- 隨著互聯網、云計算、移動終端和物聯網的迅猛發展，全球數據量每兩年翻倍的速度增長，人們選用的存儲介質也發生了較大的變化，到2020年全球數據總量將達到44ZB。如此高速增長的數據，采取什么樣的存儲更為愉快?閃存能否成為未來存儲的棟梁? 俗話說：以史為鑒，可以知興替。回顧過往，存儲行業從很久以前的磁帶存儲方式過渡到磁盤存儲方式，磁帶存儲沒有消亡，但磁盤占了主流。當前從磁盤存儲方式逐漸過渡到閃存方式，未來磁盤存儲不會消亡，但閃存勢必會占據
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閃存
- 當前，基于閃存的創新已經成為數據中心領域最大的熱點，市場上已經涌現出五花八門的閃存產品。大家公認閃存對于數據中心應用的加速效果十分明顯，無論是服務器內部的固態硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經在數據中心領域得到驗證，尤其是隨著閃存成本價格穩步下降，閃存在數據中心領域的應用趨勢必然加快。同時，隨著云計算、大數據、社交網絡、移動化四大趨勢的來臨，超大型數據中心用戶對于加速的需求更進一步，傳統的閃存產品已經不能較好滿足超大型數據中心用戶某些關鍵性應用需求，超高性能的閃存產品成為這些超大型數據中
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Sandisk 閃存
- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優點。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
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TDK 閃存
- 三星早在7月初就宣布了新一代高端固態硬盤850 EVO，會采用3D立體堆疊的V-NAND TLC閃存顆粒，但卻一直沒有正式發布，相關資料也是從未公開。感謝幾家坐不住的美國電商，850 EVO慢慢揭開了面紗。嗯，2.5寸固態硬盤都是這副模樣，你還想看到啥?規格方面，目前了解到的是持續讀寫速度，最高分別可達550MB/s、520MB/s，已經是SATA 6Gbps下的實際極限了，基本不可能再高。還有個無關痛癢的重量，0.29磅，大約是132克。850 EVO系
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三星 3D
- 目前全球最大光纖零件供應商、光通訊領域巨頭捷迪訊宣布，董事會已一致批準將公司拆分為兩家獨立上市公司的計劃。
據悉，拆分后，其中一家為“光學元器件及商用激光器公司”(CCOP)由目前捷迪訊旗下的通信及商用光學產品部門組成，將服務于規模達到74億美元且未來四年復合增長率達11%的光通信市場。此外，CCOP公司在商用激光領域亦服務近25億美元的市場，年增長率預計將達到7%。
另一家為“網絡及服務支持公司”(NSE)，由目前捷迪訊旗下的網絡支持、服務
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CCOP 商用激光 3D
- 近日，臺灣《經濟日報》援引供應鏈消息稱，蘋果正在著手開發一款不需要使用特殊玻璃的3D顯示屏。報道還聲稱，蘋果正在打造3D“軟件生態系統”。此外，蘋果將期望從現在的內嵌觸控顯示屏技術變成可能由合作伙伴TPK供應的新型面板，據說內嵌觸控顯示屏無法和新的3D技術兼容。如果消息屬實，相信在不久的將來我們就可以看到蘋果推出具備3D顯示功能的iPhone了，這對于果粉而言，無疑是一個好消息。
多家公司共同研發，3D技術或迎來爆發
3D技術正在變得越來越吃香，不光是蘋果，Inte
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蘋果 英特爾 3D
- 現階段，3D和全息投影技術已經在不少場合得到了廣泛的應用，但是與“空氣”的互動，卻沒能讓人體會到足夠的“真實感”。不過，東京大學的一個科學家團隊，已經開發出了一種手機檢測和超聲波反饋技術，足以讓你體會到浮動按鈕的真實觸感。當然，乍一看，你或許會以為圖標是懸浮于物理屏幕上的。但其實，該團隊使用了反光板來產生全息圖像。
這種技術被他們稱作“HaptoMime Display”(模擬接觸顯示屏)，而紅外傳感器會在你伸手時觸發超聲波
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東京大學 全息投影 3D
- 10月17日，美國閃存供應商SanDisk今天發布了2014財年第三季度財報。財報顯示，由于重組和收購導致成本增長9%，SanDisk第三季度凈利潤同比下滑5%。由于業績未達分析師預期，SanDisk股價在盤后交易中下跌3%。
在截至9月28日的今年第三季度，SanDisk凈利潤為2.627億美元，合每股收益1.09美元，上年同期凈利潤為2.769億美元，合每股收益 1.18美?元;不計入一次性支出，SanDisk第三季度每股收益1.45美元。同時，第三季度SanDisk營收為17.5億
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SanDisk 閃存
- 3D平板電腦已投入開發，將能夠提供3D數據采集和超高數據質量，為大眾帶來3D內容創建功能。
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3D 平板電腦
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- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。
MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優點。
TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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閃存 MRAM
- MRAM以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經推出這種存儲技術的原型。
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閃存 MRAM
- 根據臺灣市場研究公司Trendforce的最新報告，蘋果將在2015年購買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM只能將數據保持很短的時間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內存。
在iPhone和iPad中，蘋果通常會配備1GB運行內存，而Mac配備的內存可以高達16GB。在PC的世界中，使用更高的內存可以讓系統運行速度更快，不過增加內存的方式現在已經逐漸被更換固態硬盤替代。在移
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- 雖然規模和技術遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現在他們準備進軍新的市場領域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發的技術。
中芯國際進軍閃存，自主研發38nm NAND來了
NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產能都掌握在三星
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中芯國際 閃存
- 應用直通矽晶穿孔(TSV)技術的三維積體電路(3DIC)為半導體業界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優勢。然而，若要讓3DIC成為主流，還必須執行許多基礎的工作。電子設計自動化(EDA)業者提供周延的解決方案支援3DIC革命，包括類比與數位設計實現、封裝與印刷電路板(PCB)設計工具。半導體廠可以運用這個解決方案，滿足高效率設計應用TSV技術的3DIC的所有需求。
隨著更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加，許多IC團隊都在期待應用TSV技術的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
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