文章 最新資訊

東芝要做64層3D閃存:三星48層情何以堪?

  •   三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業聞名,而且已經堆到了驚人的48層,工藝精良,不過據《日經亞洲評論》報道,東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存,比三星多三分之一!   7月15日,東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式,并透露將在此生產48層堆疊閃存,并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內量產。   這種閃存的成本和價格會比較高,但是因為容量可以做的更大,平均價格反而會更便宜,可用于從智能手機、固態硬盤到數據中心等各種領域,初期主要供應持續增長的數據中心。
  • 關鍵字: 東芝  閃存  

東芝3D閃存芯片:存儲容量將提高三成

  •   目前,越來越多的智能手機廠商,開始大幅度提高手機閃存的容量,市場對于閃存的需求和技術要求越來越高。據悉,日本東芝和韓國三星電子在閃存技術上存在激烈競爭,而東芝領先了一局,該公司即將大規模生產3D閃存。        手機內存越配越高   據日本經濟新聞周六報道,本財年內(明年三月底之前),東芝公司將會投產最新一代的3D閃存,這將領先于閃存老對手三星電子。   眾所周知的是,東芝因為財務丑聞,公司運營陷入了艱難境地,東芝也希望自己占據技術優勢的閃存業務,能夠提振全公司的表現。
  • 關鍵字: 東芝  閃存  

東芝沖NAND Flash產量 2018年3D NAND占其九成

  •   東芝(Toshiba)統籌存儲器事業的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示,將沖刺NAND Flash產量,目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。   關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash,成毛康雄指出,將強化3D Flash的生產,目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。   東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。   日經、韓國先驅報(
  • 關鍵字: 東芝  3D NAND  

Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

  •   Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發,采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
  • 關鍵字: 3D NAND  美光  

2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產能技術優勢

  •   DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業者陸續量產3D NAND Flash,三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進,短期內仍將掌握產能與技術優勢。   三星已自2013年下半起陸續量產24層、32層
  • 關鍵字: 三星  3D NAND  

3D保護玻璃市場產值將于18年超越2D保護玻璃

  •   觸摸屏的保護玻璃,又稱之為保護蓋,用來保護顯示屏和觸控面板。為了適應智能機的不同設計需求,保護玻璃有不同的形狀。保護玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部,再根據保護玻璃的形狀分為2D,2.5D和3D等。隨著智能手機廠商越來越在外形和時尚設計方面競爭,舒適的手感和靈敏的觸控反應越來越重要,這 也鼓勵著觸控面板廠商開發形狀更好的保護玻璃。   2016年用于手機的3D保護玻璃出貨量預計將增至4,900萬片,占手機用保護玻璃市場總量的3.1%。IHS預測2017年其出貨量將飛漲103.9%達1億片的規模,
  • 關鍵字: 3D  2D保護玻璃  

3D NAND成半導體業不景氣救世主

  •   韓媒NEWSIS報導,韓國半導體業者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術,在這之前業界采用的是水平結構,3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。   3D NAND比20納米級產品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優點,對于業界積極發展以人工智能平臺的相關服務,3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業革命的技
  • 關鍵字: 3D NAND  半導體  

逆天閃存設備 居然能將數據保存至少百年

  •   據俄羅斯“衛星”消息,俄羅斯經濟與社會項目創新與發展社發布消息稱,俄羅斯Raidix公司將與日本松下共同開發能將數據保存至少100年的創新閃存設備。   目前,所有的閃存設備對數據的保存可以被認為是暫時的,它們可以無錯誤地保存數據5到10年,在此之后則需要將數據轉移到新的閃存中。   日俄雙方公司均認為,合作應該是互利的。松下公司將向俄方提供自己處理“冷保存”(訪問頻率不高)數據的freeze-ray技術,同時,Raidix公司的工作是將&ldquo
  • 關鍵字: 閃存  

華為閃存技術,不止快人一步

  •   云計算、大數據、移動互聯正在改變世界。據預測,到2020年,全球移動寬帶用戶將從2016年的40億基礎上,增加20億移動寬帶用戶,全球大數據、大數據分析以及大數據技術市場規模將高達2000億美元。   華為在2016全球聯接指數中預測,2020年,數字經濟時代將全面來臨,屆時,大數據分析將無處不在,想象一下,數十億計的智能電話、數百萬智能汽車、數百萬智能無人機、數百萬智能機器人在我們的身邊運轉,遍布的物聯網系統等技術將給人們的生活帶來巨大的改變和驚喜。   數據同樣在企業中蔓延,IDC預測,202
  • 關鍵字: 華為  閃存  

3D Touch還不夠好用?蘋果可能另有其謀

  • 任何一個行業的領導者,都有義務去推進新技術的發展,隨著后續功能的適配,3D Touch的未來一片光明。
  • 關鍵字: 蘋果  3D Touch  

醫療新巨頭誕生:6000萬美元的大合并!

  •   去年10月,全球3D打印醫療應用領域的領先企業3D Medical,與頂級醫學圖像處理技術開商Mach7合并。如今,這樁交易已經宣布完成,合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies,并將在澳大利亞證交所上市,交易代碼M7T。   據悉,3D Medical原本就以向醫生提供針對不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業務則是醫學影像技術。在這筆總額高達6000萬美元的合并交易完成之后,新公司將會把總部設在澳洲的墨爾本。   據了解,3D Medical和Ma
  • 關鍵字: 3D Medical  Mach7  

存儲“芯”發展 剖析3D NAND閃存市場現狀

  • 國內大力扶持存儲,各種巨額的投資項目爭議不小,但是為了存儲自主的未來,也值。
  • 關鍵字: 存儲器  3D NAND  

東芝計劃投資3600億日元建設3D閃存新廠房

  •   東芝近日公布聚焦能源、社會基礎設施、半導體存儲業務領域,擴大在存儲業務上的投資。為擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產,東芝在毗鄰日本四日市工廠(三重縣四日市市)的區域建造新廠房以及引進生產設備的投資方案已獲得董事會批準。   閃存廣泛應用于智能手機等產品,根據預測,以企業服務器和數據中心為主的需求今后也將不斷擴大。東芝四日市工廠將進行改造以便于在3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產中,能夠高效利用與2D閃存通用的現有制造工序。在四
  • 關鍵字: 東芝  閃存  

春季上新朗科閃存盤集合完畢 開學季待你檢閱

  •   新學期伊始,全國各地的大學生們也全部返校,開始了新學期緊張的學習生活。新學期,新氣象,沒有一款得心應手的閃存盤怎么“漲姿勢”呢?朗科閃存盤春季上新集合完畢,正在熱切期待你的檢閱!還有上班一族、商務人士,也來為自己選購一款新裝備吧!        U712C閃存盤  朗科U712C作為一款閉著眼睛都能插上的閃存盤開啟了閃存盤接口的革命,USB Type-C 新型接口讓你可隨心所欲的插入智能手機、平板電腦、筆記本,不用區分正反面,讓傻傻分不清的你再也不用
  • 關鍵字: 朗科  閃存  

投資10nm/3D NAND 晶圓廠設備支出今年增3.7%

  •   國際半導體產業協會(SEMI)最新報告指出,3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術投資,將驅動2016年晶圓廠設備支出攀升,預估2016年包括新設備、二手或專屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%,達372億美元;而2017年則可望再成長13%,達421億美元。   SEMI指出,2015年晶圓廠設備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數成
  • 關鍵字: 晶圓  3D NAND  
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3d 閃存介紹

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