Intel把閃存業務賣給SK海力士后，后者孵化出名為Solidigm的消費級/企業級品牌，關系類似于美光和英睿達。日前在Tech Field Day 2022技術峰會上，Solidigm預覽了旗下第4代192層3D閃存芯片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）。看來Intel此前的QLC技術積累被SK海力士完全保留，后者還指出，雖然當前出貨的閃存芯片80%都是TLC，但QLC遲早會取代它。顯然最重要的原因還是成本效應，QLC顆粒存儲密度更高，也更容易做到大容量。
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英特爾 SK海力士 閃存
華為全聯接大會2022中國深圳站期間上， 華為發布業界首個面向數據中心Diskless架構的微存儲——華為OceanStor Micro系列，打造綠色集約、安全可靠的數據中心 。據了解，華為OceanStor Micro微存儲本質上是傳統盤框的智能化升級，以基于NOF+技術的高速網絡連接Diskless服務器，支持上層分布式軟件的透明訪問，實現計算和存儲資源獨立彈性擴展，消除兩者的生命周期管理差異。華為閃存存儲領域總裁黃濤詳細闡述了OceanStor Micro微存儲的創新設計理念。他
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據業內消息，近期三星電子宣布已經開始大規模量產236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費級SSD的傳輸速度達到直接越級的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細則比如芯片的大小和實際密度等數據并沒有做詳細介紹，但是三星電子表示其擁有業界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發布任何實際產品，但三星電子現宣布已經開始大規模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。三星聲稱，與現有相同容量的閃存芯片相比，
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在過去很長時間里，存儲卡的容量都是 2 的 N 次方，比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出現以后，市場上就出現了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非標準規格”。這背后的原因是什么？正式動筆后，我發現這件事情并不是三言兩語能夠講清楚的……ET 會盡量剝離掉與大家關系不大的知識點，大家在閱讀時也可以忽略括號和 * 內的部分?？破沾鎯?、固態硬盤都以閃存顆粒（NAND Flash）作為存儲介質，而閃存顆粒本身是有擦寫次數限制的（即寫
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據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會在年內開始生產236層NAND閃存。此外，它還計劃在本月開設一個新的研發中心，負責更先進NAND閃存產品的開發。韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產的NAND閃存，最高是176層，在236層的產品量產之后，三星電子NAND閃存的層數就將創下新高。從韓國媒體的報道來看，三星電子對即將量產的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場，三星電子的市場份額占了35%，為全球最高。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產技術、價格及
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中關村在線消息，金士頓于近日發布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能閃存盤新品。其特點是采用了USB 3.2 Gen 2方案，具有高達1000 MB/s的讀取、以及900 MB/s的寫入速度。此外該系列閃存盤采用了帶橫紋的伸縮頭設計，能夠在收納時更好地保護USB接頭。金士頓表示，DataTraveler Max系列高性能閃存盤設計之初就充分考慮到了便攜性和便利性，黑/紅外殼可一眼分辨其接口，并帶有掛繩孔和LED狀態指示燈。容量方面，DataTraveler Max系
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西部數據公司在日前舉辦的“What’s Next數造輝煌發布會”上發布了旗下閃迪?及閃迪大師品牌的創新產品，包括模塊化固態硬盤系統以及全新升級的UHS-I SD?和microSD?存儲卡，旨在為世界各地的內容創作者和專業人士提供更好的支持。無論是在工作室內創作影視大片，還是在戶外現場拍攝素材片段，全新發布的解決方案將為內容創作者帶來高性能、可擴展且極具可靠性的解決方案，助力他們實現無限可能。西部數據消費者解決方案高級副總裁Jim Welsh表示：“閃迪大師品牌致力于為追尋理想不斷前行的人提供高品質的存儲解
