據業內消息，近期三星電子宣布已經開始大規模量產236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。

據悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費級SSD的傳輸速度達到直接越級的12GBps。

三星電子表示，第八代V-NAND閃存會提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細則比如芯片的大小和實際密度等數據并沒有做詳細介紹，但是三星電子表示其擁有業界最高的比特密度。

官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生產率，而且在相同良品率的情況下也一定程度拉低了成本，同時也意味著固態硬盤的價格會更親民。

三星電子的flash產品與技術執行副總裁SungHoi Hur表示，由于市場對更密集、更大容量存儲的需求推動了更高的V-NAND層數，三星采用了先進的3D壓縮技術減少表面積和高度，同時避免通常在壓縮時出現的單元間干擾。

而且第八代V-NAND閃存會進一步滿足快速增長的市場需求，從而構成良心循環使三星電子更好地提供更多差異化的產品也是未來存儲創新的基礎。

今年三星推出了其第八代和第九代V-NAND產品以及第五代DRAM產品，三星電子預計到2030年會推出1000層的V-NAND。

而且現階段三星電子正在研發上投入更多資源，并且從其當前的TLC架構過渡到四級單元的QLC架構，并以此來提高密度并啟用更多層數。