全球存儲器市場爆發缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產能，原定于2027年量產的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產。 此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯等帶來競爭壓力，后續發展備受市場關注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預估須待2027年才具備正式量產條件。 然而，當地半導體業界人士透露，長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產設備采購訂單，并同步進行工廠啟動與產
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中國本土芯片企業芯海科技（Cmsemicon）正式推出其首款非易失性存儲芯片，發布旗下首款閃存產品CMS25Q40A，標志著公司正式且實質性地進軍存儲半導體領域。據報道，該產品是一款容量為4兆位（4Mbit）、低功耗的SPI接口NOR Flash芯片。其存儲陣列由2,048個可編程頁組成，每頁大小為256字節，單次寫入操作最大可編程數據量達256字節。該芯片支持多種擦除模式，具備成本低、功耗低、高速SPI讀寫性能以及斷電后數據可長期保存等優勢，主要面向小容量存儲應用場景，包括嵌入式MCU程序存儲、小型智能
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周樂/券商中國存儲芯片漲價潮愈演愈烈。據最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價格提高了一倍多，漲幅遠超市場預期。目前三星電子已經著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續。多家機構分析認為，AI浪潮驅動的“存儲芯片超級周期”正全面到來。花旗預計，2026年動態隨機存取存儲器（DRAM）與閃存產品的平均售價或將分別上漲88%、74%，漲幅高于該行此前預測的53%、44%。價格暴漲1月25日，據韓國《電子時報》報道，今年第一季度，三星電子將NAND
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援引市場研究機構Omdia的最新調研成果披露，合計占全球NAND產能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應的短缺。三星產量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進，產能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達等公司引領的推理人工智能（AI）領域競爭日益激烈的背景下，作為關鍵組件的NAND閃存供應緊張，增加了包括服務器、個人電腦和移動設備在內的所有領域價格持續上漲的可能性。分析師預測，這將對三星電子和SK海力士的
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1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發售價與前代持平，但在高存儲容量版本上，消費者將面臨比以往更大的價格漲幅。Freedom Capital Markets 技術研究主管 Paul Meeks 分析認為，全球科技企業對 AI 算力的狂熱需求，導致內存市場供不應求，這種短缺狀態預計將至少持續兩年。即便蘋果擁有強大的供應鏈議價能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
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上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經成功地將密度提高到行業相同的水平，實現了最高的垂直柵密度，也是現階段商業產品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產第10代V-NAND閃存，預計總層數達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協議的談判。
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英偉達推出全新推理上下文（Inference Context）內存存儲平臺（ICMSP），通過將推理上下文卸載（Offload）至NVMe SSD的流程標準化，解決KV緩存容量日益緊張的問題。該平臺于 2026 年國際消費電子展（CES 2026）正式發布，致力于將GPU的KV緩存（Key-Value Cache）擴展至基于 NVMe 的存儲設備，并獲得英偉達 NVMe 存儲合作伙伴的支持。此消息一出，引爆的是本就漲到高不可攀的存儲廠商股價，多家存儲廠商和閃存控制器廠商股價直接漲停，閃存極有可能步DRAM
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據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。
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如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場領域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統級芯片（SoC）。先進 SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I/O 結構，會增加 SoC 的芯片面積并提高成本。而具備 1.2V 輸入 / 輸出（VIO）特性的 NOR 閃存器件，既能降低成本，又能減少功耗。傳統外部閃存器件的供電電壓通常為 3.3V 或 1.8V，支持高速讀取、快速編程和快速擦除等高性能操作。若將這些器件與 1.2V SoC 搭配使
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我們先來聊聊磁芯最常見的存儲用途。事實證明，鐵芯和磁性材料用途廣泛，至今仍在電源和模擬電路中用作扼流圈。而這篇文章提出了一個特別的想法：用磁芯實現邏輯功能（圖 1）。盡管這項技術從未進入商業領域，但在技術層面是可行的。1. 磁芯可以實現如上述簡單示例所示的邏輯。接下來，我們看看當時磁芯的使用情況，然后進入現在存儲領域的情況，磁芯最初使用的領域。許多記憶技術已經興起又消失，新的技術不斷涌現。什么是磁芯磁芯是磁性材料，類似于鐵。磁場的方向可以用來存儲一個比特的信息。用于存儲的磁芯被安裝成網格狀，陣列中交錯排列
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在內存供應緊張和價格飆升給行業壓力的情況下，據ETNews和News 1報道，三星開發出了一種NAND閃存技術，能夠降低90%以上的功耗，預計將提升AI數據中心、移動設備及廣泛應用的能效。據報道，11月27日，SAIT（前三星先進技術研究院）宣布將在《自然》雜志上發表其關于新型NAND閃存結構的研究，以顯著提升能源效率。據ETNews報道，三星首次在全球范圍內發現了將氧化物半導體與鐵電結構結合的關鍵機制，從而將功耗降低了多達96%。正如報告所述，傳統NAND閃存存儲數據為注射電子進入每個細胞。因此，為了提
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ArmorBoot?是?Macronix 的中端安全串行 NOR 閃存，支持安全啟動以及其他安全功能，如片上認證支持（見圖1）。它可以用于為使用不內置這些功能的微控制器或微處理器的設計提供安全服務。標準形態意味著存儲芯片可以整合到現有設計中，以增強安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全啟動和認證等安全基礎功能，而高端的ArmorFlash則增加了數據加密和解密等服務。安全啟動是指啟動碼在使用系統啟動前經過驗證。通常通過使用密鑰認證代碼，確保其來源為授權來源且未被修改
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智能電表是現代能源基礎設施的核心，支撐動態定價、實時分析和碳核算功能。其有效性完全依賴持續的數據準確性。數據準確性出現任何問題，電力公司都將面臨監管處罰、計費糾紛和運營效率低下等問題。災難性硬件故障易于察覺和追蹤，但大多數智能電表故障是隱性的。根本原因通常不在于芯片本身，而在于嵌入式軟件如何管理閃存數據，以及如何處理斷電等意外情況。解決這些細微但具有破壞性的故障，需要重新思考嵌入式層面的軟件架構。閃存中的垃圾回收與寫放大閃存不允許直接覆蓋。數據必須先被清除，才能重寫。因此，基于閃存的系統經常產生“陳舊”數
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10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片。復旦大學集成電路與微納電子創新學院、集成芯片與系統全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團隊研發
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根據SEMI和SEAJ的數據，2025年第二季度全球半導體制造設備支出總計330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長23%。其中，中國大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意的是，中國大陸2025年第二季度的支出較2024年第二季度下降了7%。10月7日，美國眾議院“中美戰略競爭特別委員會”兩黨議員在經過數月的調查之后發現，包括荷蘭的阿斯麥（ASML）、日本的東京電子（TEL）以及美國的應用材料公司（Applied Materials）、科磊（KLA）和泛林集
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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