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西部數據公司在日前舉行的“What’s Next數造輝煌發布會”上宣布：旗下專為游戲玩家打造的WD_BLACK品牌再度擴充產品組合，推出WD_BLACK? SN850X NVMe? SSD和WD_BLACK P40 游戲移動固態硬盤兩款新品，旨在進一步提升玩家游戲體驗，為玩家升級PC和主機的存儲系統提供更多選項。AMD（超威半導體）企業科研理事兼計算與圖形首席技術官Joe Macri表示：“AMD很高興能與西部數據持續開展深度合作，為玩家提供卓越的游戲體驗。隨著游戲變得更加讓人身臨其境，玩家們也越來越青睞
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HDD 閃存
西部數據公司在日前舉辦的“What’s Next數造輝煌發布會”上推出了全新的西部數據?PC SN740 NVMe? SSD，旨在滿足當今混合辦公趨勢的獨特需求，為用戶帶來更佳的計算體驗。西部數據公司閃存業務部門消費級及企業級SSD副總裁Eric Spanneut表示：“過去幾年，混合和遠程辦公模式已成為企業的‘新常態’，這也推動了PC出貨量的顯著增長。工作習慣和辦公場所的改變，為我們帶來了巨大的市場機遇。我們致力于為企業級和商用PC 的OEM廠商提供輕薄的存儲解決方案，在保證低能效的前提下，提供強大的性
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西部數據公司在日前舉行的“What’s Next數造輝煌發布會”上宣布：公司新款Ultrastar? NVMe? PCIe? 4.0 SSD正在向部分超大規?？蛻艚桓稑悠贰；谖鞑繑祿姶蟮拇怪闭蟽瀯?，新款SSD旨在提供大規模的高性能產品支持，同時降低公有云部署的TCO。如今，云基礎設施逐漸往分布式架構發展，為不斷增長的 “即服務“ 產品提供了彈性、可擴展性和可預測性。將存儲與計算分離，使大容量數據中心NVMe SSD 成為熱門的細分品類——可提高存儲利用率，增加數據中心機柜密度，以適應虛擬化和多租戶環
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HDD 閃存
西部數據公司在日前舉行的“What’s Next數造輝煌發布會”上宣布正在向部分超大規模云服務商合作伙伴提供22TB1和26TB UltraSMR HDD樣品，通過進一步擴大其在面密度技術上的優勢，幫助客戶降低總體擁有成本（TCO），實現數據價值。西部數據擁有豐富的HDD產品組合以及在面密度技術領域的獨特優勢，一直處于存儲技術發展革新的核心位置。借助創新的OptiNAND?技術、能量輔助磁記錄 (ePMR)、三階尋軌定位系統 (TSA)、氦氣封裝（HelioSeal?）以及全新的UltraSMR技術，西部
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西部數據公司本月在舊金山舉行的 “What’s Next數造輝煌發布會”上，宣布將推進其“發掘數據價值“ 的使命，滿足用戶對于數據的多樣化需求。 活動上，數位西部數據公司的領導人發表了系列主題演講，帶來多個突破性的HDD和閃存創新成果。這些成果皆基于對企業及用戶使用數據的深刻理解，旨在幫助他們以數造輝煌。西部數據公司首席執行官David Goeckeler在開幕致辭中對由現代計算技術引發的市場快速擴張形勢進行了解讀。云計算的發展、智能網聯設備的爆炸性增長，以及全球每天因使用這些設備所產生的數字信息日益增多
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西部數據宣布，與鎧俠聯合開發的BiCS NAND閃存將進入第六代，堆疊層數達到162層，今年即投入量產。 目前的3D NAND閃存已經紛紛堆到176層，美光日前更是宣布全球首個達到232層?！ 〉俏鲾抵赋?， 自家的162層閃存單元尺寸更小，只有68平方毫米 ，小于競品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲密度更高，可以提供和競品相同的單芯片容量。 西數表示， BiCS
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2022年初的時候閃存及SSD市場還是哀鴻遍野，因為價格還在下滑，沒想到2月份西數及鎧俠合資的日本工廠出現了閃存污染事故，損失慘重，當時消息稱西數就損失了6.5EB的閃存?！ ℃z俠、西數是全球TOP3的閃存供應商，份額僅次于三星，其閃存供應對全球智能手機及SSD硬盤市場影響極大，污染事故一傳出，SSD硬盤行業就躁動不安，部分廠商馬上借此機會宣布漲價15%甚至25%。 當時西數也參與了，西數全球客戶組織執行副總裁杰里·卡格爾已經公告了此事，稱這次的材料污染事故影響了合資閃存工廠的運營，雖然不影響當前裝
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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