中國功率芯片開發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。

法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發(fā)展為標志，以匹配 Global Power Technology的專利數量。

這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結構的設計。

第一季度授予了 420 多個專利族，其中有五家日本公司——電裝/豐田、富士電機、住友電工、三菱電機和東芝——以及 GPT。所有這些都為電動汽車應用提供設備，凸顯了技術的潛在轉變。同樣，日產-雷諾聯(lián)盟申請了一項專利，旨在提高溝槽式 SiC MOSFET 的柵極可靠性，在柵極溝槽下方具有電場弛豫區(qū)域。

與此同時，本季度有 120 多項專利到期或被放棄，其中近 20% 來自目前面臨破產的 Wolfspeed。

Microchip Technology 已恢復其在 SiC 功率器件專利領域的專利申請活動，披露了三項與具有硅通道的混合 SiC MOSFET 相關的發(fā)明，以提供更高的載流子遷移率和開關損耗、功率密度、

本季度還見證了約 40 項專利轉讓，在 1 月份被安森美 （onsemi） 收購后，Qorvo 將幾項專利重新轉讓給了聯(lián)合碳化硅公司 （United Silicon Carbide）。本季度還有 15 家新公司，其中大部分來自中國。

SICC 仍然是 SiC 襯底專利領域最多產的專利申請人之一，并且仍然是為數不多的為中國境外創(chuàng)新尋求專利保護的中國公司之一。其最近的 PCT 應用旨在通過減少殘余內應力和在大直徑 200mm 晶圓上實現更均勻的應力分布來提高晶體質量。

與此同時，普渡大學推出了一種基于 SiC MOS 的功率器件，具有超短通道長度，可實現超低的比導通電阻。

我們的 2025 年第一季度報告深入探討下一代 SiC 器件，重點介紹了針對 SiC 超結結構（Rohm、Toshiba）、SiC JFET （Onsemi） 和 SiC IGBT（Hitachi、GlobalFoundries、Rohm、Toshiba）發(fā)布新專利申請的公司。

在新公布的專利申請中，日立考慮將半絕緣 SiC 襯底用于 10kV 以上的中壓 （MV） 應用，以降低相應 SiC 器件的制造成本，無論是 PiN 二極管還是 IGBT。

奧爾堡大學的一項新專利出版物也考慮了將設備集成到中壓 15kV 功率模塊中，旨在減少高壓和接地焊盤之間溝槽中的最大電場。

封裝也是一個關鍵的創(chuàng)新領域，安森美已經申請了倒裝芯片和預成型夾片功率模塊的專利，日立的高溫下具有高鍵合可靠性的芯片貼裝專利，以及賽米控丹佛斯的低電感布局的三電平功率模塊的專利。