三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業聞名，而且已經堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據《日經亞洲評論》報道，東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存，比三星多三分之一!

　　7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產48層堆疊閃存，并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內量產。

　　這種閃存的成本和價格會比較高，但是因為容量可以做的更大，平均價格反而會更便宜，可用于從智能手機、固態硬盤到數據中心等各種領域，初期主要供應持續增長的數據中心。

　　其實，東芝在今年春天就已經開始生產48層閃存了，并預計2017財年3D閃存將占其總產能的50%，2018財年突破80%。

　　三星則可能會在2017年下半年啟用位于韓國京畿道平澤市的新工廠，生產自己的64層閃存，但官方尚未明確表態。