在內(nèi)存供應(yīng)緊張和價(jià)格飆升給行業(yè)壓力的情況下，據(jù)ETNews和News 1報(bào)道，三星開(kāi)發(fā)出了一種NAND閃存技術(shù)，能夠降低90%以上的功耗，預(yù)計(jì)將提升AI數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及廣泛應(yīng)用的能效。

據(jù)報(bào)道，11月27日，SAIT（前三星先進(jìn)技術(shù)研究院）宣布將在《自然》雜志上發(fā)表其關(guān)于新型NAND閃存結(jié)構(gòu)的研究，以顯著提升能源效率。據(jù)ETNews報(bào)道，三星首次在全球范圍內(nèi)發(fā)現(xiàn)了將氧化物半導(dǎo)體與鐵電結(jié)構(gòu)結(jié)合的關(guān)鍵機(jī)制，從而將功耗降低了多達(dá)96%。

正如報(bào)告所述，傳統(tǒng)NAND閃存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為注射電子進(jìn)入每個(gè)細(xì)胞。因此，為了提升容量，制造商會(huì)堆疊更多這些電池層。但由于NAND單元以長(zhǎng)串行鏈連接，較高的堆棧需要更高的電壓來(lái)傳遞信號(hào)——這會(huì)增加讀寫(xiě)功耗，報(bào)告指出。

據(jù)報(bào)道，三星的突破在于使用氧化物半導(dǎo)體。盡管氧化物半導(dǎo)體通常難以精確控制閾值電壓，但它們自然表現(xiàn)出極低的漏電流。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，團(tuán)隊(duì)證明，當(dāng)這一特性與鐵電極化控制結(jié)合時(shí)，成為顯著降低NAND電池串所需電壓的關(guān)鍵機(jī)制。

News1指出，一旦實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，這項(xiàng)技術(shù)將帶來(lái)從超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心到移動(dòng)和邊緣AI的顯著節(jié)能。據(jù)報(bào)道，三星表示，這一進(jìn)展為其未來(lái)低功耗、高容量SSD的領(lǐng)先地位奠定了道路。

三星在戰(zhàn)略調(diào)整中重塑SAIT公司

值得注意的是，FN新聞披露三星已徹底改革其頂級(jí)研究部門(mén)SAIT（前稱(chēng)三星先進(jìn)技術(shù)研究院），將其轉(zhuǎn)型為新的“實(shí)驗(yàn)室型”結(jié)構(gòu)，作為半導(dǎo)體（DS）部門(mén)更廣泛改革的一部分。DS部門(mén)負(fù)責(zé)人副報(bào)告指出，董事長(zhǎng)鐘延玄最近將更多研究人員重新分配到業(yè)務(wù)單元，將SAIT縮減為一個(gè)更緊湊、更靈活的組織，圍繞專(zhuān)注實(shí)驗(yàn)室展開(kāi)。

此次改組還帶來(lái)了一個(gè)頭條新聞：據(jù)《FN新聞》報(bào)道，哈佛教授樸洪根被任命為SAIT新任主任，而此前并入公司AI中心的人工智能研究部門(mén)也將重新納入SAIT，以加強(qiáng)前瞻性的人工智能研究。